Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
| Τίτλος: |
Надежность кристаллов динамических ОЗУ при коррекции сбоев в процессе регенерации информации |
| Στοιχεία εκδότη: |
1990. |
| Έτος έκδοσης: |
1990 |
| Θεματικοί όροι: |
полупроводниковые оперативные запоминающие устройства, код Хемминга |
| Περιγραφή: |
Проведен анализ надежности полупроводниковых оперативных запоминающих устройств динамического типа при коррекции кодом Хемминга одиночных ошибок в кодовых словах различной длины в режиме регенерации информации. Сделаны практические выводы о влиянии на надежность БИС некоторых конструктивно-технологических и технических параметров кристалла. |
| Τύπος εγγράφου: |
Article |
| Περιγραφή αρχείου: |
application/pdf |
| Σύνδεσμος πρόσβασης: |
https://openrepository.ru/article?id=34740 |
| Αριθμός Καταχώρησης: |
edsair.httpsopenrep..cf2ac77c0505062f8af8bbfcd7d34296 |
| Βάση Δεδομένων: |
OpenAIRE |