Academic Journal
Надежность кристаллов динамических ОЗУ при коррекции сбоев в процессе регенерации информации
| Τίτλος: | Надежность кристаллов динамических ОЗУ при коррекции сбоев в процессе регенерации информации |
|---|---|
| Στοιχεία εκδότη: | 1990. |
| Έτος έκδοσης: | 1990 |
| Θεματικοί όροι: | полупроводниковые оперативные запоминающие устройства, код Хемминга |
| Περιγραφή: | Проведен анализ надежности полупроводниковых оперативных запоминающих устройств динамического типа при коррекции кодом Хемминга одиночных ошибок в кодовых словах различной длины в режиме регенерации информации. Сделаны практические выводы о влиянии на надежность БИС некоторых конструктивно-технологических и технических параметров кристалла. |
| Τύπος εγγράφου: | Article |
| Περιγραφή αρχείου: | application/pdf |
| Σύνδεσμος πρόσβασης: | https://openrepository.ru/article?id=34740 |
| Αριθμός Καταχώρησης: | edsair.httpsopenrep..cf2ac77c0505062f8af8bbfcd7d34296 |
| Βάση Δεδομένων: | OpenAIRE |
καταχωρήστε σχόλιο πρώτοι!