Academic Journal
Радиационные эффекты в элементах субмикронных КМОП интегральных схем
| Τίτλος: | Радиационные эффекты в элементах субмикронных КМОП интегральных схем |
|---|---|
| Στοιχεία εκδότη: | БГУИР, 2011. |
| Έτος έκδοσης: | 2011 |
| Θεματικοί όροι: | МОП-структуры, гамма-излучение, СV-характеристики, элементы КМОП интегральных схем, вольтамперные характеристики, доклады БГУИР, n- и р-канальные МОП-транзисторы |
| Περιγραφή: | Рассмотрено влияние гамма-излучения Со60 на параметры тестовых металл-окисел- полупроводник (МОП)-структур, а также n- и р-канальных МОП-транзисторов (МОПТ): элементов субмикронных (0,35 мкм) КМОП интегральных схем. Установлено, что при облучении происходит значительный сдвиг и уменьшение наклона СV-характеристик тестовых МОП-конденсаторов с толстым окислом (dox = 0,52 мкм); СV-характеристики МОП- структур с dox = 7 нм при облучении дозой D = 104 Гр практически не изменились. Сток- затворные вольтамперные характеристики (ВАХ) n-МОПТ «классической» конструкции при облучении изменились более значительно по токам утечки, чем ВАХ n-МОПТ «кольцевой» конструкции. ВАХ «классических» р-МОПТ при облучении изменились за счет небольшого сдвига в сторону отрицательных напряжений затвора, однако токи утечки р- МОПТ возросли незначительно. Обнаружена корреляция токов утечки «классических» n- МОПТ и токов через паразитный n-МОПТ при облучении в пассивном и активном электрическом режиме. |
| Τύπος εγγράφου: | Article |
| Γλώσσα: | Russian |
| Σύνδεσμος πρόσβασης: | https://openrepository.ru/article?id=213300 |
| Αριθμός Καταχώρησης: | edsair.httpsopenrep..9d3bc3b04811bb209587d89af5225d53 |
| Βάση Δεδομένων: | OpenAIRE |
καταχωρήστε σχόλιο πρώτοι!