Academic Journal
Προβολή σε EDS

Радиационные эффекты в элементах субмикронных КМОП интегральных схем

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Τίτλος: Радиационные эффекты в элементах субмикронных КМОП интегральных схем
Στοιχεία εκδότη: БГУИР, 2011.
Έτος έκδοσης: 2011
Θεματικοί όροι: МОП-структуры, гамма-излучение, СV-характеристики, элементы КМОП интегральных схем, вольтамперные характеристики, доклады БГУИР, n- и р-канальные МОП-транзисторы
Περιγραφή: Рассмотрено влияние гамма-излучения Со60 на параметры тестовых металл-окисел- полупроводник (МОП)-структур, а также n- и р-канальных МОП-транзисторов (МОПТ): элементов субмикронных (0,35 мкм) КМОП интегральных схем. Установлено, что при облучении происходит значительный сдвиг и уменьшение наклона СV-характеристик тестовых МОП-конденсаторов с толстым окислом (dox = 0,52 мкм); СV-характеристики МОП- структур с dox = 7 нм при облучении дозой D = 104 Гр практически не изменились. Сток- затворные вольтамперные характеристики (ВАХ) n-МОПТ «классической» конструкции при облучении изменились более значительно по токам утечки, чем ВАХ n-МОПТ «кольцевой» конструкции. ВАХ «классических» р-МОПТ при облучении изменились за счет небольшого сдвига в сторону отрицательных напряжений затвора, однако токи утечки р- МОПТ возросли незначительно. Обнаружена корреляция токов утечки «классических» n- МОПТ и токов через паразитный n-МОПТ при облучении в пассивном и активном электрическом режиме.
Τύπος εγγράφου: Article
Γλώσσα: Russian
Σύνδεσμος πρόσβασης: https://openrepository.ru/article?id=213300
Αριθμός Καταχώρησης: edsair.httpsopenrep..9d3bc3b04811bb209587d89af5225d53
Βάση Δεδομένων: OpenAIRE
FullText Text:
  Availability: 0
Header DbId: edsair
DbLabel: OpenAIRE
An: edsair.httpsopenrep..9d3bc3b04811bb209587d89af5225d53
RelevancyScore: 764
AccessLevel: 3
PubType: Academic Journal
PubTypeId: academicJournal
PreciseRelevancyScore: 764.180358886719
IllustrationInfo
Items – Name: Title
  Label: Title
  Group: Ti
  Data: Радиационные эффекты в элементах субмикронных КМОП интегральных схем
– Name: Publisher
  Label: Publisher Information
  Group: PubInfo
  Data: БГУИР, 2011.
– Name: DatePubCY
  Label: Publication Year
  Group: Date
  Data: 2011
– Name: Subject
  Label: Subject Terms
  Group: Su
  Data: <searchLink fieldCode="DE" term="%22МОП-структуры%22">МОП-структуры</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22гамма-излучение%22">гамма-излучение</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22СV-характеристики%22">СV-характеристики</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22элементы+КМОП+интегральных+схем%22">элементы КМОП интегральных схем</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22вольтамперные+характеристики%22">вольтамперные характеристики</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22доклады+БГУИР%22">доклады БГУИР</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22n-+и+р-канальные+МОП-транзисторы%22">n- и р-канальные МОП-транзисторы</searchLink>
– Name: Abstract
  Label: Description
  Group: Ab
  Data: Рассмотрено влияние гамма-излучения Со60 на параметры тестовых металл-окисел- полупроводник (МОП)-структур, а также n- и р-канальных МОП-транзисторов (МОПТ): элементов субмикронных (0,35 мкм) КМОП интегральных схем. Установлено, что при облучении происходит значительный сдвиг и уменьшение наклона СV-характеристик тестовых МОП-конденсаторов с толстым окислом (dox = 0,52 мкм); СV-характеристики МОП- структур с dox = 7 нм при облучении дозой D = 104 Гр практически не изменились. Сток- затворные вольтамперные характеристики (ВАХ) n-МОПТ «классической» конструкции при облучении изменились более значительно по токам утечки, чем ВАХ n-МОПТ «кольцевой» конструкции. ВАХ «классических» р-МОПТ при облучении изменились за счет небольшого сдвига в сторону отрицательных напряжений затвора, однако токи утечки р- МОПТ возросли незначительно. Обнаружена корреляция токов утечки «классических» n- МОПТ и токов через паразитный n-МОПТ при облучении в пассивном и активном электрическом режиме.
– Name: TypeDocument
  Label: Document Type
  Group: TypDoc
  Data: Article
– Name: Language
  Label: Language
  Group: Lang
  Data: Russian
– Name: URL
  Label: Access URL
  Group: URL
  Data: <link linkTarget="URL" linkTerm="https://openrepository.ru/article?id=213300" linkWindow="_blank">https://openrepository.ru/article?id=213300</link>
– Name: AN
  Label: Accession Number
  Group: ID
  Data: edsair.httpsopenrep..9d3bc3b04811bb209587d89af5225d53
PLink https://search.ebscohost.com/login.aspx?direct=true&site=eds-live&db=edsair&AN=edsair.httpsopenrep..9d3bc3b04811bb209587d89af5225d53
RecordInfo BibRecord:
  BibEntity:
    Languages:
      – Text: Russian
    Subjects:
      – SubjectFull: МОП-структуры
        Type: general
      – SubjectFull: гамма-излучение
        Type: general
      – SubjectFull: СV-характеристики
        Type: general
      – SubjectFull: элементы КМОП интегральных схем
        Type: general
      – SubjectFull: вольтамперные характеристики
        Type: general
      – SubjectFull: доклады БГУИР
        Type: general
      – SubjectFull: n- и р-канальные МОП-транзисторы
        Type: general
    Titles:
      – TitleFull: Радиационные эффекты в элементах субмикронных КМОП интегральных схем
        Type: main
  BibRelationships:
    IsPartOfRelationships:
      – BibEntity:
          Dates:
            – D: 01
              M: 01
              Type: published
              Y: 2011
          Identifiers:
            – Type: issn-locals
              Value: edsair
ResultId 1