Bibliographic Details
| Title: |
Создание и исследование источников спонтанного излучения среднего ИК диапазона на основе узкозонных гетероструктур А3В5 методом газофазной эпитаксии: магистерская диссертация |
| Publisher Information: |
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 2016. |
| Publication Year: |
2016 |
| Subject Terms: |
light emitting structures, Полупроводниковые гетеропереходы, светоизлучающие структуры, Полупроводниковые пленки, Электролюминесценция, mid-infrared range, Растворы твердые, средний инфракрасный диапазон |
| Description: |
The presented work describes the process of metalorganic vapour phase epitaxy of multicomponent In-As-Sb-P solid solutions that serve as the basis for fabrication of light-emitting structures with radiation wavelength 4.2 mm. Film growth conditions were selected to produce InAsSb/InAsSbP heterojunctions that were further used to build light-emitting diode structures. Electrical and electroluminescent properties of these structures were investigated.
Данная работа посвящена получению многокомпонентных твердых растворов системы In-As-Sb-P и созданию на их основе светодиодных структур излучающих на длине волны 4.2 мкм методом МОГФЭ. Были найдены нужные условия роста твердых растворов гетероперехода InAsSb/InAsSbP. На основе данного гетероперехода были созданы светодиодные структуры и исследованы их электрические и электролюминесцентные свойства. |
| Document Type: |
Other literature type |
| Language: |
Russian |
| DOI: |
10.18720/spbpu/2/v16-2779 |
| Accession Number: |
edsair.doi...........f1f3fa1a92ab8f732942a549f7d1deef |
| Database: |
OpenAIRE |