Conference
СТРУКТУРНЫЙ ПЕРЕХОД ПРИ ОБРАЗОВАНИИ НАНОЧАСТИЦ ИНДИЯ В ТОНКОЙ ПЛЕНКЕ ОРГАНИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКА
| Title: | СТРУКТУРНЫЙ ПЕРЕХОД ПРИ ОБРАЗОВАНИИ НАНОЧАСТИЦ ИНДИЯ В ТОНКОЙ ПЛЕНКЕ ОРГАНИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКА |
|---|---|
| Publisher Information: | Институт физики твердого тела РАН, 2022. |
| Publication Year: | 2022 |
| Subject Terms: | физическое материаловедение, Физика твердого тела |
| Description: | Материалы приобретают новые свойства, когда характерные размеры их струк-турных составляющих уменьшаются до наноуровня. Благодаря возрастанию вклада по-верхностной энергии не исключено, что энергия наночастиц будет повышена, а их структура станет неравновесной. Это может позволить реализоваться фазам, которые не наблюдаются в массивных веществах. Для дальнейшего развития нанотехнологий важно знание размерно-зависимого изменения свойств различных материалов. В настоящей работе представлены результаты исследования формирования ком-позиционных материалов путем напыления индия на ультратонкую пленку органиче-ского полупроводника тетрафторфталоцианина меди (CuPcF4). Анализ электронно-микроскопических изображений наночастиц индия, образующихся на поверхности и в объеме органической пленки на различных стадиях термического осаждения металла в условиях сверхвысокого вакуума дал ценную информацию об эволюции размеров, структуры, распределения наночастиц индия. Оказалось, что 2D/3D сверхмалые нано-объекты (с распределением по размерам от 5 до 28 нм при среднем размере 16 нм) имеют не только объемноцентриро-ванную тетрагональную (ОЦТ) кристаллическую структуру, характерную для массивного индия, но и стимулированную размерным эффектом гранецентрированную кубическую (ГЦК) структуру с постоянной решетки а = 0.53 нм, не наблюдающуюся в массивном металле (Рис.1). Кристалло-графическую перестройку ГЦК - ОЦТ наиболее просто и наглядно можно описать схемой Бейна для мартенситно-подобного превращения. Для этого в двух соседних элемен-тарных ГЦК ячейках (a = 0.53 нм) необходимо выделить ячейку с ОЦТ решеткой и отношением c/a = √2. Чтобы по-лучить решетку массивного индия, для которого a = 0.325 нм, c = 0.495 нм и c/a = 1.52, следует сжать выделенную ячейку вдоль оси [001] примерно на 7%, а вдоль осей [010] и [100] - на 13 %. Такая однородная деформация решетки называется бейновской. Однако, т.к., в отличие от схемы, перемещения атомов в процессе превращения являются более сложными, то по суще-ствующей теории бейновскую деформацию надо дополнить еще деформацией, которая осуществляется или двойникованием, или дислокационным скольжением. В этом слу-чае становится понятным наличие двойников в структуре объемных сферических ОЦТ наночастиц индия [1]. |
| Document Type: | Conference object |
| Language: | Russian |
| DOI: | 10.26201/issp.2022/fppk.103 |
| Accession Number: | edsair.doi...........d19fae6e9496aaa1ad0434254be36b70 |
| Database: | OpenAIRE |
Be the first to leave a comment!