Bibliographic Details
| Title: |
ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВМСИМОСТЬ ПРОВОДИМОСТИ В СТРУКТУРАХ n-Al0.24Ga0.74 As/GaAs |
| Publisher Information: |
4-я международная конференция «Физика конденсированных состояний», 2025. |
| Publication Year: |
2025 |
| Subject Terms: |
ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ, pin-диод, n-Al0.24Ga0.74 As/GaAs, ПРОВОДИМОСТЬ В СТРУКТУРАХ, молекулярно-пучковая эпитаксия |
| Description: |
В этой работе cтруктура pin-диода Alx Ga1-x As/GaAs была выращена с помощью устройства молекулярно-пучковой эпитаксии SEMICON VG80H и были исследованы электрофизические xарактеристики. |
| Document Type: |
Research |
| DOI: |
10.24412/cl-37349-fks-4.137 |
| Rights: |
CC BY |
| Accession Number: |
edsair.doi...........ca8efdba85051e57e30411ae2e14c058 |
| Database: |
OpenAIRE |