Report
ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВМСИМОСТЬ ПРОВОДИМОСТИ В СТРУКТУРАХ n-Al0.24Ga0.74 As/GaAs
| Title: | ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВМСИМОСТЬ ПРОВОДИМОСТИ В СТРУКТУРАХ n-Al0.24Ga0.74 As/GaAs |
|---|---|
| Publisher Information: | 4-я международная конференция «Физика конденсированных состояний», 2025. |
| Publication Year: | 2025 |
| Subject Terms: | ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ, pin-диод, n-Al0.24Ga0.74 As/GaAs, ПРОВОДИМОСТЬ В СТРУКТУРАХ, молекулярно-пучковая эпитаксия |
| Description: | В этой работе cтруктура pin-диода Alx Ga1-x As/GaAs была выращена с помощью устройства молекулярно-пучковой эпитаксии SEMICON VG80H и были исследованы электрофизические xарактеристики. |
| Document Type: | Research |
| DOI: | 10.24412/cl-37349-fks-4.137 |
| Rights: | CC BY |
| Accession Number: | edsair.doi...........ca8efdba85051e57e30411ae2e14c058 |
| Database: | OpenAIRE |
Be the first to leave a comment!