Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
| Τίτλος: |
ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВМСИМОСТЬ ПРОВОДИМОСТИ В СТРУКТУРАХ n-Al0.24Ga0.74 As/GaAs |
| Στοιχεία εκδότη: |
4-я международная конференция «Физика конденсированных состояний», 2025. |
| Έτος έκδοσης: |
2025 |
| Θεματικοί όροι: |
ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ, pin-диод, n-Al0.24Ga0.74 As/GaAs, ПРОВОДИМОСТЬ В СТРУКТУРАХ, молекулярно-пучковая эпитаксия |
| Περιγραφή: |
В этой работе cтруктура pin-диода Alx Ga1-x As/GaAs была выращена с помощью устройства молекулярно-пучковой эпитаксии SEMICON VG80H и были исследованы электрофизические xарактеристики. |
| Τύπος εγγράφου: |
Research |
| DOI: |
10.24412/cl-37349-fks-4.137 |
| Rights: |
CC BY |
| Αριθμός Καταχώρησης: |
edsair.doi...........ca8efdba85051e57e30411ae2e14c058 |
| Βάση Δεδομένων: |
OpenAIRE |