Academic Journal
View in EDS

ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ СИЛИЦИДОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ ДЛЯ ИЗДЕЛИЙ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ: TECHNOLOGY OF FORMATION OF SILICIDES OF REFRACTORY METALS FOR PRODUCTS OF MICRO- AND NANOELECTRONICS

Bibliographic Details
Title: ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ СИЛИЦИДОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ ДЛЯ ИЗДЕЛИЙ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ: TECHNOLOGY OF FORMATION OF SILICIDES OF REFRACTORY METALS FOR PRODUCTS OF MICRO- AND NANOELECTRONICS
Source: Вестник Академии наук Чеченской Республики. :28-32
Publisher Information: Academy of Sciences of the Chechen Republic, 2020.
Publication Year: 2020
Subject Terms: ионная бомбардировка, тугоплавкие металлы, ионное легирование, удельное сопротивление, силицид, омические контакты
Description: Силициды металлов играют важную роль в получении омических контактов и барьеров Шоттки на кремнии. Формирование омических контактов осуществляется путем нанесения металлической пленки толщиной ~ 100 нм на кремний с последующим отжигом при температурах 400-600°C, в результате чего происходит реакция между кремнием и металлом с образованием силицида. Благодаря этой технологии диффузия кремния приводит к нестабильности устройств. В связи с этим разработана усовершенствованная технология образования силицидов тугоплавких металлов для получения омических контактов. Ионная имплантация позволяет, благодаря ионному перемешиванию, образовывать силицид никеля на поверхности образцов при нагревании. Важно, что с увеличением дозы облучения образование силицида Ni2Si замедляется. Этот эффект можно объяснить образованием диэлектрика Ni3Si2. Подобные явления наблюдались при бомбардировке ионами кислорода и азота. Силициды тугоплавких металлов приготовляются на кремниевых подложках из галоидов металла, восстанавливаемых H2 или Si с образованием тугоплавких металлов (например, Mo, V или Ti); затем металл преобразуется в дисилицид металла диффузией атомов при достаточно высоких температурах. Пленки силицида титана химически осаждались на кремниевую подложку из газовых смесей TiCl4-SiH4 или TiCl4-SiH4-Ar при температурах 600-850°С. Удельное сопротивление этих пленок очень близко к объемному значению 10 мкОм ? см. Химическое осаждение пленок TiSix (x=1) из паровой фазы в плазме проводилось при 450°С в системе с горячей стенкой. Выращивались на легированных слоях поликремниевые структуры из аморфного слоя кремния толщиной 100 нм, TiSiI,1 толщиной 120 нм и аморфного слоя кремния толщиной 15 нм. Обработка в плазме способствовала очищению границы раздела подложки с пленкой. Проведенные эксперименты показали, что образование слоя Ni2Si происходит и в том случае, когда для имплантации используются ионы мышьяка, а затем образцы подвергают термообработке. Metal silicides play a significant role in the preparation of ohmic contacts and Schottky barriers on silicon. The formation of ohmic contacts is carried out by applying a metal film with a thickness of ~ 100 nm to silicon, followed by annealing at temperatures of 400-600°C, as a result of which there is a reaction between silicon and metal with the formation of silicide. With this technology, silicon diffusion leads to instability of devices. In this regard, the work has developed an improved technology for the formation of silicides of refractory metals to obtain ohmic contacts. Ion implantation allows, due to ionic mixing, to form nickel silicide on the surface of the samples when heated. It is important that, with an increase in the radiation dose, the formation of Ni2Si silicide slows down. This effect can be explained by the formation of a dielectric Ni3Si2. Similar phenomena were observed during the bombardment by oxygen and nitrogen ions. Refractory metal silicides are prepared on silicon substrates from metal halides reduced by H2 or Si to form refractory metals (for example, Mo, V, or Ti); then the metal is converted to metal disilicide by diffusion of atoms at sufficiently high temperatures. Titanium silicide films were chemically deposited on a silicon substrate from gas mixtures TiCl4-SiH4 or TiCl4-SiH4-Ar at temperatures of 600-850°C. The resistivity of these films is very close to the volumetric value of 10 ?Om?cm. Chemical vapor deposition of TiSix films (x=1) in plasma was carried out at 450°C in a hot-wall system. Polysilicon structures were grown on doped layers from an amorphous silicon layer 100 nm thick, TiSiI 1 120 nm thick, and an amorphous silicon layer 15 nm thick. Plasma treatment helped to clean the interface between the substrate and the film. The experiments have shown that the formation of a Ni2Si layer also occurs when arsenic ions are used for implantation, and then the samples are subjected to heat treatment.
Document Type: Article
Language: Russian
ISSN: 2076-2348
DOI: 10.25744/vestnik.2020.51.4.005
Accession Number: edsair.doi...........c1ccc34db6f74e3abb9ada8f0f3d59a0
Database: OpenAIRE
FullText Text:
  Availability: 0
Header DbId: edsair
DbLabel: OpenAIRE
An: edsair.doi...........c1ccc34db6f74e3abb9ada8f0f3d59a0
RelevancyScore: 887
AccessLevel: 3
PubType: Academic Journal
PubTypeId: academicJournal
PreciseRelevancyScore: 887.271484375
IllustrationInfo
Items – Name: Title
  Label: Title
  Group: Ti
  Data: ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ СИЛИЦИДОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ ДЛЯ ИЗДЕЛИЙ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ: TECHNOLOGY OF FORMATION OF SILICIDES OF REFRACTORY METALS FOR PRODUCTS OF MICRO- AND NANOELECTRONICS
– Name: TitleSource
  Label: Source
  Group: Src
  Data: <i>Вестник Академии наук Чеченской Республики</i>. :28-32
– Name: Publisher
  Label: Publisher Information
  Group: PubInfo
  Data: Academy of Sciences of the Chechen Republic, 2020.
– Name: DatePubCY
  Label: Publication Year
  Group: Date
  Data: 2020
– Name: Subject
  Label: Subject Terms
  Group: Su
  Data: <searchLink fieldCode="DE" term="%22ионная+бомбардировка%22">ионная бомбардировка</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22тугоплавкие+металлы%22">тугоплавкие металлы</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22ионное+легирование%22">ионное легирование</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22удельное+сопротивление%22">удельное сопротивление</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22силицид%22">силицид</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22омические+контакты%22">омические контакты</searchLink>
– Name: Abstract
  Label: Description
  Group: Ab
  Data: Силициды металлов играют важную роль в получении омических контактов и барьеров Шоттки на кремнии. Формирование омических контактов осуществляется путем нанесения металлической пленки толщиной ~ 100 нм на кремний с последующим отжигом при температурах 400-600°C, в результате чего происходит реакция между кремнием и металлом с образованием силицида. Благодаря этой технологии диффузия кремния приводит к нестабильности устройств. В связи с этим разработана усовершенствованная технология образования силицидов тугоплавких металлов для получения омических контактов. Ионная имплантация позволяет, благодаря ионному перемешиванию, образовывать силицид никеля на поверхности образцов при нагревании. Важно, что с увеличением дозы облучения образование силицида Ni2Si замедляется. Этот эффект можно объяснить образованием диэлектрика Ni3Si2. Подобные явления наблюдались при бомбардировке ионами кислорода и азота. Силициды тугоплавких металлов приготовляются на кремниевых подложках из галоидов металла, восстанавливаемых H2 или Si с образованием тугоплавких металлов (например, Mo, V или Ti); затем металл преобразуется в дисилицид металла диффузией атомов при достаточно высоких температурах. Пленки силицида титана химически осаждались на кремниевую подложку из газовых смесей TiCl4-SiH4 или TiCl4-SiH4-Ar при температурах 600-850°С. Удельное сопротивление этих пленок очень близко к объемному значению 10 мкОм ? см. Химическое осаждение пленок TiSix (x=1) из паровой фазы в плазме проводилось при 450°С в системе с горячей стенкой. Выращивались на легированных слоях поликремниевые структуры из аморфного слоя кремния толщиной 100 нм, TiSiI,1 толщиной 120 нм и аморфного слоя кремния толщиной 15 нм. Обработка в плазме способствовала очищению границы раздела подложки с пленкой. Проведенные эксперименты показали, что образование слоя Ni2Si происходит и в том случае, когда для имплантации используются ионы мышьяка, а затем образцы подвергают термообработке. Metal silicides play a significant role in the preparation of ohmic contacts and Schottky barriers on silicon. The formation of ohmic contacts is carried out by applying a metal film with a thickness of ~ 100 nm to silicon, followed by annealing at temperatures of 400-600°C, as a result of which there is a reaction between silicon and metal with the formation of silicide. With this technology, silicon diffusion leads to instability of devices. In this regard, the work has developed an improved technology for the formation of silicides of refractory metals to obtain ohmic contacts. Ion implantation allows, due to ionic mixing, to form nickel silicide on the surface of the samples when heated. It is important that, with an increase in the radiation dose, the formation of Ni2Si silicide slows down. This effect can be explained by the formation of a dielectric Ni3Si2. Similar phenomena were observed during the bombardment by oxygen and nitrogen ions. Refractory metal silicides are prepared on silicon substrates from metal halides reduced by H2 or Si to form refractory metals (for example, Mo, V, or Ti); then the metal is converted to metal disilicide by diffusion of atoms at sufficiently high temperatures. Titanium silicide films were chemically deposited on a silicon substrate from gas mixtures TiCl4-SiH4 or TiCl4-SiH4-Ar at temperatures of 600-850°C. The resistivity of these films is very close to the volumetric value of 10 ?Om?cm. Chemical vapor deposition of TiSix films (x=1) in plasma was carried out at 450°C in a hot-wall system. Polysilicon structures were grown on doped layers from an amorphous silicon layer 100 nm thick, TiSiI 1 120 nm thick, and an amorphous silicon layer 15 nm thick. Plasma treatment helped to clean the interface between the substrate and the film. The experiments have shown that the formation of a Ni2Si layer also occurs when arsenic ions are used for implantation, and then the samples are subjected to heat treatment.
– Name: TypeDocument
  Label: Document Type
  Group: TypDoc
  Data: Article
– Name: Language
  Label: Language
  Group: Lang
  Data: Russian
– Name: ISSN
  Label: ISSN
  Group: ISSN
  Data: 2076-2348
– Name: DOI
  Label: DOI
  Group: ID
  Data: 10.25744/vestnik.2020.51.4.005
– Name: AN
  Label: Accession Number
  Group: ID
  Data: edsair.doi...........c1ccc34db6f74e3abb9ada8f0f3d59a0
PLink https://search.ebscohost.com/login.aspx?direct=true&site=eds-live&db=edsair&AN=edsair.doi...........c1ccc34db6f74e3abb9ada8f0f3d59a0
RecordInfo BibRecord:
  BibEntity:
    Identifiers:
      – Type: doi
        Value: 10.25744/vestnik.2020.51.4.005
    Languages:
      – Text: Russian
    PhysicalDescription:
      Pagination:
        PageCount: 5
        StartPage: 28
    Subjects:
      – SubjectFull: ионная бомбардировка
        Type: general
      – SubjectFull: тугоплавкие металлы
        Type: general
      – SubjectFull: ионное легирование
        Type: general
      – SubjectFull: удельное сопротивление
        Type: general
      – SubjectFull: силицид
        Type: general
      – SubjectFull: омические контакты
        Type: general
    Titles:
      – TitleFull: ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ СИЛИЦИДОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ ДЛЯ ИЗДЕЛИЙ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ: TECHNOLOGY OF FORMATION OF SILICIDES OF REFRACTORY METALS FOR PRODUCTS OF MICRO- AND NANOELECTRONICS
        Type: main
  BibRelationships:
    IsPartOfRelationships:
      – BibEntity:
          Dates:
            – D: 20
              M: 12
              Type: published
              Y: 2020
          Identifiers:
            – Type: issn-print
              Value: 20762348
            – Type: issn-locals
              Value: edsair
          Titles:
            – TitleFull: Вестник Академии наук Чеченской Республики
              Type: main
ResultId 1