Bibliographic Details
| Title: |
1550 nm high-speed VCSELS based on compressively strained In(Al)GaAs QWs |
| Authors: |
Rochas, Stanislav, Blokhin, Sergei, Babichev, Andrey, Karachinsky, Leonid, Novikov, Innokenty, Blokhin, Aleksey, Bobrov, Mikhail, Maleev, Nikolai, Andryushkin, Vladislav, Bougrov, Vladislav, Gladyshev, Andrey, Melnichenko, Ivan, Voropaev, Kirill, Zhumaeva, Irina, Ustinov, Victor, Li, Hiu, Tian, Si-Cong, Han, Saiyi, Sapunov, Georgiy, Egorov, Anton, Bimberg, Dieter |
| Publisher Information: |
St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2023. |
| Publication Year: |
2023 |
| Subject Terms: |
tunnel junction, туннельный переход, спекание пластин, strained quantum wells, wafer fusion, molecular-beam epitaxy, напряженные квантовые ямы, data transmission, 7. Clean energy, VCSEL, молекулярно-пучковая эпитаксия, передача данных, ВИЛ |
| Description: |
Были изготовлены высокоскоростные вертикально излучающие лазеры (ВИЛ) спектрального диапазона 1550 нм на основе 10 напряженных In(Al)GaAs КЯ с использованием метода молекулярно-пучковой эпитаксии и двойного прямого молекулярного спекания эпитаксиальных пластин. Приборы демонстрируют пороговый ток 2 мА и максимальную выходную оптическую мощность 4,8 мВт. Эффект насыщающегося поглотителя наблюдался при температуре выше 50 °С. Малосигнальный анализ показал значения ширины полосы модуляции f 3dB и резонансной частоты fR 8 ГГц и 12 ГГц, соответственно. Была продемонстрирована скорость передачи данных до 20 Гбит/с в режиме NRZ при 20 °C на расстояние 1000 метров.
High-speed vertical-cavity surface-emitting lasers of 1550 nm spectral range based on ten compressively strained In(Al)GaAs QWs were fabricated by molecular-beam epitaxy and direct double wafer-fusion technique. The devices demonstrate threshold current of 2 mA and maximum output optical power of 4.8 mW. The effect of saturable absorber was observed at a temperature above 50 °C. Small signal analysis revealed that modulation bandwidth f 3dB and the resonant frequency fR of 8 GHz and 12 GHz, respectively, can be reached for presented VCSELs design. The NRZ-mode data rate up to 20 Gbps at 20 °C across the distance of 1000 meters was demonstrated. |
| Document Type: |
Other literature type |
| Language: |
English |
| DOI: |
10.18721/jpm.161.178 |
| Accession Number: |
edsair.doi...........be96d41687b5f38a46d8b8fe6b945b8f |
| Database: |
OpenAIRE |