Bibliographic Details
| Title: |
Исследование характеристик КНИ МОП транзисторов A- и F-типов в расширенном диапазоне температур: Study of Characteristics of SOI MOS Transistors of A- and F-Types in an Extended Temperature Range |
| Source: |
Труды НИИСИ РАН. 10:33-36 |
| Publisher Information: |
Federal Scientific Center Scientific Research Institute for Systems Research of the Russian Academy of Sciences, 2021. |
| Publication Year: |
2021 |
| Subject Terms: |
модель, BSIMSOI, высокая температура, 7. Clean energy, кольцевой генератор, КНИ |
| Description: |
Исследованы динамические и статические характеристики КНИ МОП транзисторов, с помощью измерений кольцевых генераторов, составленных из инверторов на транзисторах А- и F-типов с длиной канала 0,35 мкм, в расширенном диапазоне температур от минус 60 до плюс 300°С. Показана работоспособность кольцевых генераторов в рассматриваемом диапазоне температур, задержка на инвертор не превысила 86 пс для А-транзисторов и 144 пс для F-транзисторов, токи утечки не превысили 10-13 микроампер. Показана возможность моделирования динамических и статических характеристик транзисторов вплоть до температуры в 300°С с использованием модели BSIMSOI c максимальной относительной ошибкой в 6-11%. The dynamic and static characteristics of SOI MOS transistors were investigated using measurements of ring oscillators composed of inverters on A- and F-type transistors with a channel length of 0.35 um, in an extended temperature range from minus 60 to plus 300°C. The efficiency of ring oscillators in the considered temperature range is shown, the delay per inverter did not exceed 86 ps for A-transistors and 144 ps for F-transistors, leakage currents did not exceed 10-13 microamperes. The possibility of modeling the dynamic and static characteristics of transistors up to a temperature of 300°C using the BSIMSOI model with a maximum relative error of 6-11% is shown. |
| Document Type: |
Article |
| Language: |
Russian |
| ISSN: |
2225-7349 |
| DOI: |
10.25682/niisi.2020.5_6.0005 |
| Accession Number: |
edsair.doi...........8058c73936e8fce8b08823a7a0b60ddc |
| Database: |
OpenAIRE |