Conference
Polarized Raman scattering in strained GaN nanowires
| Title: | Polarized Raman scattering in strained GaN nanowires |
|---|---|
| Authors: | Sharov, Vladislav |
| Publisher Information: | St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2025. |
| Publication Year: | 2025 |
| Subject Terms: | Raman scattering, strain, nanowires, нитевидные нанокристаллы, Gallium nitride, комбинационное рассеяние света, упругие напряжения, GaN, нитрид галлия |
| Description: | Нитевидные нанокристаллы нитрида галлия являются важными компонентами для оптоэлектронных устройств УФ- и видимого диапазонов следующего поколения, производительность которых может быть повышена с помощью деформационной инженерии. Актуальным является исследование индуцированных упругими деформациями физических явлений в нитевидных нанокристаллах. В настоящей статье изучаются деформационные особенности спектра комбинационного рассеяния в отдельном горизонтально-лежащем нитевидном нанокристалле GaN, в котором упругая деформация была создана с помощью зонда атомно-силового микроскопа. Было проведено двумерное картирование сигнала комбинационного рассеяния с субмикронным пространственным разрешением в двух поляризационных конфигурациях. Форма и интенсивность мод комбинационного рассеяния были проанализированы с учетом уровня деформации и поляризации возбуждения. Была проведена оценка деформационного потенциала с помощью анализа вызванного деформацией уширения мод A1 и E2H. GaN nanowires are important building blocks for next-generation UV- and visible range optoelectronic devices whose performance can be boosted via strain engineering. This necessitates the investigation of physical phenomena in nanowires induced by elastic strains. The present paper studies deformation-induced features of Raman spectrum in individual horizontal GaN nanowire, in which elastic strain was created with AFM probe. Two-dimensional mapping of the Raman signal is carried out with submicron spatial resolution in two polarization configurations. The Raman modes shapes and intensities are analyzed with respect to strain level and polarization of excitation. Deformation potential constants of A1(TO) and E2H modes are estimated from strain-induced spectrum broadening. |
| Document Type: | Conference object |
| Language: | English |
| DOI: | 10.18721/jpm.181.114 |
| Accession Number: | edsair.doi...........4d1ade8da0782420f6ea95b15bddea04 |
| Database: | OpenAIRE |
Be the first to leave a comment!