Conference
Study of the band structure of GeSiSn/Ge/Si heterostructures by FTIR photoreflectance spectroscopy
| Τίτλος: | Study of the band structure of GeSiSn/Ge/Si heterostructures by FTIR photoreflectance spectroscopy |
|---|---|
| Συγγραφείς: | Chumanov, Ivan, Firsov, Dmitrii, Kolyada, Dmitry, Komkov, Oleg, Skvortsov, Ilya, Mashanov, Vladimir, Timofeev, Vyacheslav |
| Στοιχεία εκδότη: | St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2024. |
| Έτος έκδοσης: | 2024 |
| Θεματικοί όροι: | гетероструктуры, photoreflectance method, эпитаксия, epitaxy, silicon, semiconductors, фурье-спектроскопия, 7. Clean energy, метод фотоотражения, кремний, FTIR spectroscopy, полупроводники, solid solutions, heterostructures, твердые растворы |
| Περιγραφή: | The work demonstrates the use of photomodulation FTIR spectroscopy to study structures containing epitaxial layers of GeSn and GeSiSn in the temperature range of 11–180 K. The photoreflectance method has enabled observation of direct interband transitions, and evaluation of the impact of temperature variation and mechanical strain on their energy values. В работе продемонстрировано применение метода фотомодуляционной ИК фурье-спектроскопии для исследования структур, содержащих слои GeSn и GeSiSn в диапазоне температур 11–180 К. Метод фотоотражения позволил наблюдать прямые межзонные переходы, оценить влияние температуры и механических напряжений в структуре. |
| Τύπος εγγράφου: | Conference object |
| Γλώσσα: | English |
| DOI: | 10.18721/jpm.171.110 |
| Αριθμός Καταχώρησης: | edsair.doi...........1543d13f258a929e38b27f330de58550 |
| Βάση Δεδομένων: | OpenAIRE |
| DOI: | 10.18721/jpm.171.110 |
|---|