Προβολή σε EDS

Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Τίτλος: Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси
Συγγραφείς: Adamov, Roman, Petruk, Anton, Melentev, Grigorii, Sedova, Irina, Sorokin, Sergey, Makhov, Ivan, Firsov, Dmitry, Shalygin, Vadim
Στοιχεία εκδότη: St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2022.
Έτος έκδοσης: 2022
Θεματικοί όροι: terahertz radiation, AlGaAs, quantum well, GaAs, оптическая накачка, терагерцовое и инфракрасное излучение, квантовая яма, photoluminescence, фотолюминесценция, IR radiation, optical pumping
Περιγραφή: В работе проведены сравнительные исследования фотолюминесценции (ФЛ) ближнего ИК-диапазона в структурах с квантовыми ямами n GaAs/AlGaAs с различными профилями селективного легирования. Проанализированы спектры ФЛ, зарегистрированные при температуре 5 K для различной интенсивности межзонной оптической накачки, определены основные каналы излучательной рекомбинации. Получены зависимости интенсивности основных линий ФЛ от уровня накачки. Результаты проведенных исследования позволяют утверждать, что с точки зрения эффективности использования наноструктур GaAs/AlGaAs для генерации терагерцового излучения на примесных переходах, наиболее эффективны структуры с особым профилем легирования, когда компенсирующая акцепторная примесь располагается не в квантовой яме n-GaAs, а в формирующих ее барьерах.
In the paper, comparative studies of near-IR photoluminescence (PL) in structures with GaAs/AlGaAs quantum wells possessing different selective doping profiles have been performed. The PL spectra recorded at 5 K for different intensities of interband optical pumping were analyzed and main channels of radiative recombination were determined. The dependences of the main PL line intensities on the pump level were obtained. The results of the studies performed suggest that n-GaAs/AlGaAs nanostructures with the compensating acceptor impurity located not in the n-GaAs quantum well, but in its barriers, are preferable for terahertz radiation generation.
Τύπος εγγράφου: Other literature type
Γλώσσα: Russian
DOI: 10.18721/jpm.15402
Αριθμός Καταχώρησης: edsair.doi...........12c31a1c00d6ebd70fa8a04cbf378bc5
Βάση Δεδομένων: OpenAIRE
FullText Text:
  Availability: 0
Header DbId: edsair
DbLabel: OpenAIRE
An: edsair.doi...........12c31a1c00d6ebd70fa8a04cbf378bc5
RelevancyScore: 783
AccessLevel: 3
PubType:
PubTypeId: unknown
PreciseRelevancyScore: 783.017639160156
IllustrationInfo
Items – Name: Title
  Label: Title
  Group: Ti
  Data: Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси
– Name: Author
  Label: Authors
  Group: Au
  Data: <searchLink fieldCode="AR" term="%22Adamov%2C+Roman%22">Adamov, Roman</searchLink><br /><searchLink fieldCode="AR" term="%22Petruk%2C+Anton%22">Petruk, Anton</searchLink><br /><searchLink fieldCode="AR" term="%22Melentev%2C+Grigorii%22">Melentev, Grigorii</searchLink><br /><searchLink fieldCode="AR" term="%22Sedova%2C+Irina%22">Sedova, Irina</searchLink><br /><searchLink fieldCode="AR" term="%22Sorokin%2C+Sergey%22">Sorokin, Sergey</searchLink><br /><searchLink fieldCode="AR" term="%22Makhov%2C+Ivan%22">Makhov, Ivan</searchLink><br /><searchLink fieldCode="AR" term="%22Firsov%2C+Dmitry%22">Firsov, Dmitry</searchLink><br /><searchLink fieldCode="AR" term="%22Shalygin%2C+Vadim%22">Shalygin, Vadim</searchLink>
– Name: Publisher
  Label: Publisher Information
  Group: PubInfo
  Data: St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2022.
– Name: DatePubCY
  Label: Publication Year
  Group: Date
  Data: 2022
– Name: Subject
  Label: Subject Terms
  Group: Su
  Data: <searchLink fieldCode="DE" term="%22terahertz+radiation%22">terahertz radiation</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22AlGaAs%22">AlGaAs</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22quantum+well%22">quantum well</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22GaAs%22">GaAs</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22оптическая+накачка%22">оптическая накачка</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22терагерцовое+и+инфракрасное+излучение%22">терагерцовое и инфракрасное излучение</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22квантовая+яма%22">квантовая яма</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22photoluminescence%22">photoluminescence</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22фотолюминесценция%22">фотолюминесценция</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22IR+radiation%22">IR radiation</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22optical+pumping%22">optical pumping</searchLink>
– Name: Abstract
  Label: Description
  Group: Ab
  Data: В работе проведены сравнительные исследования фотолюминесценции (ФЛ) ближнего ИК-диапазона в структурах с квантовыми ямами n GaAs/AlGaAs с различными профилями селективного легирования. Проанализированы спектры ФЛ, зарегистрированные при температуре 5 K для различной интенсивности межзонной оптической накачки, определены основные каналы излучательной рекомбинации. Получены зависимости интенсивности основных линий ФЛ от уровня накачки. Результаты проведенных исследования позволяют утверждать, что с точки зрения эффективности использования наноструктур GaAs/AlGaAs для генерации терагерцового излучения на примесных переходах, наиболее эффективны структуры с особым профилем легирования, когда компенсирующая акцепторная примесь располагается не в квантовой яме n-GaAs, а в формирующих ее барьерах.<br />In the paper, comparative studies of near-IR photoluminescence (PL) in structures with GaAs/AlGaAs quantum wells possessing different selective doping profiles have been performed. The PL spectra recorded at 5 K for different intensities of interband optical pumping were analyzed and main channels of radiative recombination were determined. The dependences of the main PL line intensities on the pump level were obtained. The results of the studies performed suggest that n-GaAs/AlGaAs nanostructures with the compensating acceptor impurity located not in the n-GaAs quantum well, but in its barriers, are preferable for terahertz radiation generation.
– Name: TypeDocument
  Label: Document Type
  Group: TypDoc
  Data: Other literature type
– Name: Language
  Label: Language
  Group: Lang
  Data: Russian
– Name: DOI
  Label: DOI
  Group: ID
  Data: 10.18721/jpm.15402
– Name: AN
  Label: Accession Number
  Group: ID
  Data: edsair.doi...........12c31a1c00d6ebd70fa8a04cbf378bc5
PLink https://search.ebscohost.com/login.aspx?direct=true&site=eds-live&db=edsair&AN=edsair.doi...........12c31a1c00d6ebd70fa8a04cbf378bc5
RecordInfo BibRecord:
  BibEntity:
    Identifiers:
      – Type: doi
        Value: 10.18721/jpm.15402
    Languages:
      – Text: Russian
    Subjects:
      – SubjectFull: terahertz radiation
        Type: general
      – SubjectFull: AlGaAs
        Type: general
      – SubjectFull: quantum well
        Type: general
      – SubjectFull: GaAs
        Type: general
      – SubjectFull: оптическая накачка
        Type: general
      – SubjectFull: терагерцовое и инфракрасное излучение
        Type: general
      – SubjectFull: квантовая яма
        Type: general
      – SubjectFull: photoluminescence
        Type: general
      – SubjectFull: фотолюминесценция
        Type: general
      – SubjectFull: IR radiation
        Type: general
      – SubjectFull: optical pumping
        Type: general
    Titles:
      – TitleFull: Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси
        Type: main
  BibRelationships:
    HasContributorRelationships:
      – PersonEntity:
          Name:
            NameFull: Adamov, Roman
      – PersonEntity:
          Name:
            NameFull: Petruk, Anton
      – PersonEntity:
          Name:
            NameFull: Melentev, Grigorii
      – PersonEntity:
          Name:
            NameFull: Sedova, Irina
      – PersonEntity:
          Name:
            NameFull: Sorokin, Sergey
      – PersonEntity:
          Name:
            NameFull: Makhov, Ivan
      – PersonEntity:
          Name:
            NameFull: Firsov, Dmitry
      – PersonEntity:
          Name:
            NameFull: Shalygin, Vadim
    IsPartOfRelationships:
      – BibEntity:
          Dates:
            – D: 01
              M: 01
              Type: published
              Y: 2022
          Identifiers:
            – Type: issn-locals
              Value: edsair
ResultId 1