Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
| Τίτλος: |
Моделирование характеристик логических вентилей на симметричных двух затворных КНИ КМОП нанотранзисторах с ассиметрично-легированной рабочей областью |
| Πηγή: |
Труды НИИСИ РАН. 7:132-140 |
| Στοιχεία εκδότη: |
Federal Scientific Center Scientific Research Institute for Systems Research of the Russian Academy of Sciences, 2017. |
| Έτος έκδοσης: |
2017 |
| Θεματικοί όροι: |
симметричный двух затворный КНИ КМОП нанотранзистор, градиентно-легированная рабочая область, вольт-амперные характеристики, низкая потребляемая мощность, логический вентиль, 2D уравнение Пуассона |
| Περιγραφή: |
При помощи численного моделирования исследуются характеристики логических вентилей, в частности инвертора, на суб-25 нм симметричных двух затворных КНИ КМОП нанотранзисторах с ассиметрично-легированной рабочей областью при напряжении питания менее 1 В. Используется вариант ассиметричного канала (считая от истока): высоколегированная и низколегированная области. Рассматривается математическая модель для распределения потенциала в рабочей области транзистора вытекающая из аналитического решения 2D уравнения Пуассона. Для моделирования вольт-амперных характеристик использовалась сформулированная в рамках зарядового разделения апробированная токовая модель с учетом модифицированного выражения для скорости насыщения. Для моделирования динамических характеристик инвертора, выполненных на выбранных транзисторах, использовалось математическое ядро программы HSPICE. |
| Τύπος εγγράφου: |
Article |
| Γλώσσα: |
Russian |
| ISSN: |
2225-7349 |
| DOI: |
10.25682/niisi.2017.2.10021 |
| Αριθμός Καταχώρησης: |
edsair.doi...........0f498c60a5a33c7b78b233a58ea87b25 |
| Βάση Δεδομένων: |
OpenAIRE |