Specific features of defect formation in the n­Si single crystals at electron irradiation

Authors: Luniov, Sergiy, Zimych, Andriy, Khvyshchun, Mykola, Yevsiuk, Mykola, Maslyuk, Volodymyr

Source: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 12 (96) (2018): Materials Science; 35-42
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 12 (96) (2018): Материаловедение; 35-42
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 12 (96) (2018): Матеріалознавство; 35-42

Subject Terms: silicon single crystals, infrared Fourier spectroscopy, Hall effect, uniaxial pressure, radiation defects, deep energy levels, монокристали кремнію, інфрачервона Фур'є-спектроскопія, ефект Холла, одновісний тиск, радіаційні дефекти, глибокі енергетичні рівні, 0103 physical sciences, 0211 other engineering and technologies, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, 02 engineering and technology, монокристаллы кремния, инфракрасная Фурье-спектроскопия, эффект Холла, одноосное давление, радиационные дефекты, глубокие энергетические уровни, 0210 nano-technology, UDC 621.315.592, 01 natural sciences

File Description: application/pdf

Access URL: http://journals.uran.ua/eejet/article/download/150959/152822
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/150959
http://journals.uran.ua/eejet/article/download/150959/152822
https://www.neliti.com/publications/307930/specific-features-of-defect-formation-in-the-nsi-single-crystals-at-electron-irr
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/150959

TECHNOLOGY FOR OBTAINING A SENSITIVE ELEMENT FOR AN INFRARED RADIATION SENSOR ; ТЕХНОЛОГІЯ ОДЕРЖАННЯ ЧУТЛИВОГО ЕЛЕМЕНТА ДЛЯ ДАТЧИКА ІНФРАЧЕРВОНОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ

Authors: С.В. Луньов, Ю.А. Удовицька, М.В. Хвищун, С.А. Мороз, В.Т. Маслюк

Source: Perspective technologies and devices; No 14 (2019): Perspective technologies and devices; 77-81 ; Перспективні технології та прилади; № 14 (2019): Перспективні технології та придади; 77-81 ; 2313-5352 ; 10.36910/6775-2313-5352-2019-14

Subject Terms: silicon single crystals, radiation defects, photosensitivity, A-centers, Fourier infrared spectroscopy, Hall effect, Ключові слова: монокристали кремнію, радіаційні дефекти, фоточутливість, А-центри, інфрачервона Фур’є-спектроскопія, ефект Холла

File Description: application/pdf

Relation: https://eforum.lntu.edu.ua/index.php/jurnal/article/view/115/221; https://eforum.lntu.edu.ua/index.php/jurnal/article/view/115

Availability: https://eforum.lntu.edu.ua/index.php/jurnal/article/view/115
https://doi.org/10.36910/6775-2313-5352-2019-14-13

Effect of the Porous Silicon Layer Structure on Gas Adsorption

Authors: Oksanich, A.P., Pritchin, S.E., Mashchenko, M.A., Bobryshev, A.Yu.

Source: Journal of Nano- and Electronic Physics. 12:04020-1

Subject Terms: інфрачервона Фур'є спектроскопія, porous layer, FTIR spectroscopy, sensor, 13. Climate action, поруватий шар, сенсор, silicon, кремній, 7. Clean energy

File Description: application/pdf

Access URL: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/79494

Effect of the Porous Silicon Layer Structure on Gas Adsorption ; Вплив структури поруватого шару кремнію на адсорбцію газів

Authors: Oksanich, A.P., Pritchin, S.E., Mashchenko, M.A., Bobryshev, A.Yu.

Subject Terms: поруватий шар, сенсор, кремній, інфрачервона Фур’є спектроскопія, porous layer, sensor, silicon, FTIR spectroscopy

File Description: application/pdf

Relation: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/79494

Availability: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/79494