Увеличение диапазона резистивного переключения мемристора для реализации большего числа синаптических состояний в нейропроцессоре ; Increase of switching range of resistive memristor for realization of a greater number of synaptic states in a neuroprocessor

Authors: Бобылев, А. Н., Удовиченко, С. Ю., Бусыгин, А. Н., Ибрагим, А. Х., Bobylev, A. N., Udovichenko, S. Yu., Busygin, A. N., Ebrahim, A. H.

Subject Terms: нейропроцессор, энергонезависимая резистивная память, резистивные переключения, синаптические состояния, нанотехнология, мемристор, смешанные оксиды металлов, neuroprocessor, non-volatile resistive memory, resistance switching, synaptic states, nanotechnology, memristor, mixed metal oxides

File Description: application/pdf

Relation: Вестник Тюменского государственного университета: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика; https://openrepository.ru/article?id=360099

Availability: https://doi.org/10.21684/2411-7978-2019-5-2-124-136
https://openrepository.ru/article?id=360099