-
1Academic Journal
Συγγραφείς: Pavlovskyi, Oleksii, Kotelnikova, Oleksandra
Πηγή: Вісник Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут". Серія Приладобудування; № 55(1) (2018); 89-93
Вестник Национального технического университета Украины "Киевский политехнический институт". Серия приборостроение; № 55(1) (2018); 89-93
Bulletin of National Technical University of Ukraine "Kyiv Polytechnic Institute". Series Instrument Making; № 55(1) (2018); 89-93Θεματικοί όροι: енергонезалежна пам'ять, Detailed Marginal Read тест, оцінка стану пам'яті, non-volatile memory, Detailed Marginal Read test, memory evaluation, энергонезависимая память, оценка состояния памяти
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
-
2Academic Journal
Συγγραφείς: S. D. Kuznetsov
Πηγή: Труды Института системного программирования РАН, Vol 29, Iss 2, Pp 117-160 (2018)
Θεματικοί όροι: отчеты исследовательского сообщества баз данных, технологические прогнозы, анализ данных, машина баз данных, sql, манифесты будущих систем баз данных, масштабируемость, неоднородность, распределенность, хранилище данных, расширяемость, оптимизация запросов, самонастраиваемость, ssd, энергонезависимая память, пространство данных, большие данные, Electronic computers. Computer science, QA75.5-76.95
Περιγραφή αρχείου: electronic resource
Relation: https://ispranproceedings.elpub.ru/jour/article/view/255; https://doaj.org/toc/2079-8156; https://doaj.org/toc/2220-6426
Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/2f86b63a80fd4f579b3c515e9c2008f1
-
3
-
4Academic Journal
Συγγραφείς: Кичак, В. М., Слободян, І. В., Вовк, В. Л.
Πηγή: Visnyk of Vinnytsia Politechnical Institute; No. 4 (2019); 116-123 ; Вестник Винницкого политехнического института; № 4 (2019); 116-123 ; Вісник Вінницького політехнічного інституту; № 4 (2019); 116-123 ; 1997-9274 ; 1997-9266 ; 10.31649/1997-9266-2019-145-4
Θεματικοί όροι: chalcogenide glassy semiconductors, radiation stability, dose of irradiation, non-volatile storage, access memory, phase transition, amorphus semiconductors, threshold voltage, physical model of the memory cell, switching delay time, халькогенидные стекловидные полупроводники, радиационная устойчивость, энергонезависимая память, фазовые переходы, аморфные полупроводники, доза облучения, пороговое напряжение, физическая модель ячейки памяти, время задержки переключения, халькогенідні склоподібні напівпровідники, радіаційна стійкість, енергонезалежна пам'ять, фазові переходи, аморфні напівпровідники, доза опромінення, порогова напруга, фізична модель комірки пам’яті, час затримки перемикання
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
Relation: https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2394/2313; https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2394
-
5Academic Journal
Συγγραφείς: Demid S. Abramkin, Victor V. Atuchin
Πηγή: Nanomaterials (Basel)
Nanomaterials, Vol 12, Iss 21, p 3794 (2022)
Nanomaterials; Volume 12; Issue 21; Pages: 3794
Nanomaterials. 2022. Vol. 12, № 21. P. 3794 (1-20)Θεματικοί όροι: QD-Flash, self-assembled quantum dots, quantum dots memories, non-volatile memories, universal memories, hole localization, quaternary alloy, strain, самособирающиеся квантовые точки, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, Article, Chemistry, 0103 physical sciences, память квантовых точек, энергонезависимая память, 0210 nano-technology, QD1-999
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
-
6Academic Journal
Συγγραφείς: Окоджи, Д.Э., Голосов, Д.А., Мельников, С.Н., Завадский, С.М., Колос, В.В., Поплевка, Е.А., Жукович, Ю.А., Okojie, J.E., Golosov, D.A., Melnikov, S.N., Zavadski, S.M., Kolos, V.V., Poplevka, E.A., Zhukovich, Yu.A.
Θεματικοί όροι: энергонезависимая память, FeRAM, сегнетоэлектрики, танталат стронция-висмута, SBT, ВЧ магнетронное распыление, non-volatile memory, ferroelectric, strontium-bismuth tantalate, HF magnetron sputtering
Relation: http://rour.neicon.ru:80/xmlui/bitstream/rour/205041/1/nora.pdf; 621.3.049.77: 621.793; https://openrepository.ru/article?id=205041
Διαθεσιμότητα: https://openrepository.ru/article?id=205041
-
7Academic Journal
Συγγραφείς: Сидский, В.В., Семченко, А.В., Колос, В.В., Петлицкий, А.Н., Солодуха, В.А., Ковальчук, Н.С.
Θεματικοί όροι: сегнетоэлектрики, энергонезависимая память, золь-гель метод, структура перовскита, кристаллизационный и восстановительный отжиг, конденсаторный слой, дефекты, остаточная поляризация, SBTN-пленка
Relation: http://rour.neicon.ru:80/xmlui/bitstream/rour/203160/1/nora.pdf; 661.862; https://openrepository.ru/article?id=203160
Διαθεσιμότητα: https://openrepository.ru/article?id=203160
-
8Academic Journal
Συνεισφορές: ELAKPI
Θεματικοί όροι: Detailed Marginal Read тест, non-volatile memory, оценка состояния памяти, енергонезалежна пам'ять, оцінка стану пам'яті, Detailed Marginal Read test, memory evaluation, энергонезависимая память
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/32861
-
9Academic Journal
Συγγραφείς: Okojie, J.E., Golosov, D.A., Melnikov, S.N., Zavadski, S.M., Kolos, V.V., Poplevka, E.A., Zhukovich, Yu.A.
Θεματικοί όροι: non-volatile memory, FeRAM, сегнетоэлектрики, ВЧ магнетронное распыление, HF magnetron sputtering, SBT, ferroelectric, танталат стронция-висмута, энергонезависимая память, strontium-bismuth tantalate
Σύνδεσμος πρόσβασης: https://openrepository.ru/article?id=205041
-
10Academic Journal
Συγγραφείς: Маевский, О. В., Писарев, А. Д., Бусыгин, А. Н., Удовиченко, С. Ю., Maevsky, O. V., Pisarev, A. D., Busygin,A. N., Udovichenko, S.Yu.
Θεματικοί όροι: programmable logic array, non-volatile memory, neuroprocessor, storage device, commutator, logic circuit, memristor, запоминающее устройство, коммутатор, логическая схема, мемристор, энергонезависимая память, программируемая логическая матрица, нейропроцессор
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
Relation: Вестник Тюменского государственного университета: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика; https://openrepository.ru/article?id=360455
-
11Academic Journal
-
12Academic Journal
Συγγραφείς: Ермаков, Игорь, Шелепин, Николай
Θεματικοί όροι: КМОП, R-S-ТРИГГЕР, D-ТРИГГЕР, СДВИГОВЫЙ РЕГИСТР, ЭСППЗУ, ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ
Περιγραφή αρχείου: text/html
-
13Academic Journal
Συγγραφείς: Plebanovich, V. I., Borovikov, S. M., Shneiderov, E. N., Burak, I. A.
Θεματικοί όροι: время хранения информации, отключение питания, information storage time, power is turned off, энергонезависимая память, интегральные микросхемы, integrated circuits, EEPROM, доклады БГУИР
Σύνδεσμος πρόσβασης: https://openrepository.ru/article?id=208928
-
14Academic Journal
Συγγραφείς: Храповицкая, Ю., Маслова, Н., Занавескин, М.
Περιγραφή αρχείου: text/html
-
15Academic Journal
Συγγραφείς: Калашников, Г., Ковалев, А., Бирюков, М.
Θεματικοί όροι: МЕМРИСТОР, ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ, ТОПОЛОГИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
Περιγραφή αρχείου: text/html
-
16Academic Journal
Θεματικοί όροι: материалы конференций, микроконтроллер, энергонезависимая память устройства
Σύνδεσμος πρόσβασης: https://openrepository.ru/article?id=210476
-
17Academic Journal
Πηγή: Инженерный вестник Дона.
Περιγραφή αρχείου: text/html
-
18Academic Journal
Πηγή: Наука и образование: научное издание МГТУ им. Н.Э. Баумана.
Περιγραφή αρχείου: text/html
-
19Academic Journal
Πηγή: Фундаментальные исследования.
Θεματικοί όροι: 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, МЕМРИСТОР, ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ, ТОПОЛОГИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, 02 engineering and technology
Περιγραφή αρχείου: text/html
-
20Academic Journal
Συγγραφείς: Слабый, К. Г., Пащенко, А. Г.
Θεματικοί όροι: Энергонезависимая память, структурный элемент
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
Relation: Слабый К. Г. Энергонезависимая память с использованием квантовых точек в качестве структурного элемента / К. Г. Слабый, А. Г. Пащенко // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : зб. тез. доп. ХХІІI Харків. конф. молодих науковців, 16–18 квіт. 2019 р. – Харків, 2019. – С. 97.; http://openarchive.nure.ua/handle/document/9107
Διαθεσιμότητα: http://openarchive.nure.ua/handle/document/9107