-
1Academic Journal
Συγγραφείς: N. L. Lagunovich, Н. Л. Лагунович
Πηγή: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physical-technical series; Том 69, № 4 (2024); 329-339 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук; Том 69, № 4 (2024); 329-339 ; 2524-244X ; 1561-8358 ; 10.29235/1561-8358-2024-69-4
Θεματικοί όροι: вольт-амперная характеристика, device-process simulation, coordinate system, technological process, constructive-technological parameter, electrophysical parameter, volt-ampere characteristic, приборно-технологическое моделирование, система координат, технологический процесс, конструктивно-технологический параметр, электрофизический параметр
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
Relation: https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/868/685; МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / П. Антонетти [и др.]; под общ. ред. П. Антонетти. – М.: Радио и связь, 1988. – 490 с.; Абрамов, И. И. Лекции по моделированию элементов интегральных схем / И. И. Абрамов. – М.; Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2005. – 152 с.; Зи, С. Физика полупроводниковых приборов: в 2 кн.: пер. с англ. / С. Зи. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Мир, 1984. – Кн. 1. – 456 с.; Маллер, Р. Элементы интегральных схем / Р. Маллер, Т. Кейминс. – М.: Мир, 1989. – 630 с.; Дудар, Н. Л. Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В / Н. Л. Дудар, В. С. Сякерский, Н. Н. Корытко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2009. – № 3. – С. 10–12.; Дудар, Н. Л. Приборно-технологическое моделирование дискретного кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 Вольт / Н. Л. Дудар, В. М. Борздов // Электроника-инфо. – 2011. – № 2. – С. 77–80.; Лагунович, Н. Л. Моделирование влияния типа эпитаксиальной пленки на электрические характеристики высоковольтных кремниевых диодов / Н. Л. Лагунович, А. С. Турцевич, В. М. Борздов, // Вес. Нац. акад. навук Беларусi. Сер. фiз.-тэхн. навук. – 2015. – № 2. – С. 98–102.; Лагунович, Н. Л. Моделирование высоковольтного кремниевого диода, построение зависимостей его плотности тока от температуры / Н. Л. Лагунович // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем: сб. тр. IХ Всерос. науч.-техн. конф., Москва, 5–8 окт., 2020 г.: в 4 вып. – М., 2020. – Вып. 2. – С. 22–28.; Dudar, N. L. The Simulation of PNP-Transistor as an Element of High-Voltage Integrated Circuits by Various Parameters of Epitaxial Film / N. L. Dudar, V. M. Borzdov // 8th Proc. of IEEE East-West Desighn & Test Symposium, St. Petersburg, Russia, September 17–20, 2010. – P. 262–263.; https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/868