Study of the influence of treatment on the strength of undoped indium antimonide single-crystal plates ; Исследование влияния вида обработки на прочность монокристаллических пластин нелегированного антимонида индия

Authors: S. S. Kormilitsina, E. V. Molodtsova, S. N. Knyzev, R. Yu. Kozlov, D. A. Zavrazhin, E. V. Zharikova, Yu. V. Syrov, С. С. Кормилицина, Е. В. Молодцова, С. Н. Князев, Р. Ю. Козлов, Д. А. Завражин, Е. В. Жарикова, Ю. В. Сыров

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 24, № 1 (2021); 48-56 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 24, № 1 (2021); 48-56 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2021-1

Subject Terms: шероховатость пластин, Czochralski method, thin plates, tensile strength, machining, chemical polishing, crystallographic orientation, plate roughness, метод Чохральского, тонкие пластины, предел прочности, механическая обработка, химическая полировка, кристаллографическая ориентация

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/390/332; Гринченко Л. Я., Пономаренко В. П., Филачев А. М. Современное состояние и перспективы ИК-фотоэлектроники // Прикладная физика. 2009. № 2. С. 57—62.; Intel and QinetiQ Collaborate on Transistor Research. URL: http://www.intel.com/pressroom/arihive/releass/2005/20050208corp.htm (дата обращения: 28.10.2020).; Обухов И. А., Горох Г. Г., Лозовенко А. А., Смирнова Е. А. Матрицы нанопроводов из антимонида индия и их применения для генерации СВЧ-излучения // Наноиндустрия. 2017. Т. 77, № 6. С. 96—108. DOI:10.22184/1993-8578.2017.77.6.96.108; Electronics and Materials Corporation limited. URL: http://eandmint.co.jp/eng/wafer/product_detail/product_insb.html (дата обращения: 28.10.2020).; Trail: Wafer Technology Ltd. URL: http://www.wafertech. co.uk (дата обращения: 28.10.2020).; MTI Corporation. URL: http://www.mtixtl.com/ (дата обращения: 28.10.2020).; Galaxy Compound Semiconductors, Inc. URL: http://www.galaxywafer.com/ (дата обращения: 28.10.2020).; Xiamen Powerway Advanced Material Co, Ltd. URL: https://www.powerwaywafer.com/compound-semiconductor/insb-wafer.html (дата обращения: 28.10.2020).; Акчурин Р. Х., Мармалюк А. А. МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники. М.: Техносфера, 2018. 488 с.; Горелик С. С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков: учебник для вузов. М.: МИСИС, 2003. 480 с.; Ежлов В. С., Мильвидская А. Г., Молодцова Е. В., Колчина Г. П., Меженный М. В., Резник В. Я. Исследование свойств крупногабаритных монокристаллов антимонида индия, выращенных методом Чохральского в кристаллографическом направлении [100] // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2012. № 2. С. 13—17. DOI:10.17073/1609-3577-2012-2-13-17; Мильвидский М. Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.: Наука, 1986. 143 с.; Болтарь К. О., Власов П. В., Ерошенков В. В., Лопухин А. А. Исследование фотодиодов с токами утечки в матричных фотоприемниках на основе антимонида индия // Прикладная физика. 2014. № 4. С. 45—50.; Бирюков Н. В., Хохлов А. И., Теплова Т. Б., Лапшин И. В. Влияние неравномерного трещиноватого слоя поверхности обработанных пластин хрупких материалов на качество готовых изделий // Горный информационно-аналитический бюллетень (научно-технический журнал). 2018. № 8. С. 26—35. DOI:10.25018/0236-1493-2018-8-0-26-35; Захаров Б. Г. Исследование и разработка технологии и способов получения подложек и эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов с высоким структурным совершенством: дис. … д-ра техн. наук. Калуга, 1984. 423 с.; Мильвидский М. Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. 256 с.; Пат. 2482228 (РФ). Способ получения крупногабаритных кристаллов антимонида индия InSb / В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, Г. П. Колчина, М. В. Меженный, В. Я. Резник, 2012.; Фост Дж. Травление cоединений AIIIBV / В кн.: Травление полупроводников. М.: Мир, 1965. 382 с. (С. 202—264); Амелинкс С. Методы прямого наблюдения дислокаций. М.: Мир, 1968. 440 с.; van der Pauw L. J. A method of measuring specific resistivity and Hall effect of discs of arbitrary shape // Philips Res. Rep. 1958. V. 13. P. 220—224. URL: http://electron.mit.edu/~gsteele/vanderpauw/vanderpauw.pdf; Фаттахов Э. А., Концевой Ю. А., Литвинов Ю. М. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982. 239 с.; Мальков О. В., Литвиненко А. В. Измерение параметров шероховатости поверхности детали: метод. указания. М.: МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2012. 22 с.; Хусу А. П., Витенберг Ю. Р., Пальмов В. А. Шероховатость поверхностей (теоретико-вероятностный подход). М.: Наука, 1975. 344 с.; Назаров Ю. Ф., Шкилько А. М., Тихоненко В. В., Компанеец И. В. Методы исследования и контроля шероховатости поверхности металлов и сплавов // Физическая инженерия поверхности. 2007. Т. 5, № 3–4. С. 207—216.; Карбань В. И., Борзанов Ю. И. Обработка монокристаллов в микроэлектронике. М.: Радио и связь, 1988. 104 с.; https://met.misis.ru/jour/article/view/390

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/390
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-1-48-56

Использование методов атомно-силовой микроскопии для изучения топографии поверхности кремниевых пластин: бакалаврская работа

Subject Terms: пирамидоидальные структуры, шероховатость пластин, Микроскопия, атомно-силовая микроскопия, Кремний, Пластины