Влияние физических параметров на ВАХ цилиндрических КНИ КМОП нанотранзисторов с полностью охватывающим затвором: Effects of the Physical Parameters on the I-V Data of Cylindrical Surrounding Gate SOI CMOS Nanotransistor

Πηγή: Труды НИИСИ РАН. 11:15-19

Θεματικοί όροι: цилиндрическая рабочая область, вольт-амперные характеристики, нанотранзистор, моделирование, кремний на изоляторе