Improvement of Radiation Stability of Energy-dependent Storage Devices Based on Chalcogenide Glassy Semiconductors ; Повышение радиационной устойчивости энергонезависимых запоминающих устройств на базе халькогенидных стеклообразных полупроводников ; ПІДВИЩЕННЯ РАДІАЦІЙНОЇ СТІЙКОСТІ ЕНЕРГОНЕЗАЛЕЖНИХ ЗАПАМ’ЯТОВУВАЛЬНИХ ПРИСТРОЇВ НА БАЗІ ХАЛЬКОГЕНІДНИХ СКЛОПОДІБНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ

Συγγραφείς: Кичак, В. М., Слободян, І. В., Вовк, В. Л.

Πηγή: Visnyk of Vinnytsia Politechnical Institute; No. 4 (2019); 116-123 ; Вестник Винницкого политехнического института; № 4 (2019); 116-123 ; Вісник Вінницького політехнічного інституту; № 4 (2019); 116-123 ; 1997-9274 ; 1997-9266 ; 10.31649/1997-9266-2019-145-4

Θεματικοί όροι: chalcogenide glassy semiconductors, radiation stability, dose of irradiation, non-volatile storage, access memory, phase transition, amorphus semiconductors, threshold voltage, physical model of the memory cell, switching delay time, халькогенидные стекловидные полупроводники, радиационная устойчивость, энергонезависимая память, фазовые переходы, аморфные полупроводники, доза облучения, пороговое напряжение, физическая модель ячейки памяти, время задержки переключения, халькогенідні склоподібні напівпровідники, радіаційна стійкість, енергонезалежна пам'ять, фазові переходи, аморфні напівпровідники, доза опромінення, порогова напруга, фізична модель комірки пам’яті, час затримки перемикання

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2394/2313; https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2394

Διαθεσιμότητα: https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2394
https://doi.org/10.31649/1997-9266-2019-145-4-116-123