МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ПРИЕМНИКОВ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С АНОМАЛЬНЫМ ФОТОНАПРЯЖЕНИЕМ

Subject Terms: АФН-пленка, приемники оптического излучения (ПОИ), координатно-чувствительные ПОИ, фотонапряжения, р-n-переход

МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ПРИЕМНИКОВ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С АНОМАЛЬНЫМ ФОТОНАПРЯЖЕНИЕМ

Subject Terms: АФН-пленка, приемники оптического излучения (ПОИ), координатно-чувствительные ПОИ, фотонапряжения, р-n-переход

Перспективы применения элементов с аномальными фотовольтаическими напряжениями

Subject Terms: аномальное фотонапряжение (АФН), вольт-амперные характеристики, спектры фотонапряжения, люкс-вольтовые характеристики

Перспективы применения элементов с аномальными фотовольтаическими напряжениями

Subject Terms: аномальное фотонапряжение (АФН), вольт-амперные характеристики, спектры фотонапряжения, люкс-вольтовые характеристики

Оптоэлектронное измерение сильных токов и сильных магнитных полей

Subject Terms: фотонапряжения, микрокристалл, гетерогенная структурa, магнитная поля, высокоэффективность, p-n-переход, функциональность

Оптоэлектронное измерение сильных токов и сильных магнитных полей

Subject Terms: фотонапряжения, микрокристалл, гетерогенная структурa, магнитная поля, высокоэффективность, p-n-переход, функциональность

INFLUENCE OF REFLECTION OF PHOTOELECTRONS FROM THE SURFACE PHOTO-EMF IN THIN SEMICONDUCTOR FILMS AND COMPARE IT WITH THE BULK PHOTO-EMF ; ВЛИЯНИЕ ОТРАЖЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРОНОВ ОТ ПОВЕРХНОСТИ НА ФОТОЭДС В ТОНКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ И СРАВНЕНИЕ ЕЕ С ОБЪЕМНОЙ ФОТОЭДС

Authors: G. Gulyams, M. G. Dadamirzayev, N. Yu. Sharibaev, Г. Гулямов, М. Г. Дадамирзаев, Н. Ю. Шарибаев

Source: Alternative Energy and Ecology (ISJAEE); № 21 (2015); 20-23 ; Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE); № 21 (2015); 20-23 ; 1608-8298

Subject Terms: коэффициент поглощения света, thin films, the mean free path, the voltage, reactive currents, the photo-EMF, oblique sputtered film, the EMF Dember, the intensity of light, the light absorption coefficient, тонкие пленки, длина свободного пробега, фотонапряжения, реактивные токи, фотоЭДС, косонапыленные пленки, ЭДС Дембера, интенсивность света

File Description: application/pdf

Relation: https://www.isjaee.com/jour/article/view/195/199; Рахимов Н.Р., Серьезнов А.Н. АФН пленки и их применение. Монография. Новосибирск: Изд-во «Новосибирск», 2005.; Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. В 2-х т. М.: Мир, 1984.; Адирович Э.И., Рубинов В.И., Юабов Ю.М. О природе АФН эффекта // ДАН СССР. 1966. Т. 168. С. 1037.; Безногов М.В., Сурис Р.А. Теория баллистических токов, ограниченных объемным зарядом, в наноструктурах разной размерности // Физика и техника полупроводников (Санкт Петербург). 2013. Т. 47, № 4. С. 493-502.; Саченко А.В., Снитко О.В. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников. Киев: Наукова думка, 1984.; Белиничер В.И., Рывкин С.М. Реактивная фотоэлектродвижущая сила в полупроводниках // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1981. № 10. С. 353-360.; Ивченко Е.Л., Пикус Г.Е. Фотогальванические эффекты в полупроводниках // Сб. статей: Проблемы современной физики. Л.: Наука, 1980. С. 275-293.; Гулямов Г., Бойдедаев С.Р., Дадамирзаев М.Г., Гулямов А. Аномально большие фотонапряжения в полупроводниковых пленках, обусловленные реактивной фотоЭДС // Альтернативная энергетика и экология – ISJAEE. 2007. № 5(49). С. 103-107.; Гулямов Г., Дадамирзаев М.Г., Гулямов А. Реактив ЭЮК ни Дембер ЭЮК билан солиштириш // Рост, свойства и применение кристаллов: Тез. докл. респ. науч. конф. 11-12 апреля 2008. Андижан, 2008. С. 138.; Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977.; https://www.isjaee.com/jour/article/view/195

Availability: https://www.isjaee.com/jour/article/view/195
https://doi.org/10.15518/isjaee.2015.21.002