Influence of disordering in InAsSbP barrier layers on the characteristics of InAsSb-based LEDs

Συγγραφείς: Kirilenko, Iaroslav, Ruzhevich, Maxim, Romanov, Viacheslav, Moiseev, Konstantin, Dorogov, Maksim, Tomkovich, Mariia, Firsov, Dmitrii, Chumanov, Ivan, Komkov, Oleg, Mynbaev, Karim

Θεματικοί όροι: гетероструктуры, solid solutions, heterostructures, InAsSbP, chemical composition, photoluminescence, химический состав, фотолюминесценция, твердые растворы

Стеклокристаллические материалы для высокомощных светоизлучающих устройств белого цвета свечения на основе лазерных диодов

Θεματικοί όροι: термообработка стекол, люминесценция термообработанных стекол, светодиоды, белый цвет свечения, светоизлучающие устройства, фотолюминесценция, стеклокристаллические материалы, светодиодное освещение

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/69096

Природа центров окраски силикатных стекол при введении добавок оксидов церия и титана

Θεματικοί όροι: оптическая спектроскопия, фотоэлектронная спектроскопия, светофильтры, силикатные стекла, оксид титана, фотолюминесценция, оксид церия

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/69044

Electroluminescence of new coordination compounds of europium ions with β-diketones, acetic and butyric acids

Συγγραφείς: A. V. Osadchenko, S. A. Ambrozevich, I. A. Zakharchuk, A. A. Vashchenko, D. S. Daibagya, A. V. Ryzhov, D. N. Pevtsov, N. V. Pevtsov, A. S. Selyukov

Πηγή: Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, Vol 24, Iss 4, Pp 571-577 (2024)

Θεματικοί όροι: фотолюминесценция, электролюминесценция, oled, европий, eu3+, β-дикетоны, координационные соединения, уксусная кислота, масляная кислота, Information technology, T58.5-58.64

Περιγραφή αρχείου: electronic resource

Relation: https://ntv.elpub.ru/jour/article/view/211; https://doaj.org/toc/2226-1494; https://doaj.org/toc/2500-0373

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/28a575f3ae7a4bd49434328d4789b7ff

Spectral and kinetic characteristics of ultrathin cadmium selenide nanoscrolls

Συγγραφείς: D. S. Daibagya

Πηγή: Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, Vol 23, Iss 5, Pp 920-926 (2024)

Θεματικοί όροι: фотолюминесценция, наночастицы, наносвитки, селенид кадмия, цветовые координаты, чистота цвета, цветовая температура, Information technology, T58.5-58.64

Περιγραφή αρχείου: electronic resource

Relation: https://ntv.elpub.ru/jour/article/view/121; https://doaj.org/toc/2226-1494; https://doaj.org/toc/2500-0373

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/b6dbad144c814dd080a05951f5ad53b8

Luminescent and colorimetric properties of silica-coated spherical cadmium telluride nanocrystals in an external electric field

Συγγραφείς: D. S. Daibagya, S. A. Ambrozevich, I. A. Zakharchuk, A. V. Osadchenko, A. S. Selyukov

Πηγή: Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, Vol 24, Iss 3, Pp 406-414 (2024)

Θεματικοί όροι: фотолюминесценция, теллурид кадмия, диоксид кремния, квантовые точки, электрическое поле, колориметрия, Information technology, T58.5-58.64

Περιγραφή αρχείου: electronic resource

Relation: https://ntv.elpub.ru/jour/article/view/299; https://doaj.org/toc/2226-1494; https://doaj.org/toc/2500-0373

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/a71aced9e4a14d1b9225f7a480268c0c

Lithium tetraborate co-doping with transition and alkali metals

Συγγραφείς: I. А. Zakharchuk, D. S. Daibagya, A. V. Osadchenko, M. I. Danilkin, S. A. Ambrozevich, A. S. Selyukov

Πηγή: Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, Vol 24, Iss 3, Pp 431-437 (2024)

Θεματικοί όροι: фотолюминесценция, катодолюминесценция, термически стимулированная люминесценция, тетраборат лития, легирование, тканеэквивалентность, Information technology, T58.5-58.64

Περιγραφή αρχείου: electronic resource

Relation: https://ntv.elpub.ru/jour/article/view/302; https://doaj.org/toc/2226-1494; https://doaj.org/toc/2500-0373

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/853cbf19a3b945a8b72e6a2e8ce62854

Photoelectric properties of thin films ZnO based on silicon ; Фотоэлектрические свойства тонких пленок ZnO на основе кремния

Συγγραφείς: S. Z. Zaynobidinov, X. J. Mansurov, A. Yu. Boboev, H. A. Makhmudov, M. B. Rasulova, С. З. Зайнабидинов, Х. Ж. Мансуров, А. Й. Бобоев, Х. А. Махмудов, М. Б. Расулова

Πηγή: Alternative Energy and Ecology (ISJAEE); № 10 (2024); 90-99 ; Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE); № 10 (2024); 90-99 ; 1608-8298

Θεματικοί όροι: примесь, silicon, spray pyrolysis, sol-gel, photoluminescence, converter, injection depletion, impurity, кремний, спрей-пиролиз, золь-гель, фотолюминесценция, преобразователь, инжекционное обеднение

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://www.isjaee.com/jour/article/view/2526/2050; Мейтин М. Фотовальтаика: материалы, технологии, перспективы // Электроника: наука, технология, бизнес, 2000, № 6, 40-46 с.; Arvind Shah. Thin-film silicon solar cells // EPFL Press, 2010, 430 p.; S. Zainabidinov, S. I. Rembeza, E. S. Rembeza and Sh. Kh. Yulchiev. Prospects for the Use of Metal-Oxide Semiconductors in Energy Converters // Applied Solar Energy, vol. 55, no. 1, pp. 5-7, 2019.; Кушнир В. В. Оптимизация конструкции пленочного солнечного элемента // Известия ЮФУ. Технические науки. Тематический выпуск. – 2011, № 4(117), с. 225-228.; L. Luo, Y. Zhang, S. S. Mao, L. Lin. ZnO nanowires, based UV photodiodes, in: Proceedings of 18th IEEE MEMS Conference, Miami, 2005, pp. 427-430.; R. I Badran [et al]. Fabrication of Heterojunction Diode Based on n-ZnO Nanowires/p-Si Substrate: Temperature Dependent Transport Characteristics // Journal Nanosci Nanotechnol. – 2017 Jan; 17(1):581-87.; Periasamy C. Large-area and nanoscale n-ZnO/ p-Si heterojunction photodetectors / C. Periasamy and P. Chakrabarti // Journal of Vaccum Science and Technology. B. – 2011, vol. 29(5), pp. 051206.; Sahu V. K. Studies on the electrical characteristics of n-ZnO/p-Si grown by pulsed laser deposition for UV photo detecting applications / V. K. Sahu [et al] // Physics Express. – 2013, vol. 3, 10 p.; Sharma P. Analysis of ultraviolet photoconductivity in ZnO films prepared by unbalanced magnetron sputtering, P. Sharma [et al] // Journal of Applied Physics. – 2003, vol. 93(7), pp. 3963-3970.; Chang Y. M. Enhanced visible photoluminescence from ultrathin ZnO films grown on Si-nanowires by atomic layer deposition / Y. M. Chang [et al] // Nanotechology, 2010, vol. 21(38), pp. 385705.; Yakuphanoglu F. ZnO/p-Si heterojunction photodiode by sol-gel deposition of nanostructure n-ZnO film on p-Si substrate / F. Yakuphanoglu [et al] // Material Science in Semiconductor Processing, 2010, vol. 13(3), pp. 137-140.; Wang. P. Quality improvement of ZnO thin layers overgrown on Si (100) substrates at room temperature by nitridation pretreatment / P. Wang [et al] // AIP Advances. – 2012, vol. 2(2), pp. 022139.; В. Е. Полковников, Д. С. Пермяков, М. А. Белых, Ш. Х. Йулчиев, С. И. Рембеза. Использование пиролитических металлооксидных пленок для изготовления фотоэлектрических преобразователей энергии // Вестник Воронежского государственного технического университета. – Воронеж. – 2019. – Т. 15. – № 5, с. 72-77; Зайнабидинов С. З., Йулчиев Ш. Х., Бобоев А. Й. Структурные и фотоэлектрические свойства тонкопленочного гетероперехода n-ZnO/p-Si, полученного золь-гель методом // Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). – 2020. – № 25-27, с. 347-349.; Абдуев А. Х., Ахмедов А. К., Асваров А. Ш., Муслимов А. Э., Каневский В. М. Влияние условий зарождения на структуру слоев оксида цинка // Кристаллография. – 2020. – T. 65. – № 3, с. 489-490.; Викулин И. М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Радио и связь, 1990, с. 264.; Волковский Ю. А., Жернова В. А., Фоломешкин М. С., Просеков П. А. и др. Сравнительная рентгеновская дифрактометрия дефектной структуры эпитаксиальных пленок ZnO, выращенных методом магнетронного осаждения на подложках Al2O3 ориентации (0001) в неоднородном электрическом поле // Кристаллография. – 2023. – T. 68, № 2, с. 180-188.; Саидов А. С., Лейдерман А. Ю., Усмонов Ш. Н., Амонов К. А. Эффект инжекционного обеднения в p-Si−n-(Si2)1−x(ZnSe)x (0 ≤ x ≤ 0.01) гетероструктуре // Физика и техника полупроводников. – 2018, том 52, вып. 9, с. 1066-1070.; Никитин С. Е., Николаев Ю. А., Полушина И. К., Рудь В. Ю., Теруков Е. И. Фотоэлектрические явления в гетероструктурах ZnO:Al-p-Si // Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11.; Зайнабидинов С. З., Бобоев А. Й., Лейдерман А. Ю. Исследование механизма переноса тока в n-GaAs-р-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y гетероструктуры // Узбекский физический журнал. – Ташкент, 2019. – № 1, c. 14-21.; Адирович Э. И., Карагеоргий-Алкалаев П. М., Лейдерман А. Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. – М., Советское радио, 1978.; Зеббар A. Н., Хейреддин A. Y., Мокеддем A. K., Хафдалла B. A., Кечуане M., Аида M. С. «Структурные, оптические и электрические свойства гетероперехода n-ZnO/p-Si, подготовленного ультразвуковым распылением» // Научные материалы в полупроводниковой обработке. – Том 14. – 2011. – Выпуски 3-4. – С. 229-234.; Зайнабидинов С. З., Далиев Х. С., Йулчиев Ш. Х., Бобоев А. Й., Юнусалиев Н. Ю. Структурные особенности металлооксидных пленок ZnO на основе кремния. Доклады Академии Наук Республики Узбекистан. – Ташкент, 2020, № 3, c. 21-24.; Шаренкова Н. В., Каминский В. В., Петров С. Н. Размеры областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения в тонких пленках SmS и их визуализация // Журнал технической физики. – 2011. – Т. 81, № 9, с. 144-146.; Ахмедов А. К., Абдуев А. Х., Асваров А. Ш., Муслимов А. Э., Каневский В. М. Нанокристаллические пленки на основе оксида цинка, полученные в едином вакуумном цикле // Российские нанотехнологии. – 2020. – T. 15, № 6, с. 775-780.; Алексанян А. Ю. Получение диодных гетероструктур p-Si/n-ZnO и исследование их вольт-амперных характеристик // Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). – 2013, № 6, c. 23-27.; Тарасов А. П. Люминесценция микроструктур оксида цинка и влияние на нее поверхностного плазменного резонанса и магнитного поля. Дисс. канд.физ.-мат.наук. – Москва: МФТИ, 2019, 125 с.; https://www.isjaee.com/jour/article/view/2526

Διαθεσιμότητα: https://www.isjaee.com/jour/article/view/2526
https://doi.org/10.15518/isjaee.2024.10.090-099

Фотолюминесценция сверхрешеток GaPNAs/GaP(N) и объемных слоев GaPN на подложках GaP

Πηγή: Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 26, Iss 3 (2024)

Θεματικοί όροι: Chemistry, сверхрешетки, gapn(as), фотолюминесценция, QD1-999

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/4c2a363ec06447c1bb0cbdce09dea652

Получение и оптические свойства тонких пленок политипов ZnIn2S4 I, III

Συγγραφείς: Aramă, E.D., Арама, E.Д., Ozol, D.I., Pântea, V.V., Pintea, V., Şemeacova, T.D., Shemyakova, T.D., Șemeacova, T., Gaşiţoi, N.

Πηγή: Электронная обработка материалов (4) 60-66

Θεματικοί όροι: метод вакуумного осаждения в квазизамкнутом объеме, коэффициент поглощения, thin films, close-spaced vacuum sublimation, тройные полупроводники, тонкие пленки, absorption coefficient, ternary semiconductors, фотолюминесценция, Photoluminescence, ZnIn2S4

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ibn.idsi.md/vizualizare_articol/211056

ПРОГРЕССИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ДОРОЖНОЙ РАЗМЕТКИ

Θεματικοί όροι: construction, LED elements, светоотражающие материалы, 13. Climate action, 11. Sustainability, reflective materials, road pavement, photoluminescence, фотолюминесценция, светодиодные элементы, дорожное покрытие, строительство

Luminescence in nanostructures with compensated quantum wells under optical and electrical pumping

Συγγραφείς: Adamov, Roman, Melentev, Grigorii, Podoskin, Aleksandr, Slipchenko, Sergey, Sedova, Irina, Sorokin, Sergey, Makhov, Ivan, Firsov, Dmitry, Shalygin, Vadim

Θεματικοί όροι: p-i-n-structures, aluminum arsenide, арсенид алюминия, фотолюминесценция, электролюминесценция, 7. Clean energy, impurities, gallium arsenide, примеси, electroluminescence, арсенид галлия, quantum wells, p–i–n-структуры, квантовые ямы, photoluminescence

Fluorescent properties of boron nitride quantum dots depending on functionalizing ligands

Συγγραφείς: Sidorov, Evgeniy, Gribova, Elena, Gladyshev, Pavel

Θεματικοί όροι: boron nitride, нитрид бора, quantum dots, photoluminescence, квантовые точки, фотолюминесценция

КРАЕВАЯ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ β-Tl1-xCuxInS2 (0 ≤ Х ≤ 0,015)

Θεματικοί όροι: solid solutions, radiative recombination, photoluminescence, фотолюминесценция, монокристалл, single crystal, излучательная рекомбинация, твердые растворы, спектр, spectrum

Photoluminescent Device for Monitoring Fusarium Infection in Seeds ; Прибор фотолюминесцентного контроля зараженности семян фузариозом

Συγγραφείς: M. N. Moskovsky, M. V. Belyakov, I. Yu. Efremenkov, М. Н. Московский, М. В. Беляков, И. Ю. Ефременков

Πηγή: Agricultural Machinery and Technologies; Том 18, № 4 (2024); 71-78 ; Сельскохозяйственные машины и технологии; Том 18, № 4 (2024); 71-78 ; 2073-7599

Θεματικοί όροι: эффективная отдача излучения, infection, Fusarium, wheat, barley, control method, photoluminescence, regression models, radiation efficiency, заражение, фузариоз, пшеница, ячмень, метод контроля, фотолюминесценция, регрессионные модели

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://www.vimsmit.com/jour/article/view/620/549; Измайлов А.Ю., Лобачевский Я.П., Хорошенков В.К. и др. Оптимизация управления технологическими процессами в растениеводстве // Сельскохозяйственные машины и технологии. 2018. Т. 12. N3. С. 4-11. DOI:10.22314/2073-7599-2018-12-3-4-11.; Альт В.В., Исакова С.П. Планирование производства продукции растениеводства с применением цифровых технологий // Сельскохозяйственные машины и технологии. 2022. Т. 16. N3. С. 12-19. DOI:10.22314/2073-7599-2022-16-3-12-19.; Лобачевский Я.П., Дорохов А.С. Цифровые технологии и роботизированные технические средства для сельского хозяйства // Сельскохозяйственные машины и технологии. 2021. Т 15. N4. С. 6-10. DOI:10.22314/2073-7599-2021-15-4-6-10.; Alemu K. Detection of diseases, identification and diversity of viruses: A review. Journal of Biology, Agriculture and Healthcare. 2015. N5(1). 132-141.; Mohd Ali M., Bachik N.A., Muhadi N.A. et al. Non-destructive techniques of detecting plant diseases: A review. Physiological andMolecular Plant Pathology. 2019. 108. 101426. DOI:10.1016/j.pmpp.2019.101426.; Mahlein A.-K., Alisaac E., Al Masri A. et al. Comparison and combination of thermal, fluorescence, and hyperspectral imaging for monitoring Fusarium head blight of wheat on spikelet scale. Sensors. 2019. N19(10). 2281. DOI:10.3390/s19102281.; Makmuang S., Nootchanat S., Ekgasit S., Wongravee K. Non-destructive method for discrimination of weedy rice using near infrared spectroscopy and modified Self-Organizing Maps (SOMs). Computers and Electronics in Agriculture. 2021. 191. 106522. DOI:10.1016/j.compag.2021.106522.; Tsakanikas P., Fengou L.-C., Manthou E. et al. A unified spectra analysis workflow for the assessment of microbial contamination of ready-to-eat green salads: Comparative study and application of non-invasive sensors. Computers and Electronics in Agriculture. 2018. N155. 212-219. DOI:10.1016/j.compag.2018.10.025.; Johannes A., Picon A., Alvarez-Gila A. et al. Automatic plant disease diagnosis using mobile capture devices, applied on a wheat use case. Computers and Electronics in Agriculture. 2017. N138. 200-209. DOI:10.1016/j.compag.2017.04.013.; Zhang D.-Y., Chen G., Yin X. et al. Integrating spectral and image data to detect Fusarium head blight of wheat. Computers and Electronics in Agriculture. 2020. N175. 105588. DOI:10.1016/j.compag.2020.105588.; Heim R.H.J., Wright I.J., Chang H.C. et al. Detecting myrtle rust (Austropucciniapsidii) on lemon myrtle trees using spectral signatures and machine learning. Plant Pathology. 2018. N67(5). 1114-1121. DOI:10.1111/ppa.12830.; Bauriegel E., Herppich W.B. Hyperspectral and chlorophyll fluorescence imaging for early detection of plant diseases, with special reference to Fusarium spec. infections on wheat. Agriculture. 2014. 4(1). 32-57. DOI:10.3390/AGRICULTURE4010032.; Tischler Y.K., Thiessen E., Hartung E. Early optical detection of infection with brown rust in winter wheat by chlorophyll fluorescence excitation spectra. Computers and Electronics in Agriculture. 2018. N146. 77-85. DOI:10.3389/fpls.2019.01239.; Berzaghi P, Cherney J.H., Casler M.D. Prediction performance of portable near infrared reflectance instruments using preprocessed dried, ground forage samples. Computers and Electronics in Agriculture. 2021. N182. 106013. DOI:10.1016/j.compag.2021.106013.; Zhang L., Wang L., Wang J. et al. Leaf Scanner: A portable and low-cost multispectral corn leaf scanning device for precise phenotyping. Computers and Electronics in Agriculture. 2019. N167. 105069. DOI:10.1016/j.compag.2019.105069.; Song D., Qiao L., Gao D. et al. Development of crop chlorophyll detector based on a type of interference filter optical sensor. Computers and Electronics in Agriculture. 2021. 187. 106260. DOI:10.1016/j.compag.2021.106260.; Zhou L., Zhang C., Taha M.F. et al. Determination of leaf water content with a portable NIRS system based on deep learning and information fusion analysis. Transactions of the ASABE. 2021. N64(1). 127-135. DOI:10.13031/trans.13989.; Лебедев Д.В., Рожков Е.А. Отсортировка по цвету зараженных фузариозом и головней семян пшеницы в многокритериальном фотоэлектронном сепараторе // Электротехнологии и электрооборудование в АПК. 2019. N 4(37). С. 25-29.; Bashilov A.M., Efremenkov I.Y., Belyakov M.V. et al. Deter-mination of main spectral and luminescent characteristics of winter wheat seeds infected with pathogenic microflora. Photonics. 2021. N8. 494. DOI:10.3390/photonics8110494.; Moskovskiy M.N., Belyakov M.V., Dorokhov A.S. et al. Design of device for optical luminescent diagnostic of the seeds infected by Fusarium. Agriculture. 2023. N13(3). 619. DOI:10.3390/agriculture13030619.; https://www.vimsmit.com/jour/article/view/620

Διαθεσιμότητα: https://www.vimsmit.com/jour/article/view/620
https://doi.org/10.22314/2073-7599-2024-18-4-71-78

Impact of substrate sulphide passivation on photoluminescent properties of InAs autoepitaxial layers ; Влияние сульфидной пассивации подложки на фотолюминесцентные свойства автоэпитаксиальных слоев InAs

Συγγραφείς: D. V. Kolyada, D. D. Firsov, O. S. Komkov, A. V. Solomonov, Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, А. В. Соломонов

Συνεισφορές: The authors express their gratitude to A.S. Petrov for providing samples and to P.S. Shilov for assistance in processing the samples., Авторы выражают благодарность А.С. Петрову за предоставленные образцы и П.С. Шилову за помощь в обработке образцов.

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 27, № 3 (2024); 271-277 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 27, № 3 (2024); 271-277 ; 2413-6387 ; 1609-3577

Θεματικοί όροι: инфракрасное фотоприемное устройство, autoepitaxial layer, photoluminescence, sulfidisation, interzone transition, bound excitons, donor-acceptor pairs, infrared photodetector, автоэпитаксиальный слой, фотолюминесценция, сульфидизация, межзонный переход, связанные экситоны, донорно-акцепторные пары

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/581/460; Zhijian Shen, Jinshan Yao, Jian Huang, Zhecheng Dai, Luyu Wang, Fengyu Liu, Xinbo Zou, Bo Peng, Weimin Liu, Hong Lu, Baile Chen. High-speed mid-wave infrared uni-traveling carrier photodetector with inductive peaked dewar packaging. Journal of Lightwave Technology. 2023; 42(5): 1504—1510. https://doi.org/10.1109/JLT.2023.3322967; Kovtonyuk N.F., Misnik V.P., Sokolov A.V. Sensitivity of insulator-semiconductor structures to time-dependent light fluxes. Semiconductors. 2005; 39: 1290—1293. https://doi.org/10.1134/1.2128452; Blain T., Shulyak V., Im Sik Han, Hopkinson M., Jo Shien Ng, Chee Hing Tan. Low noise equivalent power inas avalanche photodiodes for infrared few-photon detection. IEEE Transactions on Electron Devices. 2024; 71(5): 3039—3044. https://doi.org/10.1109/TED.2024.3373373; Komkov O.S., Firsov D.D., Kovalishina E.A. Petrov A.S. Determination of the indium arsenide autoepitaxial layers’ thickness by Fourier-Transform Infrared Spectroscopy. Russian Microelectronics. 2015; 44: 575—578. https://doi.org/10.1134/S1063739715080156; Львова Т.В., Седова И. В., Дунаевский М. С., Карпенко А.Н., Улин В.П., Иванов С.В., Берковиц В.Л. Сульфидная пассивация подложек InAs(100) в растворах Na2S. Физика твердого тела. 2009; 51(6): 1055—1061.; Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys. Journal of Applied Physics. 2001; 89(11): 5815—5875. https://doi.org/10.1063/1.1368156; Böer K.W., Pohl U.W. Excitons. In: Semiconductor Physics. Cham: Springer; 2023. 1419 p. https://doi.org/10.1007/978-3-031-18286-0_14; Sumikura H., Shinya A., Notomi M. Time-resolved mid-infrared photoluminescence spectroscopy of an undoped InAs substrate. Applied Physics Letters. 2024; 124(5): 052105. https://doi.org/10.1063/5.0188326; Gladkov P., Nohavica D., Šourek Z., Litvinchuk A.P., Iliev M.N. Growth and characterization of InAs layers obtained by liquid phase epitaxy from Bi solvents. Semiconductor Science and Technology. 2006; 21(4): 544—549. https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/4/022; Firsov D.D., Komkov O.S., Petrov A.S. Photoluminescence of undoped InAs autoepitaxial layers. Journal of Physics: Conference Series. 2015; 643(1): 012051. https://doi.org/10.1088/1742-6596/643/1/012051; Voronina T.I., Lagunova T.S., Moiseev K.D., Rozov A.E., Sipovskaya M.A., Stepanov M.V., Sherstnev V.V., Yakovlev Yu.P. Electrical properties of epitaxial indium arsenide and narrow band solid solutions based on it. Semiconductors. 1999; 33: 719—725. https://doi.org/10.1134/1.1187768; Баранов А.Н., Воронина Т.И., Гореленок А.А., Лагунова Т.С., Литвак А.М., Сиповская М.А., Старосельцева С.П., Тихомирова В.А., Шерстнев В.В. Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида индия. Физика и техника полупроводников. 1992; 26(9): 1612—1624. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/23914; Voronina T.I., Zotova N.V., Kizhayev S.S., Molchanov S.S., Yakovlev Yu.P. Luminescence properties of InAs layers and p–n structures grown by metallorganic chemical vapor deposition. Semiconductors. 1999; 33: 1062—1066. https://doi.org/10.1134/1.1187865; Fang Z.M., Ma K.Y., Cohen R.M., Stringfellow G.B. Effect of growth temperature on photoluminescence of InAs grown by organometallic vapor phase epitaxy. Applied Physics Letters. 1991; 59(12): 1446—1448. https://doi.org/10.1063/1.105283; Lacroix Y., Tran C.A., Watkins S.P., Thewalt M.L.W. Low-temperature photoluminescence of epitaxial InAs. Journal of Applied Physics. 1996; 80(11): 6416—6424. https://doi.org/10.1063/1.363660; Криволапчук В.В., Мездрогина М.М., Полетаев Н.К. Влияние корреляции между подсистемами мелких и глубоких метастабильных уровней на экситонные спектры фотолюминесценции в n-типе GaAs. Физика твердого тела. 2003; 45(1): 29—32. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/4472; Zhilyaev Yu.V., Nasonov A.V., Raevski S.D., Rodin S.N., Shcheglov M.P., Davydov V.Yu. Bulk gallium nitride: preparation and study of properties. Physica Status Solidi (a). 2003; 195(1): 122—126. https://doi.org/10.1002/pssa.200306284; Tetyorkin V., Sukach A., Tkachuk A. Infrared photodiodes on II-VI and III-V narrow-gap semiconductors. In: Ilgu Yun (Ed.) Photodiodes from fundamentals to applications. Rijeka: IntechOpen; 2012. P. 378. http://dx.doi.org/10.5772/52930; https://met.misis.ru/jour/article/view/581

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/581
https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202404.581

Структурные и оптические свойства InGaN нитевидных нанокристаллов c градиентным химическим составом

Πηγή: Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 25, Iss 4 (2023)

Θεματικοί όροι: Chemistry, разрыв смешиваемости, молекулярно-пучковая эпитаксии, оптические свойства, фотолюминесценция, структурные свойства, QD1-999, ingan, кремний

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/c5671ef674b54408bd11ee42059a0ece

Fast method for computer simulation of luminescence characteristics of multilayer biological tissues with embedded luminescent nanoparticles

Συγγραφείς: Dmitry A. Yakovlev, V. I. Kochubey, E.A. Sagaidachnaya, Dmitry D. Yakovlev

Πηγή: Quantum electronics. 2021. Vol. 51, № 1. P. 43-51

Θεματικοί όροι: рассеянная среда, 0103 physical sciences, фотолюминесценция, компьютерное моделирование, биологические ткани, термометрия, 01 natural sciences, ап-конверсионные наночастицы, 0104 chemical sciences

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2021QuEle..51...43Y/abstract
https://iopscience.iop.org/article/10.1070/QEL17482/meta
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000892888

Effect of laser and temperature treatment on the optical properties of titanium dioxide nanoparticles prepared via pulse laser ablation

Συγγραφείς: Fedorovich, Zh. P., Gerasimova, Marina A., Fakhrutdinova, Elena D., Svetlichnyi, Valerii A.

Πηγή: Russian physics journal. 2022. Vol. 64, № 11. P. 2115-2122

Θεματικοί όροι: наночастицы, структурные дефекты, лазерная обработка, 0103 physical sciences, диоксид титана, фотолюминесценция, импульсная лазерная абляция, 01 natural sciences

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000925763

Suppression of molecular anyon states in the magneto-photoluminescence spectra of InP/GaInP2 quantum dots at a temperature of 30 K

Συγγραφείς: Afanasev, Kirill, Mintairov, Alexander, Vlasov, Alexei, Lebedev, Dmitrii, Balunov, Petr

Θεματικοί όροι: single quantum dots, одиночные квантовые точки, магнето-фотолюминесценция, вигнеровская локализация, Fock–Darwin spectrum, anyon, magneto-photoluminescence, Wigner localization, 7. Clean energy, энионы, спектр Фока – Дарвина