Εμφανίζονται 1 - 20 Αποτελέσματα από 74 για την αναζήτηση '"фотолюминесценции"', χρόνος αναζήτησης: 0,71δλ Περιορισμός αποτελεσμάτων
  1. 1
  2. 2
  3. 3
    Academic Journal

    Πηγή: Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 4, № 12 (106) (2020): Матеріалознавство; 24-30
    Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 4, № 12 (106) (2020): Материаловедение; 24-30
    Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 4, № 12 (106) (2020): Materials Science; 24-30

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10
  11. 11
  12. 12
  13. 13
  14. 14
  15. 15
  16. 16
  17. 17
  18. 18
  19. 19
    Academic Journal

    Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 2 (2015); 146-148 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 2 (2015); 146-148 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2015-2

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/172/161; Suski, T. Mechanism of yellow luminescence in GaN / T. Suski, P. Perlin, H. Teisseyre, M. Leszczyński, I. Grzegory, J. Jun, M. Boćkowski, S. Porowski, T. D. Moustakas // Appl. Phys. Lett. − 1995. − V. 67, N 15. − С. 2188—2190.; Kikkawa, T. High performance and high reliability AlGaN/ GaN HEMTs / T. Kikkawa, K. Makiyama, T. Ohki, M. Kanamura, K. Imanishi, N. Hara, K. Joshin // Phys. status solidi (a). − 2009. − V. 206, Iss. 6, P. 1135—1144. DOI:10.1002/pssa.200880983; Jessen, G. H. Ohmic contact characterization of AlGaN/GaN device layers with spatially localized LEEN spectroscopy / G. H. Jessen, B. D. White, S. T. Bradley, P. E. Smith, L. J. Brillson, J. E. van Nostrand, R. Fitch, G. D. Via, J. K. Gillespie, R. W. Dettmer, J. S. Sewell // Solid−State Electronics. − 2002. − V. 46, Iss. 9. − P. 1427—1431. DOI:10.1016/S0038−1101(02)00075−8; https://met.misis.ru/jour/article/view/172

  20. 20