Εμφανίζονται 1 - 20 Αποτελέσματα από 43 για την αναζήτηση '"упругие напряжения"', χρόνος αναζήτησης: 0,60δλ Περιορισμός αποτελεσμάτων
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
    Academic Journal

    Πηγή: Alternative Energy and Ecology (ISJAEE); № 16-18 (2018); 88-97 ; Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE); № 16-18 (2018); 88-97 ; 1608-8298

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Relation: https://www.isjaee.com/jour/article/view/1418/1226; Мачулка, Г.А. Лазерная обработка стекла / Г.А. Мачулка. – М.: Советское радио, 1979. – 135 с.; Григорьянц, А.Лазерная обработка неметаллических материалов / А.Григорьянц, A.A. Соколов. – М.: Высшая школа, 1988. – 192с.; Сhui, G.K. Laser cutting of hot glass/ G.K. Сhui // Amer. Ceram. Soc. Bull. – 1975. – Vol. 54. – No. 5. – P. 514–518.; Lumley, R.M. Controlled separation of brittlo materials used a laser / R.M. Lumley // J. of the Amer. Cer. Soc. – 1969. – Vol. 48. – No. 9. – P. 850.; Higuchi, T. Application of laser to drilling and cutting / T. Higuchi, T. Miyazama, H. Joshida // Mitsubishi Denki. – 1971. – Vol. 45. – No. 10. – P. 1298.; Жималов, А.Б. Лазерная резка флоат-стекла в процессе его выработки / А.Б. Жималов [и др.] // Стекло и керамика. – 2006. – № 10. – С. 3–5.; Солинов, В.Ф. Раскрой листового силикатного стекла методом термораскалывания / В.Ф. Солинов, В.С. Кондратенко, В.М. Брауде // Техника, экономика, информация. – 1982. – Сер. Техника. – Вып. 6–7. – С. 47.; Hermanns, C. Laser cutting of glass / C. Hermanns // Proc. SPIE 4102. – 2000. – P. 219–226.; Kang, H.S. A study of cutting glass by laser / H.S. Kang [et al.] // Proc. SPIE 4426. – 2002. – P. 367–370.; Кондратенко, В.С. Лазерное управляемое термораскалывание хрупких материалов / В.С. Кондратенко. – М.: МГУПИ, 2007. – 191 с.; Бучанов, В.В. Применение лазерной технологии для резки стеклоизделий / В.В. Бучанов [и др.] // Стекло и керамика. – 2014. – № 9. – С. 6–9.; Buchanov, V.V. Light–indused glass cutting / V.V. Buchanov [et al.] // Bulletin of the Lebedev Physics Institute. – 2017. – Vol. 44. – No. 9. – P. 263–265.; Белкин, А.М. Лазерная резка тугоплавких стекол лучом ОКГ / А.М. Белкин // Электронная техника. Сер. 3. Газоразрядные приборы. – 1969. – Вып. 4. – C. 37.; Белкин, А.М. Обрезка кварцевых изделий лучом лазера / А.М. Белкин // Электронная техника. Сер. 4. Электровакуумные и газоразрядные приборы. – 1977. – Вып. 5. – C. 103.; Мачулка, Г.А. Резка стекла лазерным лучом / Г.А. Мачулка, В.М. Гурьянов, Л.П. Муратова // Стекло и керамика. – 1972. – № 10. – C. 10.; Webster, J.M. Laser in the glass industry / J.M. Webster // Glass. –1974. – Vol. 51. – No. 10. – P. 337.; A Guide to the Laser / ed. D. Fishlock. – McDonald, London. – 1967. – 163 p.; Бабенко, В.П. Газолазерная резка материалов / В.П. Бабенко // Квантовая электроника. – 1972. – № 5. – С. 3–21.; Рыкалин, Н.Н. Лазерная обработка материалов / Н.Н. Рыкалин, А.А. Углов, А.Н. Кокора. – М.: Машиностроение. – 1975. – 295 с.; Реди, Д. Действие мощного лазерного излучения / Д. Реди. – М.: Мир. – 1974. – 468 с.; Борода, В.И. Термораскалывание стеклянных трубок лазерным излучением / В.И. Борода, А.Ц. Вартаньянц, H.H. Карпов // Электронная промышленность. – 1976. – № 1. – С. 59–63.; Большов, В.Ф. Лазерная технологическая установка для резки профильного стекла / В.Ф.Большов [и др.] // Квантовая электроника. – 1971. – № 6. – С. 84.; Парфенов, Б.А. Лазерная установка «Квант20» для резки стекла / Б.А.Парфенов [и др.] // Электронная техника. Сер. 11. Лазерная техника и оптоэлектроника. – 1979. – Вып. 1(7). – С. 11.; Белоусов, Е.К. Управляемое термораскалывание стекла с помощью лазерного излучения/ Е.К. Белоусов [и др.] // Электронная промышленность. – 1978. – № 9. – С. 65.; Higuchi, T. Application of laser to drilling and cutting. Mitsubishi Denki / T. Higuchi, T. Miyazama, H. Joshida // Mitsubishi Denki. – 1971. – Vol. 45. – No. 10. – P. 1298.; Солинов, В.Ф. Раскрой листового силикатного стекла методом термораскалывания / В.Ф. Солинов, В.С. Кондратенко, В.М. Брауде // Техника, экономика, информация. Сер. Техника. – 1982. – Вып. 6–7. – С. 47.; Кондратенко, В.С. Исследование и разработка процесса резки стекла методом лазерного управляемого термораскалывания: Автореф. канд. дис. тех. наук. – М., 1983. – 26 с.; Коваленко, А.Д. Основы термоупругости / А.Д. Коваленко. – Киев: Наукова думка, 1970. – 306 с.; Малов, И.Е. Разработка технологии управляемого термораскалывния листового стекла излучением твердотельного лазера: Дис. канд. тех. наук. – М., 2000.; Самарский, А.А. Экономичные разностные схемы для гиперболической системы уравнений со смешаннными производными и их применение для уравнений теории упругости / А.А. Самарский // Журнал вычислительной математики и математической физики. – 1965. – Т. 5. – № 1. – С. 34.; https://www.isjaee.com/jour/article/view/1418

  7. 7
    Academic Journal
  8. 8
  9. 9
  10. 10
    Academic Journal

    Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 4 (2012); 40-44 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 4 (2012); 40-44 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2012-4

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/59/54; Turner, D. R. The Electrochemistry of Semiconductors. / D. R. Turner. − London : Academic Press, 1962. − P. 179.; Solanki, C. S. New approach for the formation and separation of a thin porous silicon layer / C. S. Solanki, R. R. Bilyalov, H. Bender, J. Poortmans / Phys. status solidi (a). − 2000. − V. 182, N 1. − P. 97—101.; Горячев, Д. Н. Свободные люминесцирующие слои пористого кремния / Д. Н. Горячев, Л. В. Беляков, О. М. Сресели // ФТП. − 2010. − Т. 44, вып. 12. − С. 1636—1639.; Горячев, Д. Н. Формирование толстых слоев пористого кремния при недостаточной концентрации неосновных носителей / Д. Н. Горячев, Л. В. Беляков, О. М. Сресели // Там. же. − 2004. − Т. 38, вып. 6. − С. 739—744.; Емельянов, В. И. Квазиодномерное распределение макропор при анодном травлении одноосно−напряженной пластины кремния / В. И. Емельянов, К. И. Еремин, В. В. Старков, Е. Ю. Гаврилин // Письма в ЖТФ. − 2003. − Т. 29, вып. 6. − С. 19—25.; Ратников, В. В. Рентгеновская дифрактометрия и электронная микроскопия слоев пористого Si на разных стадиях окисления на воздухе / В. В. Ратников, Л. М. Сорокин, В. И. Соколов, А. Е. Калмыков // ФТТ. − 2009. − Т. 51, вып. 12. С. 2289—2295.; Астрова, Е. А. Исследование деформаций и дефектов кристаллической решетки, возникающих при окислении макропористого кремния / Е. А. Астрова, В. В. Ратников, А. Д. Ременюк, И. Л. Шульпина // ФТП. − 2002. Т. 36, вып. 9. − С. 1111—1121.; Гусаков, В. Е. Формирование и диффузия собственных межузельных атомов в кристаллах кремния при гидростатическом давлении: квантово−химическое моделирование / В. Е. Гусаков, В. И. Белько, Н. Н. Дорожкин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. − 2009. − № 8. − С. 71—75.; Старков, В. В. Перераспределение макропор и их структура при анодном травлении одноосно−напряженной поверхности кремния / В. В. Старков, Е. Ю. Гаврилин, А. Ф. Вяткин, В. И. Емельянов, К. И. Еремин // Перспективные материалы. − 2003. − № 6. − С. 25—32.; Bilyalov, R. Role of hydrogen in the separation of a porous Si layer in a layer transfer process / R. Bilyalov, C. S. Solanki, J. Poortmans, A. Ulyashin, R. Job and W. Fahrner // Phys. status solidi (a). − 2003. − V. 197, N 1. − P. 128—131.; Soltanovich, O. A. Hydrogen−related defects in high−resistivity silicon / O. A. Soltanovich, O. V. Feklisova, E. B. Yakimov / Solid State Phenomena. − 2002. − V. 82–84. − P. 150—154.; Феклисова, О. В. Образование электрически активных дефектов при химическом травлении высокоомного кремния/О. В. Феклисова, О. А. Солтанович. // Тез. докл. 3−й Росс. конф. По материаловедению «Кремний−2003». − М., 2003. − Ч. 1, С. 149.; Феклисова, О. В. Проникновение водорода в кремний р−типа в процессе жидкостного химического травления: экспериментальное исследование и моделирование / О. В. Феклисова, Е. Б. Якимов. / Там же. − М., 2003. − Ч. 1. − С. 150.; Ярыкин, Н. Взаимодействие водорода с радиационными дефектами / Н. Ярыкин // Там же. − М., 2003. − Ч. 1. − С. 172.; Киланов, Д. В. Водородно−индуцированное скалывание в кремнии по заглубленному слою, сильнолегированному бором / Д. В. Киланов, В. П. Попов, Л. Н. Сафронов, А. И. Никифоров, Р. Шольц // ФТП. − 2003. − Т. 37, вып. 6. − С. 644—648.; Valance, A. Porous silicon formation: Stability analysis of the silicon−electrolyte interface / A. Valance // Phys. Rev. B. − 1995. − V. 52, N 11.− P. 8323—8336.; Компан, М. Е. О механизме самоформирования наноразмерных структур пористого кремния при бестоковом водном травлении / М. Е. Компан, И. Ю. Шабанов // ФТП. − 1995. −Т. 29, твып. 10. − С. 1859—1869.; А. С. РК № 65010. Способ получения скрытых слоев пористого кремния. / К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, Ж. С. Токмолдин. Инновационный патент РК № 22831 от 06.03.2009.; А. С. РК № 66418. Способ получения тонких пластин кремния. / К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, Ж. С. Токмолдин. Инновационный патент РК № 23446 от 08.05.2009.; А. С. СССР № 980562. Способ изготовления скрытых слоев. / Н. Н. Герасименко, Л. С. Смирнов, В. Ф. Стась, К. Б. Тныштыкбаев. от 13.04.1981 г.; А. С. СССР № 1282757. Способ изготовления тонких пластин кремния. / В. Ф. Реутов, Ш. Ш. Ибрагимов. от 30.12. 1983 г.; Герасименко, H. H. Образование радиационных дефектов в кремнии р−типа, содержащем атомы водорода / H. H. Герасименко, К. Б. Тныштыкбаев // ФТП. − 1980. − Т. 14, вып. 9. − С. 1673—1676.; Герасименко, H. H. Свойства дефектных центров в кремнии, облученном протонами / H. H. Герасименко, Л. C. Смирнов, В. Ф. Стась, К. Б. Тныштыкбаев // ФТП. − 1981. − Т. 15, вып. 10. − С. 1934—1938.; Реутов, В. Ф. Влияние плотности ионизационных потерь энергии высокоэнергетичных ионов висмута, криптона и ксенона на развитие водородных блистеров в кремнии /В. Ф. Реутов, А. Г. Залужный, А. П. Кобзев, А. С. Сохацкий // ЖТФ. − 2009. − Т. 79, вып. 9. − С. 63—70.; https://met.misis.ru/jour/article/view/59

  11. 11
    Academic Journal
  12. 12
  13. 13
    Academic Journal

    Πηγή: Fine Chemical Technologies; Vol 8, No 4 (2013); 73-76 ; Тонкие химические технологии; Vol 8, No 4 (2013); 73-76 ; 2686-7575 ; 2410-6593

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Relation: https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/573/619; Дураев В.П., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Петровский А.В., Рябоштан Ю.А., Сумароков М.А., Сухарев А.В. Влияние барьерных слоев GaAsP на параметры лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов спектрального диапазона 1050-1100 нм // Квантовая электроника. 2005. Т. 35 С. 909-911.; Matthews J.W., Blakeslee A.E. Defects in epitaxial multilayers: I. Misfit dislocations // J. Cryst. Growth. 1974. V. 27. P. 118-125.; Dodson B.W., Tsao J.Y. Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic flow // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. № 17. P. 1325-1327.; Tsao J.Y., Dodson B.W. Excess stress and the stability of strained heterostructures // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. № 10. Р. 848-850.; Brown D. Anion exchange at the interfaces of mixed anion III-V heterostructures grown by molecular beam epitaxy: diss… Ph.D. in Electrical and Computer Engineering. Georgia Institute of Technology, 2003. 131 p.

  14. 14
  15. 15
  16. 16
  17. 17
  18. 18
  19. 19
    Academic Journal

    Πηγή: Известия Томского политехнического университета

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Relation: Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. 2006. Т. 309, № 2; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1078

    Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1078

  20. 20