Structure of Silicon Wafers Planar Surface before and after Rapid Thermal Treatment ; Структура планарной поверхности кремниевых пластин до и после быстрой термообработки

Authors: U. A. Pilipenko, A. A. Sergeichik, D. V. Shestovski, V. A. Solodukha, В. А. Пилипенко, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский, В. А. Солодуха

Source: Devices and Methods of Measurements; Том 15, № 2 (2024); 142-150 ; Приборы и методы измерений; Том 15, № 2 (2024); 142-150 ; 2414-0473 ; 2220-9506 ; 10.21122/2220-9506-2024-15-2

Subject Terms: деформационный потенциал, disrupted layer, silicon wafer, solid phase recrystallization, deformation potential, нарушенный слой, кремниевая пластина, твердофазная рекристаллизация

File Description: application/pdf

Relation: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/874/690; Шаныгин В.Я. Получение атомарно-чистых поверхностей кремния в низкоэнергетической СВЧ плазме низкого давления / В.Я. Шаныгин, Р.К. Яфаров // Журнал технической физики. – 2009. – Т. 79, вып. 12. – С. 73–78.; Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов: в 2 ч. / Г.Я. Красников – М.: Техносфера, 2002. – Ч. 1. – 416 с.; Пилипенко В.А. Свойства поверхности кремния после лазерной обработки импульсами наносекундной длительности / В.А. Пилипенко [и др.] // Инженернофизический журнал. – 2008. – Т. 81, № 3. – С. 592–595.; Gorushko V. Re-crystallization of Silicon during Rapid Thermal Treatment / V. Gorushko, A. Omelchenko, V. Pilipenko, V. Solodukha // Przeglad Electrotechniczny. – 2018. – Vol. 94, № 5. – Рр. 196–198.; Пилипенко В.А. Твердофазная рекристаллизация механически нарушенного слоя кремния при быстрой термообработке / В.А. Пилипенко [и др.] // Доклады национальной академии наук Беларуси. – 2018. – Т. 62, № 3. – С. 347–352.; Достанко А.П. Инновационные технологии и оборудование субмикронной электроники / А.П. Достанко [и др.]; под общ. ред. акад. А.П. Достанко. – Минск: Беларуская навука, 2020. – 260 c.; Borisenko V.E. Rapid Thermal Processing of Semiconductors / V.E. Borisenko, P.J. Hesketh – New York: Plenum Press, 1997. – 385 р.; Киреев В.Ю. Быстрые термические процессы – новый этап в развитии микроэлектронной технологии / В.Ю. Киреев, А.С. Цимбалов // Микроэлектроника. – 2001. – Т. 30, № 4. – С. 266–278.; Пилипенко В.А. Физические основы быстрой термообработки. Геттерирование, отжиг ионнолегированных слоев, БТО в технологии СБИС / В.А. Пилипенко[и др.] – Минск: БГУ, 2001. – 146 с.; Солодуха В.А. Измерение глубины нарушенного слоя на поверхности кремниевых пластин методом оже-спектроскопии / В.А. Солодуха, А.И. Белоус, Г.Г. Чигирь // Наука и техника. – 2016. – Т. 15, № 4. – С. 329–334.; https://pimi.bntu.by/jour/article/view/874

Availability: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/874
https://doi.org/10.21122/2220-9506-2024-15-2-142-150

Structural-phase junctions in the system of Pt–Si during rapid thermal treatment ; Структурно-фазовые переходы в системе Pt–Si при быстрой термообработке

Authors: U. A. Pilipenka, F. F. Komarov, V. A. Saladukha, V. A. Harushka, В. А. Пилипенко, Ф. Ф. Комаров, В. А. Солодуха, В. А. Горушко

Source: Doklady of the National Academy of Sciences of Belarus; Том 64, № 2 (2020); 238-244 ; Доклады Национальной академии наук Беларуси; Том 64, № 2 (2020); 238-244 ; 2524-2431 ; 1561-8323 ; 10.29235/1561-8323-2020-64-2

Subject Terms: силицид платины, silicon wafer, solid phase recrystallization, platinum silicide, кремниевая пластина, твердофазная рекристаллизация

File Description: application/pdf

Relation: https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/876/873; Мьюрарка, Ш. П. Силициды для СБИС / Ш. П. Мьюрарка; пер. с англ. В. В. Баранова; под ред. Ю. Д. Чистякова. – М., 1986. – 176 с.; Faber, E. J. On the kinetics of platinum silicide formation / E. J. Faber, R. A. M. Wolters, J. Schmitz // Appl. Phys. Lett. – 2011. – Vol. 98, N 8. – P. 082102 (1–3). https://doi.org/10.1063/1.3556563; Формирование барьеров Шоттки на основе никель-платинового силицидного сплава / В. А. Солодуха [и др.] // Микроэлектроника. − 2014. − Т. 43, № 1. − С. 9–16.; Низкотемпературный метод формирования контактного слоя силицида платины для силовых диодов Шоттки / Ф. Ф. Комаров [и др.] // Докл. Нац. акад. наук Беларуси. – 2013. – Т. 57, № 2. – С. 38–42.; Borisenko, V. E. Rapid Thermal Processing of Semiconductors / V. E. Borisenko, P. J. Hesketh. – New York; London, 1997. https://doi.org/10.1007/978-1-4899-1804-8; Пилипенко, В. А. Управление свойствами тонкопленочных систем с применением импульсной фотонной обработки / В. А. Пилипенко, В. Н. Пономарь, В. А. Горушко // Инж.-физ. журн. − 2003. − Т. 76, № 4. − С. 95–98.; Эффект фотонной активации синтеза пленок силицидов в гетеросистеме (111) Si–Ni–Pt / В. М. Иевлев [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. − 2007. − Т. 9, № 3. − С. 216–227.; Naem, A. A. Platinum silicide formation using rapid thermal processing / A. A. Naem // J. Appl. Phys. – 1988. – Vol. 64, N 8. – P. 4161–4167. https://doi.org/10.1063/1.341329; https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/876

Availability: https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/876
https://doi.org/10.29235/1561-8323-2020-64-2-238-244

SOLID PHASE RECRYSTALLIZATION OF A MECHANICALLY DISRUPTED SILICON LAYER SUBJECTED TO RAPID THERMAL TREATMENT ; ТВЕРДОФАЗНАЯ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МЕХАНИЧЕСКИ НАРУШЕННОГО СЛОЯ КРЕМНИЯ ПРИ БЫСТРОЙ ТЕРМООБРАБОТКЕ

Authors: V. A. Pilipenko, V. A. Solodukha, V. A. Gorushko, A. A. Omelchenko, В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, В. А. Горушко, А. А. Омельченко

Source: Doklady of the National Academy of Sciences of Belarus; Том 62, № 3 (2018); 347-352 ; Доклады Национальной академии наук Беларуси; Том 62, № 3 (2018); 347-352 ; 2524-2431 ; 1561-8323 ; 10.29235/1561-8323-2018-62-3

Subject Terms: коэффициент поглощения, disrupted layer, silicon wafer, solid phase re-crystallization, diffraction ratio, absorption ratio, нарушенный слой, кремниевая пластина, твердофазная рекристаллизация, коэффициент преломления

File Description: application/pdf

Relation: https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/528/532; Tong, Q.-Y. Wafer bonding and layer splitting for Microsystems / Q.-Y. Tong, М. Gosele // Adv. Mater. – 1999. – Vol. 11, N 17. – Р. 1409–1425. https://doi.org/10.1002/(sici)1521-4095(199912)11:17%3C1409::aid-adma1409%3E3.0.co;2-w; Красников, Г. Я. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС / Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев – М.: Микрон-принт, 1999. – Ч. 2. – 216 с.; Концевой, Ю. А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур / Ю. А. Концевой, Ю. М. Литвинов, Э. А. Фаттахов – М.: Радио и связь, 1982. – 240 с.; Свойства поверхности кремния после лазерной обработки импульсами наносекундной длительности / В. А. Пи-липенко [и др.] // ИФЖ. – 2008. – Т. 81, № 9. – C. 592.; Степаненко, И. П. Основы микроэлектроники / И. П. Степаненко – М.: Сов. радио, 1980. – 424 с.; https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/528

Availability: https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/528
https://doi.org/10.29235/1561-8323-2018-62-3-347-352