Combined physical unclonable function circuit implementation for generation true random number sequences

Συγγραφείς: S. S. Zalivako, A. A. Ivaniuk

Πηγή: Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 7, Pp 37-43 (2019)

Θεματικοί όροι: физически неклонируемые функции, статическое оперативное запоминающее устройство, кольцевой генератор, идентификация цифрового устройства, генератор действительно случайных чисел, адаптивный сигнатурный анализ, Electronics, TK7800-8360

Περιγραφή αρχείου: electronic resource

Relation: https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/236; https://doaj.org/toc/1729-7648

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/a24e4eb81183408499d68bbc0925ba42

Анализ методов уменьшения тока и мощности утечки в ячейке SRAM на основе FinFET транзисторов

Συγγραφείς: Кушвах, Равиндра Сингх, Сикарвар, Вандна

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Vol. 58 No. 7 (2015); 26-39 ; Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 58 № 7 (2015); 26-39 ; Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка; Том 58 № 7 (2015); 26-39 ; 2307-6011 ; 0021-3470

Θεματικοί όροι: ток утечки, потребляемая мощность, статическое оперативное запоминающее устройство, ОЗУ, под-пороговый ток утечки, ток утечки затвора, FinFET

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347015070031/43353; https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347015070031

Διαθεσιμότητα: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347015070031
https://doi.org/10.20535/S0021347015070031

Анализ методики уменьшения утечки в 7Т и 8Т ячейках SRAM на основе транзисторов FinFET

Συγγραφείς: Кушвах, Равиндра Сингх, Акеше, Шиам

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Vol. 57 No. 9 (2014); 3-17 ; Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 57 № 9 (2014); 3-17 ; Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка; Том 57 № 9 (2014); 3-17 ; 2307-6011 ; 0021-3470

Θεματικοί όροι: полевой транзистор с плавником, ток утечки, просачивающаяся мощность, статическое оперативное запоминающее устройство, ОЗУ, SRAM, саморегулирумый уровень напряжения, SVL, верхний SVL, нижний SVL, FinFET

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347014090015/24418; https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347014090015

Διαθεσιμότητα: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347014090015
https://doi.org/10.20535/S0021347014090015

Анализ методов уменьшения тока и мощности утечки в ячейке SRAM на основе FinFET транзисторов

Συνεισφορές: Работа выполнена при поддержке ITM университета (Гвалиор, Индия) в сотрудничестве с фирмой Cadence System Design (Бангалор, Индия).

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Том 58, № 7 (2015); 26-39
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 58, № 7 (2015); 26-39

Θεματικοί όροι: ток утечки, потребляемая мощность, статическое оперативное запоминающее устройство, ОЗУ, под-пороговый ток утечки, ток утечки затвора, FinFET

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347015070031

Анализ методов уменьшения тока и мощности утечки в ячейке SRAM на основе FinFET транзисторов

Συνεισφορές: ELAKPI

Θεματικοί όροι: ток утечки затвора, под-пороговый ток утечки, статическое оперативное запоминающее устройство, ОЗУ, ток утечки, FinFET, потребляемая мощность

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/22118

Анализ методики уменьшения утечки в 7Т и 8Т ячейках SRAM на основе транзисторов FinFET

Συνεισφορές: Эта работа выполнена при поддержке Университета ITM (Гвалиор) совместно с Cadence System Design (Бангалор).

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Том 57, № 9 (2014); 3-17
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 57, № 9 (2014); 3-17

Θεματικοί όροι: полевой транзистор с плавником, ток утечки, просачивающаяся мощность, статическое оперативное запоминающее устройство, ОЗУ, SRAM, саморегулирумый уровень напряжения, SVL, верхний SVL, нижний SVL, FinFET

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347014090015

Анализ методики уменьшения утечки в 7Т и 8Т ячейках SRAM на основе транзисторов FinFET

Συνεισφορές: ELAKPI

Θεματικοί όροι: статическое оперативное запоминающее устройство, ОЗУ, ток утечки, SVL, FinFET, нижний SVL, саморегулирумый уровень напряжения, просачивающаяся мощность, верхний SVL, SRAM, полевой транзистор с плавником

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/24779

Схемная реализация комбинированной физически неклонируемой функции для генерирования действительно случайных числовых последовательностей

Θεματικοί όροι: статическое оперативное запоминающее устройство, генератор действительно случайных чисел, идентификация цифрового устройства, физически неклонируемые функции, адаптивный сигнатурный анализ, кольцевой генератор, доклады БГУИР

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://openrepository.ru/article?id=216587

Схемная реализация комбинированной физически неклонируемой функции для генерирования действительно случайных числовых последовательностей

Additional Titles: Combined physical unclonable function circuit implementation for generation true random number sequences

Συγγραφείς: Заливако, С. С., Иванюк, А. А.

Όροι ευρετηρίου: доклады БГУИР, физически неклонируемые функции, статическое оперативное запоминающее устройство, кольцевой генератор, идентификация цифрового устройства, генератор действительно случайных чисел, адаптивный сигнатурный анализ, Article

Σύνδεσμος: http://hdl.handle.net/rour/216587uri