ALD Al2O3, SiNx, and SiON films as passivating coatings in AlGaN/GaN HEMT ; Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ

Συγγραφείς: K. L. Enisherlova, E. M. Temper, Yu. V. Kolkovsky, B. K. Medvedev, S. A. Kapilin, К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, Ю. В. Колковский, Б. К. Медведев, C. А. Капилин

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 22, № 3 (2019); 202-211 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 22, № 3 (2019); 202-211 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2019-3

Θεματικοί όροι: поверхностные состояния, passivating coating, fixed charge, band diagram, spontaneous and piezoelectric polarization, donor-like centers, hopping conductivity, surface states, фиксированный заряд, зонная диаграмма, спонтанная и пьезополяризация, донорно-подобные центры, прыжковая проводимость

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/379/311; Chevtchenko S. A., Reshchikov M. A., Fan Q., Ni X., Moon Y. T., Baski A. A., Morkoç H. Study of SiNх and SiO2 passivation of GaN surfaces // J. Appl. Phys. 2007. V. 101, N 11. P. 2740324. DOI:10.1063/1.2740324; Mizue C., Hori Y., Miczek M., Hashizume T. Capacitance-voltage characteristics of Al2O3/AlGaN/GaN structures and state density distribution at Al2O3/AlGaN Interface // Jpn. J. Appl. Phys. 2011. V. 50, N 2R. P. 021001. DOI:10.1143/JJAP.50.021001; Matys M., Stoklas R., Blaho M., Adamowicz B. Origin of positive fixed charge at insulator/AlGaN interfaces and its control by AlGaN composition // J. Appl. Phys. 2017. V. 110, N 24. P. 243505. DOI:10.1063/1.4986482; Geng K., Chen D., Zhou Q., Wang H. AlGaN/GaN MIS-HEMT with PECVD SiNx, SiON, SiO2 as gate dielectric and passivation layer // Electronics. 2018. V. 7, N 12. p. 416. DOI:10.3390/electronics7120416; Matys M., Adamowicz B., Domanowska A., Michalewicz A., Stoklas R., Akazawa M., Yatabe Z., Hashizume T. On the origin of interface states at oxide/III-nitride heterojunction interfaces // J. Appl. Phys. 2016. V. 120, Iss. 22. P. 225305. DOI:10.1063/1.4971409; Shengyin Xie, Jiayun Yin, Sen Zhang, Bo Liu, Wei Zhou, Zhihong Feng. Trap behaviors in AlGaN–GaN heterostructures by C–V characterization // Solid-State Electronics. 2009. V. 53, Iss. 11. P. 1183—1185. DOI:10.1016/j.sse.2009.08.006; Зубков В. И. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами InxGa1-xAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрывы зон, уровни квантования, волновые функции // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41, № 3. С. 331—337. URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/6276; Miczek M., Mizue C., Hashizume T., Adamowicz B. Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/AlGaN/GaN heterostructure capacitors // J. Appl. Phys. 2008. V. 103, Iss. 10. P. 104510. DOI:10.1063/1.2924334; Arulkumaran S., Egawa T., Ishikawa H., Jimbo T. Characterization of different –Al-content AlxGa1-xN/GaN heterostructures and high-electron-mobility transistors on sapphire // J. Vacuum Science & Techology B. 2003. V. 21, Iss. 2. P. 888—894. DOI:10.1116/1.1556398; Hashizume T., Hasegawa H. Effects of nitrogen deficiency on electronic properties of AlGaN surfaces subjected to thermal and plasma processes // Applied Surface Science. 2004. V. 234, Iss. 1–4. P. 387—394. DOI:10.1016/j.apsusc.2004.05.091; Dinara S. M., Jana S. Kr., Ghosh S., Mukhopadhyay P., Kumar R., Chakraborty A., Bhattacharya S., Biswas D. Enhancement of two dimensional electron gas concentrations due to Si3N4 passivation on Al0.3Ga0.7N/GaN heterostructure: strain and interface capacitance analysis // AIP Advances. 2015. V. 5, Iss. 4. P. 047136. DOI:10.1063/1.4919098; Sameer J. J. Surface and mechanical stress effects in AlGaN/GaN high electron mobility transistors: Thesis: Ph. D. Massachusetts Institute of Technology, Department of Materials Science and Engineering, 2017. 161 p. URL: https://dspace.mit.edu/handle/1721.1/111325; Mosca R., Gombia E., Passaseo A., Tasco V., Peroni M., Romanini P. DLTS characterization of silicon nitride passivated AlGaN/GaN heterostructures // Superlattices and Microstructures. 2004. V. 36, Iss. 4–6. P. 425—433. DOI:10.1016/j.spmi.2004.09.006; Hori Y., Mizue C., Hashizume T. Process conditions for improvement of electrical properties of Al2O3/n-GaN structures prepared by atomic layer deposition // Jpn. J. Appl. Phys. 2010. V. 49, N 8R. P. 080201. DOI:10.1143/JJAP.49.080201; Hashizume T., Alekseev E., Pavlidis D., Boutros K. S., Redwing J. Capacitance-voltage characterization of AlN/GaN metal-insulator-semiconductor structures grown on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition // J. Appl. Phys. 2000. V. 88, Iss. 4. P. 1983—1986. DOI:10.1063/1.1303722; Eller B. S., Yang J., Nemanich R. J. Electronic surface and dielectric interface states on GaN and AlGaN // J. Vacuum Science & Technology A. 2013. V. 31, Iss. 5. P. 050807. DOI:10.1116/1.4807904; Dusza J., Steen M. Microhardness load/size effect in individual grains of a gas pressure sintered silicon nitride // J. Amer. Ceramic Society. 1998. V. 81, N 11. P. 3022—3024.; Яковлева Н. И., Никонов А. В., Болтарь К. О., Седнев М. В. Анализ механизмов темновых токов матриц ультрафиолетовых фотодиодов на основе гетероструктур AlGaN // Успехи прикладной физики. 2018. Т. 6, № 1. С. 44—55.; Monroe D. Hopping exponential band tails // Phys. Rev. Lett. 1985. V. 54, Iss. 2. P. 146—149. DOI:10.1103/PhysRevLett.54.146; Бочкарева Н. И., Вороненков В. В., Горбунов Р. И., Вирко М. В., Коготков В. С., Леонидов А. А., Воронцов-Велья­ми­нов П. Н., Шеремет И. А., Шретер Ю. Г. Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN // Физика и техника полупроводников. 2017. T. 51, № 9. С. 1235—1242. DOI:10.21883/FTP.2017.09.44888.8528; https://met.misis.ru/jour/article/view/379

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/379
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2019-3-202-211