The pecularities of (100) cleavage surface crystallography of In4Se3 layered semiconductor crystals ; Особенности кристаллографии поверхностей скалывания (100) слоистых полупроводниковых кристаллов In4Se3 ; Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3

Authors: Galiy, P. V.

Source: Chemistry, Physics and Technology of Surface; Том 5, № 3 (2014): Хімія, фізика та технологія поверхні; 245-255 ; Химия, физика и технология поверхности; Том 5, № 3 (2014): Хімія, фізика та технологія поверхні; 245-255 ; Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 5, № 3 (2014): Хімія, фізика та технологія поверхні; 245-255 ; 2518-1238 ; 2079-1704 ; 10.15407/hftp05.03

Subject Terms: layered chainlike semiconductor crystals, (100) In4Se3 cleavage surface, structural studies, слоисто-цепочные полупроводниковые кристаллы, поверхности скалывания (100) In4Se3, структурные исследования, шарувато-ланцюжкові напівпровідникові кристали, поверхня сколювання (100) In4Se3, структурні дослідження

File Description: application/pdf

Relation: http://cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/285/282; http://cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/285

Availability: http://cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/285