Search Results - "сильное электрическое поле"

1

Academic Journal

Параметры омических контактов и учет влияния реальных размеров образцов на полевую зависимость дрейфовой скорости в слоях In0.16Ga0.84As

Authors: В. А. Кузнецов, Д. Ю. Протасов, Д. В. Дмитриев, В. Я. Костюченко, К. С. Журавлев

Contributors: Работа выполнена в рамках госзадания ИФП СО РАН (тема №FWGW-2025-0024).

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 28, № 1 (2025) ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 28, № 1 (2025) ; 2413-6387 ; 1609-3577

Subject Terms: дрейфовая скорость, контактное сопротивление, сильное электрическое поле

Relation: Tokumitsu T., Kubota M., Sakai K., Kawai T. Application of GaAs Device Technology to Millimeter-Waves. SEI Technical Review. 2014, no. 79, pp. 57- 65.; Cho S.J., Wang C., Kim N.Y. High power density AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs using an optimized manufacturing process for Ka-band applications. Microelectronic Engineering, 2014, vol. 113, pp. 11–19. https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.07.001; Pashkovskii A.B., Bogdanov S.A., Bakarov A.K., Grigorenko A.B., Zhuravlev K.S., Lapin V.G., Lukashin V.M., Rogachev I.A., Tereshkin E.V., Shcherbakov S.V. Millimeter-Wave Donor–Acceptor-Doped DpHEMT. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, vol. 68, no. 1, pp. 53-56. https://doi.org/10.1109/TED.2020.3038373; Chen Y.C., Bhattacharya P.K. Determination of critical layer thickness and strain tensor in InxGa1-xAs/GaAs quantum-well structures by x-ray diffraction. J. Appt. Phys, 1993, vol. 73, no. 11, pp. 7389-7394. https://doi.org/10.1063/1.354030; Požela J. Physics of High-Speed Transistors. New York: Plenum Press, 1993. 337 p. https://doi.org/10.1007/978-1-4899-1242-8.; Иващенко В.М., Митин В.В. Моделирование кинетических явлений в полупроводниках. Метод Монте-Карло. Киев: Наук. думка, 1990. 189 с.; Воробьёв Л.Е. Горячие электроны в полупроводниках и наноструктурах. СПб: Изд-во СПбГТУ, 1999. 154 с.; Kablukova E., Sabelfeld K.K., Protasov D., Zhuravlev K. Stochastic simulation of electron transport in a strong electrical field in low-dimensional heterostructures. Monte Carlo Methods and Applications, 2023, 29(4), pp. 307-322. https://doi.org/10.1515/mcma-2023-2019; Thobel J.L., Baudry L., Cappy A., Bourei P., Fauquembergue R. Electron transport properties of strained InxGa1−xAs. Appl. Phys. Lett., 1990, vol. 56 no. 4, pp. 346-348. https://doi.org/10.1063/1.102780; Айзенштат Г.И., Божков В.Г., Ющенко А.Ю. Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs. Известия ВУЗов. Физика, 2010, Т. 53, № 9, c. 34-39.; Шиленас А., Пожела Ю., Пожела К., Юцене В., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Пушкарев С.C., Климов Е.А. Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой. ФТП. 2013, Т. 47, № 3, с. 348-352.; Протасов Д.Ю., Гуляев Д.В., Бакаров А.К., Торопов А.И., Ерофеев Е.В., Журавлев К.С. Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием. Письма в Журнал Технической Физики, 2018, Т. 44, № 6, с. 77-84. https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.06.45770.17098; Kim I.H. Pd/Ge(or Si)/Pd/Ti/Au Ohmic Contacts to n-type InGaAs for AlGaAs/GaAs HBTs. Metals and Materials International, 2004, vol. 10, no. 4 , pp. 381-386.; Lee J.-M., Choi I.-H., Park S. H., Min B.-G., Lee T.-W., Park M. P., Lee K.-H. WNx/WN0.5x/W Ohmic Contact to n-InGaAs and Its Application to AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors. Journal of the Korean Physical Society, 2000, vol. 37, no. 1, pp. 43-48.; Iliadis A.A., Zahurak J.K., Neal T., Masselink W.T. Lateral Diffusion Effects in AuGe Based Source-Drain Contacts to AlInAs/InGaAs/InP Doped Channel MODFETs. Journal of Electronic Materials, 1999, vol. 28, no. 8, pp. 944-948.; Yearsley J.D., Lin J.C., Hwang E., Datta S., Mohney S.E. Ultra low-resistance palladium silicide Ohmic contacts to lightly doped n-InGaAs. Journal of Applied Physics, 2012, vol. 112, 054510 (8pp). https://doi.org/10.1063/1.4748178; Nebauer E., Mai M., Richter E., Würfl J. Low Resistance, Thermally Stable Au/Pt/Ti/WSiN Ohmic Contacts on n+-InGaAs/n-GaAs Layer Systems. Journal of Electronic Materials, 1998, vol. 27, no. 12, pp. 1372-1374.; Barker J.M., Akis R., Thornton T.J., Ferry D.K., Goodnick S.M. High Field Transport Studies of GaN. Phys. stat. sol., 2002, vol. 190, no. 1, pp. 263–270.; Barker J.M., Ferry D.K., Koleske D.D., Shul R.J. Bulk GaN and AlGaN∕GaN heterostructure drift velocity measurements and comparison to theoretical models. Journal of Applied Physics, 2005, vol. 97, 063705 (5pp). https://doi.org/10.1063/1.1854724; Yang D., Bhattacharya P.K., Hong W.P., Bhat R., Hayes J. R. High-field transport properties of lnAsxP1-x/lnP (0.3≤x≤1) modulation doped heterostructures at 300 and 77 K. J. Appl. Phys., 1992, vol. 72, no. 1, pp. 174-178. https://doi.org/10.1063/1.352154; Gulyaev D.V., Zhuravlev K.S., Bakarov A.K., Toropov A.I., Protasov D.Yu., Gutakovskii A.K., Ber B.Ya., Kazantsev D.Yu. Influence of the additional p+ doped layers on the properties of AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures for high power SHF transistors. J. Phys. D: Appl. Phys., 2016, vol. 49, 095108 (9pp). https://doi.org/10.1088/0022-3727/49/9/095108; Андреев А.Н., Растегаева М.Г., Растегаев В.П., Решанов С.А. К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 с. 832-838; Khan I.A., Cooper J.A. Measurement of high-field electron transport in silicon carbide. IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, vol. 47, no. 2, pp. 269-273. https://doi.org/10.1109/16.822266; Пожела Ю., Пожела К., Рагуотис Р., Юцене В. Дрейфовая скорость электронов в квантовых ямах селективно легированных гетероструктур In0.5Ga0.5As/AlxIn1-xAs и In0.2Ga0.8As/AlxGa1−xAs в сильных электрических полях. Физика и Техника Полупроводников, 2011, Т. 45, № 6, с. 778-782.; Thobel J.L., Baudry L., Bourel P., Dessenne F., Charef M. Monte Carlo modeling of high-field transport in III-V Heterostructures. Journal of Applied Physics, 1993, vol. 74, no. 10, pp. 6274-6280 https://doi.org/10.1063/1.355145; https://met.misis.ru/jour/article/view/602

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/602
https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202407.602

View record from BASE

2

Academic Journal

High-Frequency Properties of GaN, AlN and InN in Strong Fields

Authors: Kostiantyn Viacheslavovych Kulikov, Volodymyr Oleksandrovych Moskaliuk, Volodymyr Ivanovych Tymofieiev

Source: Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika, Vol 24, Iss 3 (2019)
Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 24, № 3 (2019); 20-32
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24, № 3 (2019); 20-32
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24, № 3 (2019); 20-32

Subject Terms: Електроніка, III-нитриды, нитрид галлия, нитрид алюминия, нитрид индия, механизмы рассеяния, междолинное рассеяние, времена релаксации, сильное электрическое поле, баллистический транспорт, динамические характеристики, граничная частота, III-нітриди, нітрид галію, нітрид алюмінію, нітрид індію, механізми розсіювання, міждолинне розсіювання, часи релаксації, сильне електричне поле, балістичний транспорт, динамічні характеристики, гранична частота, TK7800-8360, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, 7. Clean energy, Microelectronics, Микроэлектронника, 621.382, 0103 physical sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronics, III-nitrides, gallium nitride, aluminum nitride, indium nitride, scattering mechanisms, inter-valley scattering, relaxation times, strong electric field, ballistic transport, dynamic performance, cutoff frequency