Анализ методики уменьшения утечки в 7Т и 8Т ячейках SRAM на основе транзисторов FinFET

Συγγραφείς: Кушвах, Равиндра Сингх, Акеше, Шиам

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Vol. 57 No. 9 (2014); 3-17 ; Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 57 № 9 (2014); 3-17 ; Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка; Том 57 № 9 (2014); 3-17 ; 2307-6011 ; 0021-3470

Θεματικοί όροι: полевой транзистор с плавником, ток утечки, просачивающаяся мощность, статическое оперативное запоминающее устройство, ОЗУ, SRAM, саморегулирумый уровень напряжения, SVL, верхний SVL, нижний SVL, FinFET

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347014090015/24418; https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347014090015

Διαθεσιμότητα: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347014090015
https://doi.org/10.20535/S0021347014090015

Анализ методики уменьшения утечки в 7Т и 8Т ячейках SRAM на основе транзисторов FinFET

Συνεισφορές: Эта работа выполнена при поддержке Университета ITM (Гвалиор) совместно с Cadence System Design (Бангалор).

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Том 57, № 9 (2014); 3-17
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 57, № 9 (2014); 3-17

Θεματικοί όροι: полевой транзистор с плавником, ток утечки, просачивающаяся мощность, статическое оперативное запоминающее устройство, ОЗУ, SRAM, саморегулирумый уровень напряжения, SVL, верхний SVL, нижний SVL, FinFET

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347014090015

Анализ методики уменьшения утечки в 7Т и 8Т ячейках SRAM на основе транзисторов FinFET

Συνεισφορές: ELAKPI

Θεματικοί όροι: статическое оперативное запоминающее устройство, ОЗУ, ток утечки, SVL, FinFET, нижний SVL, саморегулирумый уровень напряжения, просачивающаяся мощность, верхний SVL, SRAM, полевой транзистор с плавником

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/24779