RESEARCH OF DEPENDENCES OF RELIABILITY INDICATORS OF APAR ON THE CORE TEMPERATURE OF A GAN CRYSTAL TRANSISTORS ; ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТЕЙ ПОКАЗАТЕЛЕЙ НАДЕЖНОСТИ АФАР ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ АКТИВНОЙ ЗОНЫ КРИСТАЛЛА GAN ТРАНЗИСТОРОВ ; Дослідження залежності показників надійності АФАР РЛС від температури активної зони кристала GaN транзисторів

Συγγραφείς: Костановський, Валерій Вікторович

Πηγή: Science-based technologies; Vol. 42 No. 2 (2019); 254-261 ; Наукоемкие технологии; Том 42 № 2 (2019); 254-261 ; Наукоємні технології; Том 42 № 2 (2019); 254-261 ; 2310-5461 ; 2075-0781

Θεματικοί όροι: crystal working area, microwave transistors and micromodules, failure rate, phased antenna array, mean time to failure, 623.6-523.8, 6234.017, рабочая зона кристалла, СВЧ транзисторы и микромодули, интенсивность отказов, фазированная антенная решетка, средняя наработка до отказа, робоча зона кристала, СВЧ транзистори та мікромодулі, інтенсивність відмов, фазована антенна решітка, середній наробіток до відмови

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://jrnl.nau.edu.ua/index.php/SBT/article/view/13759/19337; https://jrnl.nau.edu.ua/index.php/SBT/article/view/13759

Διαθεσιμότητα: https://jrnl.nau.edu.ua/index.php/SBT/article/view/13759
https://doi.org/10.18372/2310-5461.42.13759