The influence of uncontrolled technological impurities on the temperature dependence of the gain coefficient of a bipolar n-p-n-transistor ; Влияние технологических примесей на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистора

Authors: V. B. Odzaev, A. N. Pyatlitski, V. A. Pilipenko, U. S. Prosolovich, V. A. Filipenia, D. V. Shestovski, V. Yu. Yavid, Yu. N. Yankovski, В. Б. Оджаев, А. Н. Петлицкий, В. А. Пилипенко, В. С. Просолович, В. А. Филипеня, Д. В. Шестовский, В. Ю. Явид, Ю. Н. Янковский

Source: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series; Том 57, № 2 (2021); 232-241 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук; Том 57, № 2 (2021); 232-241 ; 2524-2415 ; 1561-2430 ; 10.29235/1561-2430-2021-57-2

Subject Terms: температурное изменение ширины запрещенной зоны, static current gain, recombination-generation current, temperature change in the band gap, статический коэффициент усиления по току, рекомбинационно-генерационный ток

File Description: application/pdf

Relation: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/590/489; Исследование влияния технологических примесей на вольт-амперные характеристики биполярного n-p-n- транзистора / В. Б. Оджаев [и др.] // Вес. Нац. акад. навук Беларуси. Сер. фiз.-тэхн. навук. – 2018. – Т. 63, № 2. – C. 244–249. https://doi. org/10.29235/1561-8358-2018-63-2-244-249; Челядинский, А. Р. Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии / А. Р. Челядинский, Ф. Ф. Комаров // Успехи физ. наук. − 2003. − Т. 173, № 8. − С. 813–846.; Белоус, А. И. Проектирование интегральных микросхем с пониженным энергопотреблением / А. И. Белоус, В. А. Емельянов, В. С. Сякерский. – Минск: Интегралполиграф, 2009. – 320 с.; Зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесей / В. Б. Оджаев [и др.] // Материалы и структуры современной электроники: Материалы VIII Междунар. науч. конф. – Минск, 2018. – С. 195–199.; SEMI M33–0988.; Surface analysis for Si–Wafers using total reflection X-ray fluorescence analysis / W. Berneike [et al.] // Fresenius’ Zeitschrift für analytische Chemie. − 1989. − Vol. 333, № 4/5. − Р. 524−526. https://doi.org/10.1007/bf00572369; Sze, S. M. Semiconductor Devices: Physics and Technology / S. M. Sze, M. K. Lee. – 3nd ed. – John Wiley & Sons Singapore Pte. Limited, 2012. – 582 p.; Блихер, А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов: пер. с англ. / А. Блихер. – Л.: Энергоатомиздат: Ленингр. отд-ние, 1986. – 248 с.; Buhanan, D. Investigation of current-gain temperature dependence in silicon transistors / D. Buhanan // IEEE Trans. Electron Devices. – 1969. – Vol. 16, № 1. – P. 117–124. https://doi.org/10.1109/t-ed.1969.16573; Фистуль, В. И. Сильнолегированные полупроводники / В. И. Фистуль. – М.: Наука, – 1967. – 416 с.; https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/590

Availability: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/590
https://doi.org/10.29235/1561-2430-2021-57-2-232-241