Influence of the active region structure of the resonant tunneling diode on the critical points of its current-voltage characteristic

Πηγή: Радіотехніка; № 208 (2022): Радіотехніка; 65-71
Радиотехника; № 208 (2022): Радиотехника; 65-71
Radiotekhnika; No. 208 (2022): Radiotekhnika; 65-71

Θεματικοί όροι: вольт-амперна характеристика, резонансно-туннельный диод, quantum well, энергия, structure, energy, хвиля, барьер, резонансно-тунельний діод, квантовая яма, volt-ampere characteristic, wave, бар'єр, 7. Clean energy, структура, tunneling, квантова яма, волна, resonant-tunnel diode, barrier, туннелирование, енергія, тунелювання, вольт-амперная характеристика

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://rt.nure.ua/article/view/257179

Modification of active region of resonant tunnel diode

Πηγή: Радіотехніка; № 205 (2021): Радіотехніка; 108-112
Радиотехника; № 205 (2021): Радиотехника; 108-112
Radiotekhnika; No. 205 (2021): Radiotekhnika; 108-112

Θεματικοί όροι: резонансно-туннельный диод, negative differential conductivity, рівняння Шредінгера, квантовое ограничение, quantum well, резонансно-тунельний діод, отрицательная дифференциальная проводимость, квантовая яма, Schrödinger equation, 7. Clean energy, квантове обмеження, уравнение Шредингера, potential barrier, потенційний бар′єр, тунелирование, tunneling, квантова яма, resonant-tunnel diode, негативна диференційна провідність, quantum constraint, потенциальный бартер, тунелювання

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://rt.nure.ua/article/view/239523

Модифікація активної області резонансно-тунельного діоду

Συγγραφείς: Яцун, К. С.

Θεματικοί όροι: радиотехника, резонансно-тунельний діод

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://openarchive.nure.ua/handle/document/20080

Διαθεσιμότητα: https://openarchive.nure.ua/handle/document/20080

Модифікація активної області резонансно-тунельного діоду

Συγγραφείς: Яцун, К. С., Пащенко, А. Г.

Θεματικοί όροι: резонансно-тунельний діод

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://openarchive.nure.ua/handle/document/8814

Διαθεσιμότητα: http://openarchive.nure.ua/handle/document/8814

Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів

Συνεισφορές: Тимофєєв, В. І., Національний технічний університет України 'Київський політехнічний інститут', ELAKPI

Θεματικοί όροι: тринітриди, резонансно-тунельний діод, імпульсні властивості, часи релаксації, гетеротранзистор із квантовими точками, самоузгоджена модель, тепловий опір, теплова модель

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/2696

Дослідження новітніх напівпровідникових наноприладів і нанокомпонентів інтегральних схем на основі квантових одно- і двовимірних структур

Συνεισφορές: Тимофєєв В., Національний технічний університет України 'Київський політехнічний інститут', ELAKPI

Θεματικοί όροι: сильне електричне поле, тринітриди, вуглецеві нанотрубки, резонансно-тунельний діод, механізми розсіювання, пасивні нанокомпоненти, часи релаксації, самоузгоджена модель, гетеробіполярний транзистор, гетеротранзистор з квантовими точками, електротепловий аналіз

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/1247

Дослідження новітніх нанорозмірних напівпровідникових структур та приладів для розроблення і впровадження технологій їх виготовлення

Συνεισφορές: Тимофєєв В., Національний технічний університет України 'Київський політехнічний інститут', ELAKPI

Θεματικοί όροι: квантова точка, квантова яма, резонансно-тунельний діод, гетероперехід, механізми розсіювання, часи релаксації, поле-температурні та поле-швидкісні характеристики, низбкорозмірні структури, напівпровідникові сполуки АIIIВV, високочастотна провідність

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/1369

Резонансно-тунельний діод і прилади на його основі

Συγγραφείς: Прокіпець, М. В.

Θεματικοί όροι: резонансно-тунельний діод, квантово-розмірна структура, напівпровідникові з'єднання

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://openarchive.nure.ua/handle/document/25853

Διαθεσιμότητα: https://openarchive.nure.ua/handle/document/25853

Вплив структури активної області резонансно-тунельного діоду на критичні точки його вольт-амперної характеристики

Συγγραφείς: Яцун, К. С.

Θεματικοί όροι: резонансно-тунельний діод, вольт-амперна характеристика, тунелювання, квантова яма

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://openarchive.nure.ua/handle/document/23313

Διαθεσιμότητα: https://openarchive.nure.ua/handle/document/23313

Розрахунок спектральних характеристик резонансно-тунельних структур на основі методу S-матриці

Θεματικοί όροι: резонансно-туннельный диод, резонансна енергія, resonance energy, резонансно-тунельний діод, modeling, numerical calculation, моделирование, resonant tunneling diodes, чисельний розрахунок, численный расчет, моделювання, резонансная энергия

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40800

Розрахунок спектральних характеристик резонансно-тунельних структур на основі методу S-матриці

Συγγραφείς: Бабіч, А.В., Коротун, А.В.

Θεματικοί όροι: резонансно-тунельний діод, резонансно-туннельный диод, resonant tunneling diodes, моделювання, моделирование, modeling, резонансна енергія, резонансная энергия, resonance energy, чисельний розрахунок, численный расчет, numerical calculation

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40800

Διαθεσιμότητα: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40800

Електронний транспорт та квантово-розмірні ефекти в резонанснотунельному діоді

Συγγραφείς: Федяй, Артем Васильович

Συνεισφορές: Москалюк Володимир Олександрович, Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут", електроніки

Θεματικοί όροι: резонансно-тунельний діод, електронний транспорт, квантово-розмірні ефекти, моделювання, резонансно-туннельный диод, электронный транспорт, квантово-размерные эффекты, моделирование, resonant-tunneling diode, electron transport, quantum-dimensional effects, modeling

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Федяй А. В. Електронний транспорт та квантово-розмірні ефекти в резонанснотунельному діоді : дис. . канд. техн. наук. : 05.27.01 – твердотільна електроніка / А. В. Федяй. - К., 2012. - 207 л. + CD-ROM; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/1672

Διαθεσιμότητα: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/1672