Destruction of the conducting state by ac electric field in naphthalocyanine complexes

Authors: Pshenichnyi, Vadim, Drozdov, Konstantin, Dubinina, Tatyana

Subject Terms: nanowires, resistive switching, alternating electric field, резистивные переключения, 7. Clean energy, нанонити, переменное электрическое поле

Application of numerical simulation in investigation of memristor structures based on oxides and chalcogenides ; Применение численного моделирования в исследовании мемристивных структур на основе оксидов и халькогенидов

Authors: V. V. Sirotkin, N. A. Tulina, В. В. Сироткин, Н. А. Тулина

Contributors: This work was supported by the RFBR grants No. 19-29-03011mk and No. 19-29-03021mk., Работа поддержана грантами РФФИ № 19-29-03011мк и № 19-29-03021мк.

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 22, № 4 (2019); 246-252 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 22, № 4 (2019); 246-252 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2019-4

Subject Terms: биполярные резистивные переключения, мемристоры, высокотемпературные сверхпроводники, селенид висмута, электродиффузия, математическое моделирование, численные алгоритмы, memristors, high-temperature superconductors, bismuth selenide, electrodiffusion, mathematical simulation, numerical algorithms

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/345/307; Strukov D. B., Snider G. S., Stewart D. R., Williams R. S. The missing memristor found // Nature. 2008. V. 453. P. 80—83. DOI:10.1038/nature06932; Ventra M. D., Pershin Yu. V., Chua L. O. Circuit elements with memory: memristors, memcapacitors, and meminductors // Proc. IEEE. 2009. V. 97, Iss. 10. P. 1717—1724. DOI:10.1109/JPROC.2009.2021077; Jeong D. S., Thomas R., Katiyar R. S., Scott J. F., Kohlstedt H., Petraru A., Hwang Ch. S. Emerging memories: resistive switching mechanisms and current status // Rep. Prog. Phys. 2012. V. 75, N 7. Art. No. 076502. DOI:10.1088/0034-4885/75/7/076502; Yang J. J., Strukov D. B., Stewart D. R. Memristive devices for computing // Nature Nanotech. 2013. V. 8. P. 13—24. DOI:10.1038/nnano.2012.240; Петров А., Алексеева Л., Иванов А., Лучинин В., Романов А., Чикев T., Набатамэ Т. На пути к нейроморфной мемристорной компьютерной платформе // Наноиндустрия. 2016. Вып. 1. С. 94—109. DOI:10.22184/1993-8578.2016.63.1.94.109; Pershin Yu. V., Ventra M. D. Memory effects in complex materials and nanoscale systems // Adv. Phys. 2011. V. 60. P. 145—227. DOI:10.1080/00018732.2010.544961; Tulina N. A., Sirotkin V. V. Electron instability in doped-manganites-based heterojunctions // Physica C: Superconductivity. 2004. V. 400, Iss. 3–4. P. 105—110. DOI:10.1016/j.physc.2003.07.002; Tulina N. A., Borisenko I. Yu., Sirotkin V. V. Reproducible resistive switching effect for memory applications in heterocontacts based on strongly correlated electron systems // Phys. Lett. A. 2008. V. 372, Iss. 44. P. 6681—6686. DOI:10.1016/j.physleta.2008.09.015; Tulina N. A., Borisenko I. Yu., Sirotkin V. V. Bipolar resistive switchings in Bi2Sr2CaCu2O8+δ // Solid State Communications. 2013. V. 170. P. 48—52. DOI:10.1016/j.ssc.2013.07.023; Tulina N. А., Rossolenko А. N., Shmytko I. М., Кolesnikov N. N., Borisenko D. N., Bozhko S. I., Ionov А. М. Rectification and resistive switching in mesoscopic heterostructures based on Bi2Se3 // Materials Letters. 2015. V. 158. P. 403—405. DOI:10.1016/j.matlet.2015.06.060; Tulina N. A., Rossolenko A. N., Ivanov А. А., Sirotkin V. V., Shmytko I. M., Borisenko I. Yu., Ionov А. М. Nd2-xCexCuO4-y/Nd2-xCexOy boundary and resistive switchings in mesoscopic structures on base of epitaxial Nd1.86Ce0.14CuO4-у films // Physica C: Superconductivity and its Applications. 2016. V. 527. P. 41—45. DOI:10.1016/j.physc.2016.05.015; Сироткин В. В., Тулина Н. А., Россоленко А. Н., Борисенко И. Ю. Исследование методом численного моделирования влияния анизотропии на резистивные переключения в гетероструктурах на основе оксидных соединений // Известия РАН, сер. Физическая. 2016. Т. 80, № 5. С. 551—553. DOI:10.7868/S0367676516050197; Тулина Н. А., Россоленко А. Н., Шмытько И. М., Колесников Н. Н., Борисенко Д. Н., Сироткин В. В., Борисенко И. Ю. Частотные свойства гетероструктур на основе селенида висмута в эффектах резистивных переключений. Эксперимент, численное моделирование // Известия РАН, сер. Физическая. 2016. Т. 80, № 6. С. 741—743. DOI:10.7868/S0367676516060387; Tulina N. A. Memristor properties of high temperature superconductors. URL: https://arxiv.org/abs/1801.09428; Tulina N. A., Rossolenko A. N., Shmytko I. M., Ivanov А. А., Sirotkin V. V., Borisenko I. Yu., Tulin V. A. Properties of percolation channels in planar memristive structures based on epitaxial films of a YBa2Cu3O7-δ high temperature superconductor // Supercond. Sci. Technol. 2018. V. 32, N 1. Art. No. 015003. DOI:10.1088/1361-6668/aae966; Тулина Н. А., Россоленко А. Н., Шмытько И. М., Колесников Н. Н., Борисенко Д. Н., Сироткин В. В., Борисенко И. Ю., Тулин В. А. Исследование динамических эффектов в мемристорных структурах на основе селенида висмута. Нужен ли мемристору «хвост шаттла» // Известия РАН, сер. Физическая. 2019. Т. 83, № 6. С. 813—817. DOI:10.1134/S0367676519060358; Тулина Н. А., Россоленко А. Н., Шмытько И. М., Иванов А. А., Ионов А. М., Божко С. И., Сироткин В. В., Борисенко И. Ю., Тулин В. А. Функциональные свойства анизотропных перовскитных соединений в мемристорных структурах для применения в электронике // Наноиндустрия. 2019. N S. С. 237—240. DOI:10.22184/NanoRus.2019.12.89.237.240; URL: http://www.nanoindustry.su/files/article_pdf/7/article_7591_5.pdf; Марчук Г. И. Методы вычислительной математики. М.: Наука, 1977. 456 с.; Trottenberg U., Oosterlee C. W., Schüller A. Multigrid. London: Acad. Press, 2001. 631 p.; Сироткин В. В. Высокоэффективный декомпозиционный алгоритм для моделирования тепловых режимов мощных транзисторов // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2016. Т. 16, № 3. С. 181—183.; https://met.misis.ru/jour/article/view/345

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/345
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2019-4-246-252

Увеличение диапазона резистивного переключения мемристора для реализации большего числа синаптических состояний в нейропроцессоре ; Increase of switching range of resistive memristor for realization of a greater number of synaptic states in a neuroprocessor

Authors: Бобылев, А. Н., Удовиченко, С. Ю., Бусыгин, А. Н., Ибрагим, А. Х., Bobylev, A. N., Udovichenko, S. Yu., Busygin, A. N., Ebrahim, A. H.

Subject Terms: нейропроцессор, энергонезависимая резистивная память, резистивные переключения, синаптические состояния, нанотехнология, мемристор, смешанные оксиды металлов, neuroprocessor, non-volatile resistive memory, resistance switching, synaptic states, nanotechnology, memristor, mixed metal oxides

File Description: application/pdf

Relation: Вестник Тюменского государственного университета: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика; https://openrepository.ru/article?id=360099

Availability: https://doi.org/10.21684/2411-7978-2019-5-2-124-136
https://openrepository.ru/article?id=360099

Nanoelectronic devices with memory-effect of electromigration of oxygen vacancies in complex oxides of transition metals

Authors: Belogolovskii, M. А., Larkin, S. Y.

Source: Electronics and Communications; Том 18, № 2 (2013); 9-15
Электроника и Связь; Том 18, № 2 (2013); 9-15
Електроніка та Зв'язок; Том 18, № 2 (2013); 9-15

Subject Terms: 0103 physical sciences, nanotechnology, memristor, resistive switching, complex oxides, oxygen vacancies, нанотехнології, мемристор, резистивні перемикання, складні оксиди, кисневі вакансії, 01 natural sciences, нанотехнологии, резистивные переключения, сложные оксиды, кислородные вакансии

File Description: application/pdf

Access URL: https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2013E&C....18b...9B/abstract
http://elc.kpi.ua/old/article/view/173993

Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов

Authors: Belogolovskii, M. A., Larkin, S. Y.

Contributors: ELAKPI

Subject Terms: сложные оксиды, nanotechnology, resistive switching, мемристор, oxygen vacancies, кислородные вакансии, complex oxides, резистивные переключения, нанотехнології, нанотехнологии, резистивні перемикання, складні оксиди, кисневі вакансії, memristor

File Description: application/pdf

Access URL: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/3629

Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов ; Наноелектронні пристрої з пам'яттю на основі ефекту електроміграції кисневих вакансій у складних оксидах перехідних металів ; Nanoelectronic devices with memory-effect of electromigration of oxygen vacancies in complex oxides of transition metals

Authors: Белоголовский, М. А., Ларкин, С. Ю., Білоголовський, М. А., Ларкін, С. Ю., Belogolovskii, M. A., Larkin, S. Y.

Source: Electronics and Communications : научно-технический журнал, № 2(73)

Subject Terms: нанотехнологии, мемристор, резистивные переключения, сложные оксиды, кислородные вакансии, нанотехнології, резистивні перемикання, складні оксиди, кисневі вакансії, nanotechnology, memristor, resistive switching, complex oxides, oxygen vacancies, 621.382: 539.292

File Description: С. 9-15; application/pdf

Relation: Белоголовский М. А. Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов / М. А. Белоголовский, С. Ю. Ларкин // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 2(73). – С. 9–15. – Библиогр.: 11 назв.; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/3629

Availability: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/3629