Изучение поверхности структур металл / кремний, полученных ионно-ассистируемым осаждением покрытий в вакууме

Θεματικοί όροι: цирконий, ионно-ассистируемое осаждение, молибден, метод резонансных ядерных реакций, титан, нанотвердость, резерфордовское обратное рассеяние, кремний

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/67767

Композиционный состав приповерхностных слоев структур Co/Si и Co/(Si+Xe), полученных ионно-ассистируемым осаждением в вакууме

Θεματικοί όροι: метод ядерных реакций, осаждение в вакууме, ионно-ассистируемое осаждение, резерфордовское обратное рассеяние, кремний

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/59364

Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов алюминия и фосфора

Θεματικοί όροι: арсенид галлия, ионы гелия, дефектообразование, ионы алюминия, имплантация ионов, ионы фосфора, резерфордовское обратное рассеяние

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/57020

Элементный анализ поверхностных структур, полученных ионно-ассистируемым осаждением на сталь 40Х покрытий на основе Ti, Cr, W

Θεματικοί όροι: элементный анализ, ионы гелия, осаждение покрытий, резонансные ядерные реакции, ионно-ассистируемое осаждение, бериллий, поверхностные структуры, компьютерное моделирование, резерфордовское обратное рассеяние

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/51185

Состав Ti/Si- и Co/Si-структур, сформированных ионно-ассистируемым осаждением

Θεματικοί όροι: ионно-ассистируемое осаждение, метод резонансных ядерных реакций, титан, водород, кобальт, резерфордовское обратное рассеяние, кремний

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/50805

LOCALIZATION OF IONIZING RADIATION BY NANOSCALE CAPILLARY CERAMIC MATRIX

Πηγή: Химическая безопасность / Chemical Safety Science. 3:7-17

Θεματικοί όροι: керамические матрицы, мембраны, ионизирующее излучение, нанопористый оксид алюминия, 7. Clean energy, резерфордовское обратное рассеяние

Состав приповерхностных слоев структур Ti/Si и Cо/Si, полученных ионно-ассистируемым осаждением в вакууме

Θεματικοί όροι: метод ядерных реакций, ионы гелия, ксеноновый маркер, осаждение покрытий, ионно-ассистируемое осаждение, резерфордовское обратное рассеяние

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/47988

Исследование состава, структуры и смачиваемости поверхности модифицированной резины

Θεματικοί όροι: поверхность модифицированной резины, нанесение покрытий, коэффициент трения, радиационное ассистирование, смачиваемость поверхности, краевой угол смачивания, атомно-силовая спектроскопия, ионно-ассистированное нанесение, резерфордовское обратное рассеяние

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/45467

Особенности формирования тонких пленок функциональных покрытий, осажденных на кремнии ионно-лучевым распылением Mo, Cr

Θεματικοί όροι: условия ионного ассистирования, ионно-ассистированное осаждение, пластины монокристаллического кремния, кремниевые пластины, металлические покрытия, резерфордовское обратное рассеяние

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/44602

Элементный состав и микротвердость структур Mo-W/Al, Ti-Mo-W/Al, сформированных последовательным осаждением покрытий

Θεματικοί όροι: саморадиация, вольфрам, ионно-ассистированное осаждение, алюминий, гелий, молибден, титан, микротвердость, покрытия, резерфордовское обратное рассеяние

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/40563

Распределение элементов по глубине в структурах Me/Ti, полученных ионно-ассистируемым осаждением

Θεματικοί όροι: нанесение покрытий, ионы гелия, осаждение покрытий, тонкопленочные структуры, ионно-ассистируемое осаждение, титан, компьютерное моделирование, резерфордовское обратное рассеяние

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/40169

Изучение композиционного состава покрытий на основе W, сформированных на стали 40Х методом ионно-ассистированного осаждения

Θεματικοί όροι: вольфрам, сталь 40Х, ионно-ассистирующее осаждение, металлсодержащие покрытия, ионно-лучевые технологии, резерфордовское обратное рассеяние

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/37519

Недеструктивный количественный элементный анализ поверхности материалов ; Non-destructive quantitative elemental analysis of the surface of materials

Συγγραφείς: Егоров, Евгений Владимирович, Егоров, Владимир Константинович (канд. физ.-мат. наук), Кореневский, Егор Леонидович

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 1. С. 120-125

Θεματικοί όροι: количественный анализ, элементный состав, резерфордовское обратное рассеяние, диагностика, тонкие пленки

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: koha:001133809; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133809

Διαθεσιμότητα: https://doi.org/10.17223/00213411/67/1/14
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133809

Композиционный состав и дефектообразование в кремнии с имплантированным маркером Хе при нанесении титана в условиях ионного ассистирования

Θεματικοί όροι: дефектообразование, имплантированные маркеры Хе, микроэлектроника, каналирование, Хе-маркеры, компьютерное моделирование, ионно-ассистированные нанесения покрытий, резерфордовское обратное рассеяние, кремний

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/36296

Formation of the IR photodetecting structures based on silicon hyperdoped with tellurium ; Формирование фотоприемных структур ИК-диапазона путем пересыщения кремния теллуром

Συγγραφείς: Fadei F. Komarov, Nikita S. Nechaev, Irina N. Parkhomenko, Gennadii D. Ivlev, Liudmila A. Vlasukova, Vladimir V. Pilko, Elke Wendler, Alexander F. Komarov, Ф. Ф. Комаров, Н. С. Нечаев, И. Н. Пархоменко, Г. Д. Ивлев, Л. А. Власукова, В. В. Пилько, Э. Вендлер, А. Ф. Комаров

Πηγή: Doklady of the National Academy of Sciences of Belarus; Том 63, № 4 (2019); 430-436 ; Доклады Национальной академии наук Беларуси; Том 63, № 4 (2019); 430-436 ; 2524-2431 ; 1561-8323 ; 10.29235/1561-8323-2019-63-4

Θεματικοί όροι: спектры поглощения, Te hyperdoped with Si, ion implantation, pulsed laser melting, Rutherford backscattering spectroscopy, Raman spectroscopy, absorption spectra, кремний, высокодозная имплантация ионов Te, импульсный лазерный отжиг, резерфордовское обратное рассеяние, комбинационное рассеяние света

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/630/635; Visible and near-infrared responsivity of femtosecond-laser microstructured silicon photodiodes / J. E. Carey [et al.] // Opt. Lett. – 2005. – Vol. 30, N 14. – P. 1773–1775. https://doi.org/10.1364/ol.30.001773; Fabrication and subband gap optical properties of silicon supersaturated with chalcogens by ion implantation and pulsed laser melting / B. Bob [et al.] // J. Appl. Phys. – 2010. – Vol. 107 – Art. 123506. https://doi.org/10.1063/1.3415544; Schibli, E. Deep impurities in silicon / E. Schibli, A. G. Milnes // Materials Science and Engineering. – 1967. – Vol. 2, N 4. – P. 173–180. https://doi.org/10.1016/0025-5416(67)90056-0; Room-temperature short-wavelength infrared Si photodetector / Y. Berencén [et al.] // Sci. Rep. – 2017. – Vol. 7, N 1. – Art. 43688. https://doi.org/10.1038/srep43688; Shockley, W. Detailed balance limit of efciency of p–n junction solar cells / W. Shockley, H. J. Queisser // J. Appl. Phys. – 1961. – Vol. 32, N 3. – P. 510–519. https://doi.org/10.1063/1.1736034; Luque, A. Increasing the efciency of ideal solar cells by photon induced transitions at intermediate levels / A. Luque, A. Martí // Phys. Rev. Lett. – 1997. – Vol. 78, N 26. – P. 5014–5017. https://doi.org/10.1103/physrevlett.78.5014; Gossmann, H. J. Junctions for deep sub-100 nm MOS: How far will ion implantation take us? / H. J. Gossmann, C. S. Rafferty, P. Keys // MRS Proceedings. – 2000. – Vol. 610. – P. B1.2.1–B1.2.10. https://doi.org/10.1557/proc-610-b1.2; Gossmann, H. J. Doping of Si thin flms by low temperature molecular beam epitaxy / H. J. Gossmann, F. C. Unterwald, H. S. Luftman // J. Appl. Phys. – 1993. – Vol. 73, N 12. – P. 8237−8241. https://doi.org/10.1063/1.353441; Insulator-to-Metal Transition in Selenium-Hyperdoped Silicon: Observation and Origin / E. Ertekin [et al.] // Phys. Rev. Lett. – 2012. – Vol. 108, N 2. – Art. 026401. https://doi.org/10.1103/physrevlett.108.026401; Hyperdoping silicon with selenium: solid vs. liquid phase epitaxy / S. Zhou [et al.] // Sci. Rep. – 2015. – Vol. 5, N 1. – Art. 8329. https://doi.org/10.1038/srep08329; Thermal stability of Te-hyperdoped Si: Atomic-scale correlation of the structural, electrical and optical properties / M. Wang [et al.] // Phys. Rev. Materials. – 2019. – Vol. 3, N 4. – Art. 044606. https://doi.org/10.1103/physrevmaterials.3.044606; Mayer, M. SIMNRA User’s Guide / M. Mayer. – Garching, 1997. – 62 p.; Simulation of the process of high dose ion implantation in solid targets / A. F. Komarov [et al.] // Nukleonika. – 1999. – Vol. 44, N 2. – P. 363–368.; Feldman, L. C. Materials analysis by ion channeling: Submicron crystallography / L. C. Feldman, J. W. Mayer, S. T. Picraux. – New York, 1982. – 300 p.; https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/630

Διαθεσιμότητα: https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/630
https://doi.org/10.29235/1561-8323-2019-63-4-430-436

Влияние воздействия термического отжига на дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора

Θεματικοί όροι: арсенид галлия, дефектообразование, резерфордовское обратное рассеяние ионов гелия, термический отжиг, имплантированные слои кристаллов, кристаллы, имплантация ионов фосфора

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/28447

Исследование структуры и химических связей в покрытиях на основе W, полученных на эластомере методом ионно-ассистированного осаждения

Θεματικοί όροι: саморадиация, ионно-ассистированное осаждение, эластомеры, фотоэлектронная спектроскопия, защитные покрытия, вольфрамовые покрытия, поверхность эластомеров, рентгеновская спектроскопия, резерфордовское обратное рассеяние

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/28128

Элементный состав структуры Cu/Al, сформированной динамическим атомным перемешиванием

Θεματικοί όροι: осаждение покрытий, наноструктуры, динамическое атомное перемешивание, ионно-лучевое модифицирование, модифицирование поверхности материалов, резерфордовское обратное рассеяние

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/28118

Влияние воздействия термического отжига на дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора

Θεματικοί όροι: арсенид галлия, дефектообразование, резерфордовское обратное рассеяние ионов гелия, термический отжиг, имплантированные слои кристаллов, кристаллы, имплантация ионов фосфора

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://openrepository.ru/article?id=31502

Композиционный состав приповерхностных слоев структур Co/Si и Co/(Si+Xe), полученных ионно-ассистируемым осаждением в вакууме

Συγγραφείς: Тульев, Валентин Валентинович

Θεματικοί όροι: кремний, ионно-ассистируемое осаждение, осаждение в вакууме, резерфордовское обратное рассеяние, метод ядерных реакций

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://elib.belstu.by/handle/123456789/59364; 539.1.06:539.23.234

Διαθεσιμότητα: https://elib.belstu.by/handle/123456789/59364