Магнетофононный резонанс в двумерных структурах с квантовой ямой

Θεματικοί όροι: резонансное рассеяние электронов, зоны пространственного квантования, барьеры из короткопериодных сверхрешеток, квантовая яма, оптические фононы, двумерные структуры, Магнетофононный резонанс

Monte Carlo Simulation of Flash Memory Elements’ Electrophysical Parameters ; Моделирование электрофизических параметров элементов флеш-памяти методом Монте-Карло

Συγγραφείς: O. G. Zhevnyak, V. M. Borzdov, A. V. Borzdov, A. N. Petlitsky, О. Г. Жевняк, В. М. Борздов, А. В. Борздов, А. Н. Петлицкий

Πηγή: Devices and Methods of Measurements; Том 13, № 4 (2022); 276-280 ; Приборы и методы измерений; Том 13, № 4 (2022); 276-280 ; 2414-0473 ; 2220-9506 ; 10.21122/2220-9506-2022-13-4

Θεματικοί όροι: метод Монте-Карло, electron mobility, electron scattering, tunneling current, Monte Carlo method, подвижность электронов, рассеяние электронов, туннельный ток

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/790/639; De Salvo B. Silicon Non-Volatile Memories: paths of innovation. London: Wiley-ISTE, 2013, 234 p.; Keyes R.W. Physical limits of silicon transistors and circuits. Rep. Prog. Phys., 2005, vol. 68, pp. 2701– 2746. DOI:10.1088/0034-4885/68/12/R01; Gerardi C., Ancarani V., Portoghese R., Giuffrida S., Bileci M., Bimbo G., Brafa O., Mello D., Ammendola G., Tripiciano E., Puglisi R., Lombardo S.A. Nanocrystal Memory Cell Integration in a Stand-Alone 16-Mb NOR Flash Device. IEEE Trans. Electron Devices, 2007, vol. 54, no. 6, pp. 1376–1383. DOI:10.1109/TED.2007.895868; Govoreanu B., Wellekens D., Haspeslagh L., Brunco D.P., De Vos J., Aguado D. Ruiz, Blomme P., Van der Zanden K., Van Houdt J. Performance and Reliability of HfAlOx-based Interpolary Dielectrics for FloatingGate Flash Memory. Solid-State Electron., 2008, vol. 52, no. 4, pp. 557–563. DOI:10.1016/j.sse.2008.01.012; Zhevnyak O.G., Borzdov V.M., Borzdov A.V. Simulation of drain depth effect on parasitic currents in flash-memory cells. Eurasian Union of Scientists. Series: technical, physical and mathematical sciences, 2021, vol. 1, no. 12, pp. 58–61. DOI:10.31618/ESU.2413-9335.2021.1.93.1542; Boukhobza J., Olivier P. Flash Memory Integration. Performance and Energy Considerations. London: ISTE press Ltd. Publ., 2017, 250 p.; Borzdov V.M., Zhevnyak O.G., Komarov F.F., Galenchik V.O. Monte Carlo simulation of device structures of integrated electronics. Minsk: BSU, 2007, 175 p.; Chau Q. An efficient numerical approach to studying impact ionization in sub-micrometer devices. J. Comput. Electron., 2014, no. 13, pp. 329–337. DOI:10.1007/s10825-013-0536-x; Jacoboni C., Lugli P. The Monte Carlo method for semiconductor device simulation. Wien–New York: Springer, 2012, 359 p.; Moglestue C. Monte Carlo Simulation of Semiconductor Devices. Wien: Springer, 2013, 334 p.; https://pimi.bntu.by/jour/article/view/790

Διαθεσιμότητα: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/790
https://doi.org/10.21122/2220-9506-2022-13-4-276-280

Введение в просвечивающую электронную микроскопию 'in situ'

Συγγραφείς: Багмут, Александр Григорьевич, Багмут, Иван Александрович

Θεματικοί όροι: электронные лучи, рассеяние электронов, муаровые полосы, магнитный контраст, автоэпитаксия, дископодобные кристаллы, кристаллизационные моды

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Багмут А. Г. Введение в просвечивающую электронную микроскопию "in situ" : учеб. пособие / А. Г. Багмут, И. А. Багмут; Нац. техн. ун-т "Харьков. политехн. ин-т". – Харьков : В деле, 2020. – 176 с.; http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/47995; orcid.org/0000-0001-5286-0617

Διαθεσιμότητα: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/47995

Моделирование эффекта Дэвиссона–Джермера методом динамики частиц ; Modelirovanie effekta Devissona-Dzhermera metodom dinamiki chastits

Συγγραφείς: Посметьев Виктор Валерьевич, Viktor V. Posmetev

Πηγή: A breakthrough in science: development strategies; 9-12 ; Новое слово в науке: стратегии развития; 9-12

Θεματικοί όροι: опыт Дэвиссона–Джермера, рассеяние электронов, монокристалл, метод динамики частиц, микрочастицы, волновые свойства, классическая механика

Περιγραφή αρχείου: text/html

Relation: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/isbn/978-5-6045909-0-4; https://interactive-plus.ru/e-articles/738/Action738-553088.pdf; Экштайн В. Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела / В. Экштайн. – М.: Мир, 1995. – 319 с.; Посметьев В.В., Рентгенодифракционное исследование и компьютерное моделирование атомной структуры аморфных материалов / В.В. Посметьев, Ю.В. Бармин // Вестник ВГТУ: Сер. Материаловедение. – 2002. – Вып. 1.11. – C. 20–22.; Posmet'yev V.V. The Model of Random Close Packing of Charged Spheres / V.V. Posmet’yev, L.N. Korotkov, Yu.V. Barmin // The XXI International Conference on Relaxation Phenomena in Solids. – Voronezh, Russia, 2004. – P. 257.; Хеерман Д.В. Методы компьютерного эксперимента в теоретической физике / Д.В. Хеерман. – М.: Наука, 1990. – 176 с.

Διαθεσιμότητα: https://interactive-plus.ru/files/Books/6018e9f614eeb.jpeg?req=553088
https://interactive-plus.ru/article/553088/discussion_platform

Введение в просвечивающую электронную микроскопию 'in situ'

Θεματικοί όροι: автоэпитаксия, рассеяние электронов, кристаллизационные моды, электронные лучи, муаровые полосы, дископодобные кристаллы, магнитный контраст

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/47995

PHYSICS OF NANOTRANSISTORS: ELECTRON SCATTERING AND MOSFET TRANSMISSION MODEL

Πηγή: Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 17, № 2 (2020); 16-34
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 17, № 2 (2020); 16-34
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 17, № 2 (2020); 16-34

Θεματικοί όροι: наноелектроніка, польовий транзистор, MOSFET, модель ЛДЛ, метрика транзисторів, розсіювання електронів, модель проходження, nanoelectronics, field effect transistor, MOSFET, LDL model, transistor metrics, electron scattering, transmission model, наноэлектроника, полевой транзистор, MOSFET, модель ЛДЛ, метрика транзисторов, рассеяние электронов, модель прохождения

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://semst.onu.edu.ua/article/view/205822

ELECTRON SCATTERING BY THE BORON ATOM

Συγγραφείς: Bandurina, L. O., Gedeon, V. F.

Πηγή: Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics; Том 33 (2013); 100-105
Научный вестник Ужгородского университета. Серия Физика; Том 33 (2013); 100-105
Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика; Том 33 (2013); 100-105

Θεματικοί όροι: Атом бору, Електронне розсіяння, Метод R-матриці з B-сплайнами, Інтегральні перерізи, 0103 physical sciences, 539.1.08, 539.198, Атом бора, рассеяние электронов, Метод R-матрицы с B-сплайнами, Интегральные сечения, The boron atom, Electron scattering, The B-spline R-matrix method, Integral cross section, Resonance structure, 7. Clean energy, 01 natural sciences

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2196
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/bitstream/lib/2196/1/ELECTRON%20SCATTERING%20BY%20THE%20BORON%20ATOM.pdf
http://fizyka-visnyk.uzhnu.edu.ua/article/view/145407

Непружне розсіяння електронів на збуджених атомах барію

Πηγή: Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics; Том 43 (2018); 108-116
Научный вестник Ужгородского университета. Серия Физика; Том 43 (2018); 108-116
Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика; Том 43 (2018); 108-116

Θεματικοί όροι: Атом Ba, Псевдостани, Розсіяння електронів, Сильний зв'язок каналів, Метод R-матриці, Інтегральні перерізи розсіяння, Ba atom, Pseudostates, Electron scattering, Channels close coupling, R-matrix method, Scattering integral cross-sections, Псевдосостояния, Рассеяние электронов, Сильная связь каналов, Метод R-матрицы, Интегральные сечения рассеяния, 7. Clean energy, 539.186

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://fizyka-visnyk.uzhnu.edu.ua/article/view/148864

ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В СИСТЕМАХ С ПРОСТРАНСТВЕННЫМИ ОГРАНИЧЕНИЯМИ

Πηγή: Радіоелектроніка та інформатика; № 3(82) (2018)
Радиоэлектроника и информатика; № 3(82) (2018)
Radioelectronics & Informatics; № 3(82) (2018)

Θεματικοί όροι: фотогальванический эффект, пространственные ограничения, центр инверсии, вектор поляризации, изотропная среда, кубический кристалл, рассеяние электронов, анизотропия возбуждения, квазиравновесные функции, длина свободного пробега, симметричный резонанс, функция импульса

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://reinf.nure.ua/article/view/162776

Диференціальні 3D-перерізи розсіяння електронів на атомі фтору

Πηγή: Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics; Том 42 (2017); 121-127
Научный вестник Ужгородского университета. Серия Физика; Том 42 (2017); 121-127
Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика; Том 42 (2017); 121-127

Θεματικοί όροι: Атом F, Рассеяние электронов, Метод R-матрицы с B-сплайнами, Дифференциальные сечения рассеяния, 3D-поверхности, F atom, Electron scattering, B-splines R-matrix method, Differential scattering cross-sections, 3D surfaces, Розсіяння електронів, Метод R-матриці з B-сплайнами, Диференціальні перерізи розсіяння, 3D-поверхні, 539.186

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://fizyka-visnyk.uzhnu.edu.ua/article/view/121300

УЧЕТ РАССЕЯНИЯ В ТРАНСПОРТНОЙ МОДЕЛИ ЛАНДАУЭРА-ДАТТЫ-ЛУНДСТРОМА

Συγγραφείς: Кругляк, Ю.

Θεματικοί όροι: НАНОФИЗИКА, НАНОЭЛЕКТРОНИКА, РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ, РАССЕЯНИЕ ФОНОНОВ, КОЭФФИЦИЕНТ ПРОХОЖДЕНИЯ, ДЛИНА СВОБОДНОГО ПРОБЕГА, КОЭФФИЦИЕНТ ДИФФУЗИИ, ПОДВИЖНОСТЬ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/uchet-rasseyaniya-v-transportnoy-modeli-landauera-datty-lundstroma
http://cyberleninka.ru/article_covers/15712665.png

Збудження електронним ударом нижчих рівнів атомів Mg, Ca та Sr

Πηγή: Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics; Том 40 (2016); 122-129
Научный вестник Ужгородского университета. Серия Физика; Том 40 (2016); 122-129
Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика; Том 40 (2016); 122-129

Θεματικοί όροι: Атомы Mg, Ca и Sr, Рассеяние электронов, Метод R-матрицы с B-сплайнами, Интегральные и дифференциальные сечения возбуждения, Mg, Ca and Sr atoms, Electrons scattering, B-splines R-matrix method, Integral and differ-ential excitation cross sections, 7. Clean energy, Атоми Mg, Ca і Sr, Розсіяння електронів, Метод R-матриці з Bсплайнами, Інтегральні і диференціальні перерізи збудження, 539.186

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://fizyka-visnyk.uzhnu.edu.ua/article/view/111699

УРАХУВАННЯ РОЗСІЯННЯ ЕЛЕКТРОНІВ В УЗАГАЛЬНЕНІЙ МОДЕЛІ ЛАНДАУЕРА – ДАТТА – ЛУНДСТРОМА

Συγγραφείς: Kruglyak, Yu. A., Strikha, M. V.

Πηγή: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 13, № 4 (2016); 5-18
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 13, № 4 (2016); 5-18
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 13, № 4 (2016); 5-18

Θεματικοί όροι: нанофизика, наноэлектроника, рассеяние электронов, рассеяние фононов, коэффициент прохождения, длина свободного пробега, коэффициент диффузии, подвижность, Si MOSFET, нанофізика, наноелектроніка, розсіяння електронів, розсіяння фононів, коефіцієнт проходження, довжина вільного пробігу, коефіцієнт дифузії, рухливість, nanophysics, nanoelectronics, electron scattering, phonon scattering, transmission coefficient, mean free path, diffusion coefficient, mobility

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://semst.onu.edu.ua/article/view/86639

Влияние высокоэнтропийных составляющих нитридных слоев на содержание азота и твердость вакуумно-дуговых многослойных покрытий (TiN-Cu)/(AlNbTiMoVCr)N

Θεματικοί όροι: Фазовый состав, Кристаллическая структура, Тиск робочого газу, Structure, Твердість, Многослойная пленочная система, Multilayer coating (TiN-Cu)/(AlNbTiMoVCr)N, Hardness, Анизотропное магнитосопротивление, Вміст азоту, Спин-зависимое рассеяние электронов, Багатошарове покриття (TiN-Cu)/(AlNbTiMoVCr)N, Структура, Nitrogen content, Process gas pressure

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45663

Структура та магніторезистивні властивості тришарових плівкових систем на основі пермалою та міді

Συγγραφείς: Chornous, Anatolii Mykolaiovych, Loboda, Valerii Borysovych, Shabelnyk, Yurii Mykhailovych

Θεματικοί όροι: Spin-dependent scattering of electrons, Crystal structure, Фазовый состав, Anisotropic magnetoresistance, Кристаллическая структура, Анізотропний магнітоопір, Phase composition, Фазовий склад, Многослойная пленочная система, Анизотропное магнитосопротивление, Спін-залежне розсіювання електронів, Спин-зависимое рассеяние электронов, Multilayer film system, Багатошарова плівкова система, Кристалічна структура

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45661

Спектроскопия упругого отражения электронов для элементного анализа диэлектриков и высокоомных полупроводников

Συγγραφείς: Пронин, Владимир, Хинич, Иосиф, Чистотин, Игорь

Θεματικοί όροι: электронная спектроскопия, упругое рассеяние электронов, поверхность твердого тела

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/spektroskopiya-uprugogo-otrazheniya-elektronov-dlya-elementnogo-analiza-dielektrikov-i-vysokoomnyh-poluprovodnikov
http://cyberleninka.ru/article_covers/5309396.png

Математическое моделирование в исследовательско-ориентированном обучении студентов физике поверхности конденсированных веществ

Συγγραφείς: Пронин, Владимир, Хинич, Иосиф, Чистотин, Игорь

Θεματικοί όροι: ОБУЧЕНИЕ ФИЗИКЕ ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА, МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ, ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ, УПРУГОЕ РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/matematicheskoe-modelirovanie-v-issledovatelsko-orientirovannom-obuchenii-studentov-fizike-poverhnosti-kondensirovannyh-veschestv
http://cyberleninka.ru/article_covers/5871423.png

Correlations in the calculation of electron scattering on fluorine atom

Πηγή: Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics; Том 37 (2015); 128-138
Научный вестник Ужгородского университета. Серия Физика; Том 37 (2015); 128-138
Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика; Том 37 (2015); 128-138

Θεματικοί όροι: Атом фтору, розрахунок атомної структури, розсіяння електронів, R-матриця, B-сплайни, електронна кореляція, Fluorine atom, atomic structure calculation, electron scattering, R-matrix, B-spline, electronic correlation, 539.1.08, 539.198, Атом фтора, расчет атомной структуры, рассеяние электронов, R-матрица, B-сплайны, электронная корреляция

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://fizyka-visnyk.uzhnu.edu.ua/article/view/99934

Accounting for scattering in the Landauer-Datta-Lundstrom transport model

Πηγή: ScienceRise; Том 3, № 2 (8) (2015); 99-107

Θεματικοί όροι: нанофизика, наноэлектроника, рассеяние электронов, рассеяние фононов, коэффициент прохождения, длина свободного пробега, коэффициент диффузии, подвижность, Si MOSFET, УДК 537.32, 0211 other engineering and technologies, 02 engineering and technology, 0204 chemical engineering, nanophysics, nanoelectronics, electron scattering, phonon scattering, transmission coefficient, mean free path, diffusion coefficient, mobility

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://journals.uran.ua/sciencerise/article/view/38847

Моделирование эффекта Дэвиссона–Джермера методом динамики частиц

Συγγραφείς: Viktor V. Posmetev, Tsentr prikladnoi matematiki

Πηγή: A breakthrough in science: development strategies; 9-12
Новое слово в науке: стратегии развития; 9-12

Θεματικοί όροι: опыт Дэвиссона–Джермера, рассеяние электронов, монокристалл, волновые свойства, микрочастицы, метод динамики частиц, классическая механика

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://interactive-plus.ru/files/Books/6018e9f614eeb.jpeg?req=553088
https://interactive-plus.ru/article/553088/discussion_platform