Гетероструктури на основі поруватих напівпровідників (Si, А2В6 та А3В5): дис. . канд. техн. наук : 05.27.06 ; Гетероструктуры на основе пористых полупроводников (Si, А2В6 и А3В5): дис. .канд. техн. наук : 50.27.06 ; Heterostructures based on porous semiconductors (Si, A2B6 and A3B5)

Συγγραφείς: Дяденчук, Альона Федорівна, Дяденчук, Алена Федоровна, Diadenchuk, Alona

Θεματικοί όροι: поруватий напівпровідник, електрохімічне травлення, плівка, нанотрубка, квантова цятка, метод хімічного заміщення атомів, радикало-променева епітаксія, хімічне поверхневе осадження, золь-гель метод, пористый полупроводник, электрохимическое травление, квантовая точка, пленка, метод химического замещения атомов, радикало-лучевая эпитаксия, химическое поверхностное осаждение, porous semiconductor, electrochemical etching, film, nanotube, quantum dot, method of chemical substitution of atoms, radical-beam epitaxy, chemical surface deposition, sol-gel method

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/9648

Διαθεσιμότητα: http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/9648