Piezoresistive effect in polycrystalline semiconductors in view of longitudinal and transverse surface electronic states ; Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний ; Тензорезистивний ефект у полікристалічних напівпровідниках з урахуванням поздовжнього і поперечного поверхневих електронних станів

Authors: Сулаймонов, Х. М., Юлдашев, Н. Х.

Contributors: Академия Наук Узбекистана

Source: Физическая инженерия поверхности; Том 13, № 3 (2015): Фізична інженерія поверхні; 318 - 324 ; Фізична інженерія поверхні; Том 13, № 3 (2015): Фізична інженерія поверхні; 318 - 324 ; 1999-8112 ; 1999-8074

Subject Terms: polycrystalline semiconductors, impedance, area of spatial charges, longitudinal and transversal potential barriers, superficial states, coefficient of tenzosensitivity, поликристаллические полупроводники, импеданс, область пространственных зарядов, продольные и поперечные потенциальные барьеры, поверхностные состояния, коэффициент тензочувствительности, полікристалічні напівпровідники, імпеданс, область просторових зарядів, поздовжні і поперечні потенційні бар’єри, поверхневий стан, коефіцієнт тензочутливості

File Description: application/pdf

Relation: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8010/7490; http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8010

Availability: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8010