Εμφανίζονται 1 - 20 Αποτελέσματα από 32 για την αναζήτηση '"приемники излучения"', χρόνος αναζήτησης: 0,60δλ Περιορισμός αποτελεσμάτων
  1. 1
  2. 2
    Academic Journal

    Πηγή: Вестник НПО им. С.А. Лавочкина. :39-45

  3. 3
    Academic Journal

    Πηγή: The Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science; № 2 (2015); 37-50 ; Вестник СибГУТИ; № 2 (2015); 37-50 ; 1998-6920

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Relation: https://vestnik.sibsutis.ru/jour/article/view/530/513; Основы тепловидения: учебное пособие / В. В. Коротаев, Г. С. Мельников, С. В. Михеев, В. М. Самков, и др. СПб: НИУ ИТМО, 2012, 122 с.; Скворцов Л. А. Дистанционное обнаружение (Standoff) скрытых взрывчатых веществ, холодного и огнестрельного оружия с помощью методов импульсной терагерцовой спектроскопии и активного формирования спектральных изображений (Обзор) // Журнал прикладной спектроскопии. 2014. Т. 81, № 5. С. 653-678.; Шоломицкий Г. Б. Инфракрасное небо и космические исследования // Земля и Вселенная. 1994. №1. С. 3-12.; Submillimeter bolometers large arrays for Hershel/PACS / F. Simoens, P.Agnese, A. Begum, et al.// Joint 30th Int. Conf. on Infrared and Millimeter Waves & 13th Int. Conf. on Terahertz Electronics. Williamsburg, Virginia, USA, September 19-23 2005. P.405-404.; Large bolometers arrays with superconducting NbSi sensors for future space experiments / F. Pajot, Y. Atik, C. Evesque, et al. // J. Low Temperature Physics. 2008. V. 151, № 1/2, P. 513-517.; Development of NbSi TES bolometer arrays for submillimeter astronomy / F. Pajot, Y. Atik, B. Belier, et al. // Int. Conf. on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, Busan, Korea, September 21-25, 2009. P.1-2.; Submillimeter-wave Camera using SIS Photon Detectors / H. Matsuo, Y. Mori, H. Ezawa, et al. // Int. Conf. on Infrareded and Millimeter Waves Int. Conf. on Teraherz Electronics (IRMMW-THz2006), Shanghai, Sept., 2006, p.28.; THz superconducting hot electrons bolometer heterodyne receiver. / J.R. Gao, M. Hajenius, Z.Q. Yang, et al. // Int. Conf. on Teraherz Electronics (IRMMW-THz2006), Shanghai, Sept., 2006, p.545.; A broadband terahertz detector using a superconducting tunnel junction / T. Taino, R. Nakano, S. Yoshimura, et al. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2006. V. 559, №2. P.751-753.; Design of a Terahertz Detector based on a Superconducting Tunnel Junction Coupled to a Thin Superconductor Film / S. Ariyoshi, T. Taino, A. Dobroiu, et al. // Int. Conf. on Infrareded, Millimeter and Terahertz Waves, Busan, Korea, September 21-25. Proceedings of Conference. 2009.; Рогальский А. Инфракрасные детекторы: Пер. с англ./ Под ред. А. В. Войцеховского. -Новосибирск: Наука, 2003. 636 с.; Leotin J. Far infrared photoconductive detector // Proc. SPIE, 1986, V. 666, P. 81-100.; Неравновесное металлическое состояние в сплавах Pb1-xSnxTe(In) / Б. А. Акимов, Б. А. Брандт, С. А. Богословский, Л. И. Рябова и др. // Письма ЖЭТФ. 1979. Т. 29, № 1. С. 11-14.; Особенности явлений переноса в Pb0,78Sn0,22Te с большим содержанием индия / Б.М. Вул, И. Д. Воронова, Г. А. Калюжная, Т. С. Мамедов, и др. // Письма ЖЭТФ. 1979. Т. 29, № 1. C. 21-25.; Surface LTT-film structure with In doping / E. V. Fedosenko, A. E. Klimov, D. V. Krivopalov, et al. // Appl. Surface Sci. 1994. V.78, № 4. P. 413-420.; Коррекция свойств плёнок PbSnTe , полученных МЛЭ, при помощи низкотемпературных диффузионных отжигов / Л. Ф. Васильева, А. Э. Климов, Н. И. Петиков, В.Н. Шумский // Неорганические материалы. 2001. Т. 37, № 2. С. 193-198.; Инфракрасный обзор неба широкоугольным охлаждаемым телескопом на солнечносинхронном ИСЗ «Ника-И» (Проект ИКОН) / Г.Б.Шаломицкий, И.А.Маслов, B.П.Архипова, и др. // ИКИ РАН, Москва, 1995, 93 с.; Deep Cooling 2* 128 Elements Hybrid Photoresistor Device for Spectral Range 6-20 p,m Based on Epitaxial PbSnTe Films Prepared by MBE Technique / G. N. Feofanov, A. A. Frantsuzov, A. G. Klimenko, A. E. Klimov, et al. // Proceedings 1995 International Semiconductor Device Research Symposium, Sharlottesville, USA. 1995. V.1. P. 291-295.; Климов А. Э., Шумский В. Н. Многоэлементные фотоприёмные устройства дальнего ИК-диапазона на основе гетероэпитаксиальных плёнок PbSnTe, легированных In, на BaF2 // в монографии «Матричные фотоприёмные устройства инфракрасного диапазона», под ред. С. П. Синицы. Новосибирск: Наука, 2001. Гл. 6. С. 308-372.; Селективная фотопроводимость в PbTe(Ga), индуцированная локальной фононной модой / А. И. Белогорохов, И. И. Иванчик, С. В. Пономарёв, Е. И. Слынько, и др. // Письма ЖЭТФ. 1996. Т. 63, № 5. С. 342-346.; Performance and spectral response of PbSnTe(In) far infrared detectors / D. R. Khokhlov, I. I. Ivanchik, S. N. Rains, D. M. Watson, et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. № 20. P. 28352837.; Klimov A. E., Shumsky V. N. Far infrared and submillimeter range photosensitive devices based on Pb1-xSnxTe films: results and perspectives // Proc. SPIE. 2005. V. 5964. P.95-103.; Klimov A. E., Kubarev V. V., Shumsky V. N. Terahertz sensitivity of Pb1-xSnxTe:In // The 8th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity, Tsukuba, Japan, May 15-19, 2006, Abstracts, p. 63.; Фоточувствительность плёнок Pb1-xSnxTe в терагерцовой области спектра / A. Н. Акимов, В. Г. Ерков, А. Э. Климов, В. В Кубарев., и др. // ФТП, 2006, Т. 40, № 2. C. 169-173.; Klimov A. E., Kubarev V. V., Shumsky V. N. Terahertz sensitivity of Pb1-xSn xTe:In // Ferroelec-trics. 2007. V. 347. P. 111-119.; Чувствительность плёнок Pb1-xSnxTe в субмиллиметровом диапазоне / А. Н. Акимов, B. В. Кубарев., И. Г. Неизвестный, О. В. Смолин, и др., // Прикладная физика. 2007. № 6. C.12-16.; Чувствительность плёнок PbSnTe:In к субмиллиметровому излучению в условиях полевой инжекции электронов / А. Н. Акимов, А. В. Беленчук, В. Г. Ерков, А. Э. Климов, и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2007. № 12. C. 18-24.; Шумский В. Н. Тонкоплёночные микроструктуры на основе PbSnTe:In как сенсоры инфракрасного и терагерцового излучения // Электроника Сибири. 2008. № 3. C.147-153.; Токи инжекции в узкозонном диэлектрике Pb1-xSnxTe / А. Н. Акимов, В. Г. Ерков, А. Э. Климов, Е. Л. Молодцова, и др. // ФТП. 2005. Т. 39. № 5. С. 563-568.; Klimov A. E., Shumsky V. N. Shallow traps and limitation of injection current by space charge in PbSnTe:In narrow gap ferroelectric // Physica B. 2009. V. 404, № 23-24, P. 5028-5031.; Klimov A. E., Shumsky V. N.Localized States in Narrow-Gap Ferroelectric -Semiconductor PbSnTe: Injection Current, IR and THz Photosensivity, Magnetic Field Effects // In: Ferroelec-tric-Phisical Effects, Edited by M. Lallart, Rijeca, Croatia, 2011, Ch. 23. P. 527-552.; Перспективы применения твёрдых растворов Pb1-xSnxTe:In с х > 0.3 для фотоприёмников с расширенным спектральным диапазоном / А. Н. Акимов, Д. В. Ищенко, А. Э. Климов, И. Г. Неизвестный, и др. // Микроэлектроника 2013, Т. 42. № 2. C. 83-87.; Тонкоплёночные структуры PbSnTe:In/BaF2/CaF2/Si для монолитных матричных фотоприёмных устройств / А. Н. Акимов, А. В. Беленчук, А. Э. Климов, М. М. Качанова и др. // Письма в ЖТФ. 2009/ T. 35, № 11, C. 88-95.; Growth of (111)-oriented PbTe films on Si(001) using a BaF2 buffer / A. Belenchuk, A. Fedorov, H. Huhtinen, V. Kantser, et al. // Thin Solid Films. 2000. V. 358, № 1-2. P. 277-281; https://vestnik.sibsutis.ru/jour/article/view/530

  4. 4
  5. 5
    Academic Journal

    Συγγραφείς: Mikheenko, Leonid A., Kalmykova, Olena

    Πηγή: Bulletin of Kyiv Polytechnic Institute. Series Instrument Making; No. 49(1) (2015); 33-38 ; Вестник Киевского политехнического института. Серия приборостроение; № 49(1) (2015); 33-38 ; Вісник Київського політехнічного інституту. Серія Приладобудування; № 49(1) (2015); 33-38 ; 2663-3450 ; 0321-2211

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

  6. 6
    Academic Journal

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Relation: Техническое обеспечение инновационных технологий в сельском хозяйстве: сборник научных статей Международной научно-практической конференции, Минск, 24-25 ноября 2022г.; https://rep.bsatu.by/handle/doc/17619; 631.362:634.11

    Διαθεσιμότητα: https://rep.bsatu.by/handle/doc/17619

  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10
    Academic Journal

    Συγγραφείς: Mikheenko, Leonid A., Kalmykova, Olena

    Πηγή: Вісник Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут". Серія Приладобудування; № 49(1) (2015); 33-38
    Вестник Национального технического университета Украины "Киевский политехнический институт". Серия приборостроение; № 49(1) (2015); 33-38
    Bulletin of National Technical University of Ukraine "Kyiv Polytechnic Institute". Series Instrument Making; № 49(1) (2015); 33-38

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Σύνδεσμος πρόσβασης: http://visnykpb.kpi.ua/article/view/46611

  11. 11
  12. 12
  13. 13
    Academic Journal
  14. 14
  15. 15
  16. 16
  17. 17
  18. 18
  19. 19
    Academic Journal

    Πηγή: Вісник НТУУ «КПІ». Приладобудування: збірник наукових праць

    Περιγραφή αρχείου: С. 33–38; application/pdf

    Relation: Міхеєнко, Л. А. Метрологічний аналіз дифузного випромінювача на основі матриці світловипромінюючих діодів з розсіювачем / Міхеєнко Л. А., Калмикова О. В. // Вісник НТУУ «КПІ». Приладобудування : збірник наукових праць. – 2015. – Вип. 49(1). – С. 33–38. – Бібліогр.: 10 назв.; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/14409

    Διαθεσιμότητα: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/14409

  20. 20
    Academic Journal

    Πηγή: Наукові вісті НТУУ «КПІ»: науково-технічний журнал

    Περιγραφή αρχείου: С. 89-96; application/pdf

    Relation: Міхеєнко Л. А. Дифузний випромінювач змінної яскравості на основі матриці світловипромінювальних діодів з розсіювачем / Л. А. Міхеєнко, О. В. Калмикова // Наукові вісті НТУУ «КПІ» : науково-технічний журнал. – 2015. – № 2(100). – С. 89–96. – Бібліогр.: 10 назв.; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/18051

    Διαθεσιμότητα: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/18051