Series of Photovoltaic Converters Based on Semiconductors with Intrinsic Photoconductivity ; Приборный ряд фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводников с собственной фотопроводимостью

Συγγραφείς: R. I. Vorobey, O. K. Gusev, A. L. Zharin, K. U. Pantsialeyeu, A. I. Svistun, A. K. Tyavlovsky, K. L. Tyavlovsky, L. I. Shadurskaya, Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, К. В. Пантелеев, А. И. Свистун, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский, Л. И. Шадурская

Πηγή: Devices and Methods of Measurements; Том 12, № 2 (2021); 108-116 ; Приборы и методы измерений; Том 12, № 2 (2021); 108-116 ; 2414-0473 ; 2220-9506 ; 10.21122/2220-9506-2021-12-2

Θεματικοί όροι: измерительный преобразователь, device structure, deep impurity, conversion characteristic, measurement transducer, приборная структура, глубокая примесь, преобразовательная характеристика

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/709/583; Lysenko S.A. Metody opticheskoj diagnostiki biologicheskikh ob"ektov [Methods for Optical Diagnostics of Biological Objects]. Minsk: BGU Publ., 2014, 231 p.; Filachev A.M., Taubkin I.I., Trishenkov M.A. Fotopriemniki v optiko-ehlektronnykh priborakh i sistemakh [Photodetectors in Optoelectronic Devices and Systems]. Moscow: Fizmatkniga Publ., 2016, 104 p.; Formozov B.N. Аehrokosmicheskie fotopriemnye ustrojstva v vidimom i infrakrasnom diapazonakh [Aerospace Photodetectors in the Visible and Infrared Ranges]. St. Petersburg: SPbGUAP Publ., 2002, 120 p.; Gusev O.K., Vorobey R.I., Zharin A.L., Svistun A.I., Tyavlovsky A.K., Tyavlovsky K.L. Metodologiya i sredstva izmerenij parametrov ob"ektov s neopredelennymi sostoyaniyami [Methodology and Tools for Measuring Parameters of Objects in Uncertain States], ed. O.K. Gusev. Minsk: BNTU Publ., 2010, 582 p.; Vorobey R.I., Gusev O.K., Tyavlovsky A.K., Tyavlovsky K.L., Svistun A.I., Shadurskaya L.I., Yarzhembitskaya N.V., Kierczynski K. Photoelectric semiconductor converters with a large dynamic range. Przeglad electrotechniczny, 2014, no. 5, pp. 5‒78. DOI:10.12915/pe.2014.05.16; Bondar I.V., Rud V.Yu., Rud Yu.V. [Photovoltaic Effects in Cu(Al, In) /p-CuIn3Se5 Schottky Barriers]. Fizika i tekhnika poluprovodnikov [Semiconductor Physics and Technology], 2007, vol. 41, no. 1, pp. 44– 47 (in Russian).; Yashin A.N. [Applicability of the simplified Shockley-Reed-Hall model for semiconductors with various types of defects]. Fizika i tekhnika poluprovodnikov [Semiconductor Physics and Technology], 2005, vol. 39, no. 11, pp. 1331‒1335. (in Russian).; Masol I.V., Osinsky V.I., Sergeev O.T. Informatsionnye nanotekhnologii [Informational Nanotechology]. Kiev: Makros Publ., 2011, 560 p.; Gusev O.K., Tyavlovsky K.L., Vorobey R.I., Svistun A.I., Shadurskaya L.I. [Intrinsic SemiconductorBased Photodetectors for Measurement Transducers Construction]. Metrologiya i priborostroyeniye [Metrology and Instrument Engineering], 2017, no. 2, pp. 34– 42 (in Russian).; Andreou A.G., Kalayjian Z.K., Apsel A., Pouliquen P.O., Athale R.A., Simonis G., Reedy R. Silicon on sapphire CMOS for optoelectronic microsystems. Circuits and Systems, 2001, vol. 1, pp. 22‒30. DOI:10.1109/7384.963464; Kozlov Yu.F., Zotov V.V. Struktury kremniya na sapfire: tekhnologiya, svojstva, metody kontrolya, primenenie [Silicon on Sapphire structures: Technology, Properties, Methods of Control, Applications]. Moscow: MIET Publ., 2004, 380 p.; Vityaz P.A., Svidunovich N.A., Kuis D.V. Nanomaterialovedenie [Nanomaterials Science]. Minsk: Vysheyshaya Shkola Publ., 2015, 511 p.; Wado H., Ohtani K., Ishida M. Epitaxial growth of SiGe on Al2O3 using Si2H6 gas and Ge solid source molecular beam epitaxy. J.Crystl.Growth, 1996, vol. 169, pp. 457‒462. DOI:10.1016/S0022-0248(97)80004-8; Khudaverdyan S.Kh. Photo-detecting characteristics of double barrier structures. Nuclear Inst. and Methods in Physics Research A., 2003, vol. 504, iss. 1‒3, pp. 350‒353. DOI:10.1016/S0168-9002(03)00768-X; https://pimi.bntu.by/jour/article/view/709

Διαθεσιμότητα: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/709
https://doi.org/10.21122/2220-9506-2021-12-2-108-116

Покращення характеристик термоелектричних перетворювачів ; Improvement of characteristics of thermoelectric converters ; Улучшение характеристик термоэлектрических преобразователей

Συγγραφείς: Дроменко, В. Б., Пацера, Д. С.

Θεματικοί όροι: термоелектричний перетворювач, термоелектрорушійна сила, коефіцієнт перетворення, перетворювальна характеристика, термоэлектрический преобразователь, термоэлектродвижущая сила, коэффициент преобразования, преобразовательная характеристика, thermoelectric converter, thermoelectric driving force, conversion factor, conversion characteristic

Relation: http://nbuv.gov.ua/UJRN/td_2020_1_14; https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/15635

Διαθεσιμότητα: https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/15635
http://nbuv.gov.ua/UJRN/td_2020_1_14