Исследование распыления частицами плазмы материалов первой стенки токамака: выпускная квалификационная работа магистра

Subject Terms: crystallite size, ion bombardment, ионная бомбардировка, reflection coefficient, потенциал межатомного взаимодействия, вольфрам, размер кристаллита, tungsten, interaction potential, коэффициент распыления, hydrogen isotopes, коэффициент отражения, аргон, argon, изотопы водорода, sputtering yield

Изучение физических свойств материалов с помощью машинно-обученных потенциалов, созданных в программном пакете MedeA

Authors: Ахмеров Руслан Фаритович, Гумарова Ирина Ивановна, Бурганова Регина Мидхатовна, Недопекин Олег Владимирович

Contributors: Институт физики, Казанский федеральный университет

Subject Terms: Машинное обучение, материаловедение, потенциал межатомного взаимодействия

Relation: http://dspace.kpfu.ru/xmlui/bitstream/net/184032/-1/F_MLP_Metodichka_2024.pdf; https://dspace.kpfu.ru/xmlui/handle/net/184032

Availability: https://dspace.kpfu.ru/xmlui/handle/net/184032

Towards a Universal Embedded Atom Method Interatomic Potential for Pure Metals

Authors: Zalizniak, Viktor E., Zolotov, Oleg A.

Source: Journal of Siberian Federal University. Mathematics & Physics. 8:230-249

Subject Terms: потенциал межатомного взаимодействия, interatomic potential, embedded atom method, метод внедренного атома, 7. Clean energy

Access URL: http://elib.sfu-kras.ru/bitstream/2311/16811/1/%d0%b7%d0%b0%d0%bb%d0%b8%d0%b7%d0%bd%d1%8f%d0%ba.pdf
https://openrepository.ru/article?id=430288

MOLECULAR DYNAMIC MODELING OF THE INITIAL STAGES OF Si(111) SURFACE NITRIDIZATION IN NH₃ ATMOSPHERE ; МОЛЕКУЛЯРНО–ДИНАМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НАЧАЛЬНЫХ ЭТАПОВ ПРОЦЕССА НИТРИДИЗАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) В Атмосфере NH₃

Authors: K. K. Abgaryan, Yu. G. Evtushenko, I. V. Mutigullin, S. I. Uvarov, К. К. Абгарян, Ю. Г. Евтушенко, И. В. Мутигуллин, С. И. Уваров

Contributors: Russian Scientific Foundation (Project No. 14–11–00782), Российский научный фонд (№ 14−11−00782 )

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 4 (2015); 267-272 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 4 (2015); 267-272 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2015-4

Subject Terms: нитридизация, first principles calculations, silicon, ammonia, nitridization, molecular dynamics, первопринципные расчеты, потенциал межатомного взаимодействия, кремний, аммиак

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/225/190; Abgaryan, K. K. The simulation of the nitridation of the sapphire surface (001) / K. Abgaryan, D. Bazanov, I. Mutigillin // Mater. XXI Internat. Conf. «Interaction of ions with the surface» (ISI−2013). − Yaroslavl, 2013. − V. 2. − P. 99—103.; Абгарян, К. К. Исследование адсорбции атомарного азота на поверхности Al2O3 (0001) / К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. − 2013. − № 1. − С. 80—85. DOI:10.7868/ S0207352813010022; Hohenberg, P. Inhomogeneous electron gas / P. Hohenberg, W. Kohn // Phys. Rev. − 1964. − V. 136. − P. B864. DOI:10.1103/PhysRev.136.B864; Kohn, W. Self−consistent equations including exchange and correlation effects / W. Kohn, L. J. Sham // Phys. Rev. − 1965. − V. 140. − P. A1133−A1138. DOI:10.1103/PhysRev.140.A1133; Мансуров, В. Г. Образование упорядоченной фазы (88) SiN и аморфной фазы Si3N4 на поверхности (111)Si в потоке аммиака / В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, Т. В. Малин, К. С. Журавлев // Тез. докл. XII Российской конференции по физике полупроводников. − М. : Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 2015. − C. 456.; Wang, X.−S. Nitridation of Si(111) / X.−S. Wang, G. Zhai, J.−S. Yang, L. Wang, Y. Hu, Z. Li, J. C. Tang, K. K. Fung, N. Cue // Surf. Sci. − 2001. − V. 494, N 2. − P. 83—94. DOI:10.1016/S00396028(01)01409-1; Абгарян, К. К. Применение оптимизационных методов для решения задач параметрической идентификации потенциалов межатомного взаимодействия / К. К. Абгарян, М. А. Посыпкин // Ж. вычисл. матем. и матем. физ. − 2014. − Т. 54, № 12. − С. 1994— 2001.; Абгарян, К. К. Математическое моделирование процессов формирования кластеров точечных дефектов на базе молекулярно−динамического подхода / К. К. Абгарян, О. В. Володина, С. И. Уваров // Известия вузов. Материалы электрон. техники. − 2015. − Т. 18, № 1. − С. 31—42. DOI:10.17073/1609-35772015-1-37-42; Евтушенко Ю. Г. Параллельный поиск глобального экстремума функций многих переменных / Ю. Г. Евтушенко, В. У. Малкова, А. А. Станевичюс // Ж. вычисл. матем. и матем. физ. − 2009. − Т. 49, № 2. − С. 255—269.; Tersoff, J. Empirical interatomic potential for silicon with improved elastic properties / J. Tersoff // Phys. Rev. B. − 1988. − V. 38, iss. 14. − P. 9902—9905. DOI:10.1103/PhysRevB.38.9902; VASP. http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp/; Евтушенко, Ю. Г. Оптимизация и быстрое автоматическое дифференцирование / Ю. Г. Евтушенко. − Препринт ВЦ РАН, 2013. − 144 с.; Panteleev, A. V. Optimization methods in examples and tasks / A. V. Panteleev, T. A. Letova − Moscow : Heigh school, 2005. − 544 p.; Powell, D. Elasticity, lattice dynamics and parameterisation techniques for the Tersoff potential applied to elemental and type III−V semiconductors: Ph.D. thesis / D. Powell. − University of Sheffield, 2006.; Зализняк, В. Е. Основы вычислительной физики. Ч. 2. Введение в метод частиц / В. Е. Зализняк. − М.; Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика»; Институт компьютерных исследований, 2006. − С. 26—45.; Кривцов, А. М. Метод частиц и его использование в механике деформируемого твердого тела / А. М. Кривцов, Н. В. Кривцова // Дальневосточный математический журнал ДВО РАН. − 2002. − Т. 3, № 2. − С. 254—276.; https://met.misis.ru/jour/article/view/225

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/225
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-4-267-272

Mathematical Modeling of Point Defect Cluster Formation in Silicon Based on Molecular Dynamic Approach ; МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ НА БАЗЕ МОЛЕКУЛЯРНО–ДИНАМИЧЕСКОГО ПОДХОДА

Authors: K. K. Abgaryan, O. V. Volodina, S. I. Uvarov, К. К. Абгарян, О. В. Володина, С. И. Уваров

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 1 (2015); 37-42 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 1 (2015); 37-42 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; undefined

Subject Terms: дефекты в кристаллах, molecular dinamic, first principles calculations, сlasters of point defects, III−V semiconductors, defects in crystals, молекулярно− динамический подход, первопринципные расчеты, потенциал межатомного взаимодействия, кластеры точечных дефектов, III—V полупроводники

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/153/145; Fedina,L.I.Electronmicroscopydataforthresholdenergyof point defect creation in silicon. / L. I. Fedina, A. L. Aseev, S. G. Denisenko, L. S. Smirnov // Materials Science Forum: Defects in Semiconductors. Edit. by H. J. Bardeleben. 1986. V. 10−12. − P. 1123—1128.; Aseev, A. L. Clusters of interstitial atoms in silicon and germanium / A. L. Aseev, L. I. Fedina, D. Hoehl, H. Barsch. − Berlin : Acad. Verlag, 1994. − 152 p.; Fedina,L.TheintrinsicpointdefectclusteringinSi:Astudy by HVEM and HREM in situ electron irradiation / L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev, J. Van Landuyt, J. Vanhellemont. − Novosibirsk : Kluwer Intern. Publish, 1997. − P. 63—92.; Al−Mushadani, O. K. Free−energy calculations of intrinsic point defects in silicon / O. K. Al−Mushadani, R. J. Needs // Phys. Rev. B. − 2003. − V. 68, iss. 23. − P. 235205.; Goedecker, S. A fourfold coordinated point defect in silicon / S. Goedecker, T. Deutsch, L. Billard // Phys. Rev. Lett. − 2002. − V. 88. − P. 235501.; Hohenberg, P. Inhomogeneous electron gas / P. Hohenberg, W. Kohn // Phys. Rev. B. − 1964. − V. 136, iss. 3. – P. B864.; Kohn, W. Self−consistent equations including exchange and correlationeffects/W.Kohn,L.J.Sham//Phys.Rev.−1965.−V. 140. − P. A1133—A1138.; Tang,M.Intrinsicpointdefectsincrystallinesilicon:Tight− binding molecular dynamics studies of self−diffusion, interstitial− vacancy recombination and formation volumes / M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubia // Phys. Rev. B. − 1997. − V. 55, iss. 21. − P. 14279—14289.; Fedina, L. I. Extended defects formation in Si crystals by clustering of intrinsic point defects studied by in−situ electron irradiation in an HREM / L. I. Fedina, A. K. Gutakovskii, L. A. Aseev, J. van Landuyt, J. Vanhellemont // Phys. status solidi (a). − 1999. − V. 171, iss. 1. − P. 147—157.; Fedina, L. I. Precision measurements of nanostructure parameters / L. I. Fedina, D. V. Sheglov, A. K. Gutakovskii, S. S. Kosolobov, A. V. Latyshev // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. −2010. −V. 46, N 4. − P. 301—311.; Watkins, G. D. In radiation effects in semiconductors / G. D. Watkins. − N. Y. : Plenum Press Inc., 1968. − P. 67; VASP—http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp/; Abgaryan, K. K. Optimization methods as applied to parametric identification of interatomic potentials / K. K. Abgaryan, M. A. Posypkin // Computational Mathematics and Mathematical Physics. − 2014. − V. 54, N 12. − P. 1994—2001.; Tersoff, J. Empirical interatomic potential for silicon with improvedelasticproperties/J.Tersoff//Phys.Rev.B.−1988.−V. 38. − P. 9902—9905.; Абгарян, К. К. Программный комплекс для решения задач параметрической идентификации потенциалов межатомного взаимодействия / К. К. Абгарян, М. А. Посыпкин // Internat. J. Open Information Technologies. − 2014. − No 10. − C. 14—20.; Хук,P.Прямойпоискрешениядлячисловыхистатических проблем / P. Хук, Т. А. Дживс. − M. : Мир, 1961. − С. 212—219.; Powell,D.Elasticity,latticedynamicsandparameterisation techniques for the Tersoff potential applied to elemental and type III—V semiconductors : dis. − University of Sheffield, 2006.; Абгарян, К. К. Применение параллельных вычислений и метода молекулярной динамики для моделирования роста многослойных полупроводниковых наноструктур / К. К. Абгарян, Н. В. Быков, И. В. Мутигуллин // Материалы IX Междунар. конф. по неравновесным процессам в соплах и струях (NPNJ 2012). − М. : Изд−во МАИ, 2012. − С. 457—459.; Haile, J. M. Molecular dynamics simulation. elementary methods / J. M. Haile. − N. Y.; Chichester; Brisbane; Toronto; Singapore : J. Wiley ans Sons Inc., 1992. − 505 p.; Rapaport, D. C. The art of molecular dynamics simulation / D. C. Rapaport. − Cambridge : Cambridge University Press, 1995. − 565 p.; Супрядкина, И. А. Теоретическое исследование ионно− индуцированных точечных дефектов и их комплексов в кремнии / И. А. Супрядкина, К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин, Л. И. Федина / Материалы междунар. конф. ВИП. − Ярославль, 2013. − Т. 1. − С. 204—206.; https://met.misis.ru/jour/article/view/153

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/153
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-37-42

МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В МЕТАЛЛАХ ИМЕЮЩИХ ОБЪЁМНО-ЦЕНТРИРОВАННУЮ КУБИЧЕСКУЮ РЕШЁТКУ

Authors: ЗАЛИЗНЯК В.Е.

Subject Terms: ПОТЕНЦИАЛ МЕЖАТОМНОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ,МЕТОД ВНЕДРЁННОГО АТОМА

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/mezhatomnoe-vzaimodeystvie-v-metallah-imeyuschih-obyomno-tsentrirovannuyu-kubicheskuyu-reshyotku
http://cyberleninka.ru/article_covers/16560948.png

УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ПОТЕНЦИАЛ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ДЛЯ ЧИСТЫХ МЕТАЛЛОВ

Authors: ЗАЛИЗНЯК В.Е., ЗОЛОТОВ О.А.

Subject Terms: ПОТЕНЦИАЛ МЕЖАТОМНОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ,МЕТОД ВЛОЖЕННОГО АТОМА

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/universalnyy-potentsial-vzaimodeystviya-dlya-chistyh-metallov
http://cyberleninka.ru/article_covers/16560893.png

Универсальный потенциал взаимодействия для чистых металлов

Source: Наносистемы: физика, химия, математика.

Subject Terms: ПОТЕНЦИАЛ МЕЖАТОМНОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ,МЕТОД ВЛОЖЕННОГО АТОМА

File Description: text/html

Access URL: http://cyberleninka.ru/article/n/universalnyy-potentsial-vzaimodeystviya-dlya-chistyh-metallov
http://cyberleninka.ru/article_covers/16560893.png

Межатомное взаимодействие в металлах имеющих объёмно-центрированную кубическую решётку

Source: Наносистемы: физика, химия, математика.

Subject Terms: ПОТЕНЦИАЛ МЕЖАТОМНОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ,МЕТОД ВНЕДРЁННОГО АТОМА

File Description: text/html

Access URL: http://cyberleninka.ru/article_covers/16560948.png
http://cyberleninka.ru/article/n/mezhatomnoe-vzaimodeystvie-v-metallah-imeyuschih-obyomno-tsentrirovannuyu-kubicheskuyu-reshyotku

Статистическое моделирование роста кристалла с учётом его атомной структуры

Source: Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского.

Subject Terms: РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ, АТОМНАЯ СТРУКТУРА, ПОТЕНЦИАЛ МЕЖАТОМНОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ, ДЕФЕКТЫ, ЗОНАРНАЯ МИКРОСТРУКТУРА, ПРИМЕСЬ, МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ

File Description: text/html

Access URL: http://cyberleninka.ru/article/n/statisticheskoe-modelirovanie-rosta-kristalla-s-uchyotom-ego-atomnoy-struktury
http://cyberleninka.ru/article_covers/14843037.png

Towards a Universal Embedded Atom Method Interatomic Potential for Pure Metals ; Универсальный потенциал взаимодействия метода внедренного атома для чистых металлов

Authors: Zalizniak, Viktor E., Zolotov, Oleg A., Зализняк, В.Е., Золотов, О.А.

Subject Terms: interatomic potential, embedded atom method, потенциал межатомного взаимодействия, метод внедренного атома

Relation: Журнал Сибирского федерального университета. Математика и физика. Journal of Siberian Federal University. Mathematics & Physics;2015 8 (2)

Availability: https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/16811

Параметризация модифицированного потенциала Терсоффа для расчета межатомных взаимодействий в кластерах оксида висмута

Subject Terms: TERSOFF POTENTIAL, PARAMETERIZATION, ОКСИД ВИСМУТА, BISMUTH OXIDE, DENSITY FUNCTIONAL THEORY, ПОТЕНЦИАЛ МЕЖАТОМНОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ, ПОТЕНЦИАЛ ТЕРСОФФА, ПАРАМЕТРИЗАЦИЯ, INTERATOMIC INTERACTION POTENTIAL, ТЕОРИЯ ФУНКЦИОНАЛА ЭЛЕКТРОННОЙ ПЛОТНОСТИ