Investigation of the Effect of the Electron-Beam Crucible Zone Melting of Metallurgical Silicon on Refining and Structure Formation of Ingots ; Дослідження впливу режимів електронно-променевої безтигельної зонної плавки металургійного кремнію на рафінування та структуроутворення зливків

Authors: Gokhman, O.R., Asnis, Yu.A., Piskun, N.V., Statkevich, I.I., Velykoivanenko, O.A., Rozynka, G.F., Milenin, A.S., Babych, V.M.

Source: Physics and Chemistry of Solid State; Vol. 18 No. 2 (2017); 228-235 ; Фізика і хімія твердого тіла; Том 18 № 2 (2017); 228-235 ; 2309-8589 ; 1729-4428

Subject Terms: polycrystalline silicon, specific electrical resistance, columnar structure, directional crystallization, electron beam non-crucible zone melting, refining, photoelectric converters, полікристалічний кремній, питомий електроопір, фотоелектричні перетворювачі, електронно-променева безтигельна зонна плавка, рафінування, спрямована кристалізація, стовбчата структура

File Description: application/pdf

Relation: https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/934/1016; https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/934/1017; https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/934

Availability: https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/934
https://doi.org/10.15330/pcss.18.2.228-235

Witching current and voltage with heating bes pe re hod nyh polycrystalline silicon doped with alkali me tals in region of inter-grain boundarie ; Переключение тока и напряжения при нагреве беспереходного поликристаллического кремния, легированного щелочными металлами в области межзеренных границ ; Перемикання струму і напруги при нагріванні бесперехідного полікристалічного кремнію, легованого лужними металами на ділянці міжзеренних границь

Authors: Олимов, Л. О., Абдурахманов, Б. М., Омонбоев, Ф. Л.

Contributors: Академия Наук Узбекистана

Source: Физическая инженерия поверхности; Том 12, № 1 (2014): Фізична інженерія поверхні; 4-8 ; Фізична інженерія поверхні; Том 12, № 1 (2014): Фізична інженерія поверхні; 4-8 ; 1999-8112 ; 1999-8074

Subject Terms: intergrain boundaries, polycrystalline silicon, impurity thermalvoltaic effects, межзереные границы, поликристаллический кремний, примесныйтепловольтаический эффект, міжзеренні границі, полікристалічний кремній, домішковий тепловольтаїчний ефект

Relation: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8158

Availability: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8158

Influence alkali metal atoms on the photoelectric properties of polycrystalline silicon solar cells ; Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов ; Вплив атомів лужних металів на фотоелектричні властивості полікристалічних кремнієвих сонячних елементів

Authors: Олимов, Л. О., Абдурахманов, Б. М., Омонобоев, Ф. Л., Юсупов, А. Х., Сохибова, З. М.

Contributors: Академия Наук Узбекистана

Source: Физическая инженерия поверхности; Том 1, № 3 (2016): Журнал фізики та інженерії поверхні; 263-267 ; Фізична інженерія поверхні; Том 1, № 3 (2016): Журнал фізики та інженерії поверхні; 263-267 ; 1999-8112 ; 1999-8074

Subject Terms: polycrystalline silicon, grain boundaries, solar cells, alkali metal impurity impurity photovoltaic effect, поликристаллический кремний, межзереные границы, солнечные элементы, щелочных металлов, примесный фотовольтаический эффект, полікристалічний кремній, межі між зернами, сонячні елементи, лужні метали, домішковий фотовольтаїчний ефект

File Description: application/pdf

Relation: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8313/7823; http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8313

Availability: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8313

Electrical properties of inter grain boundaries in volume of polycrystalline silicon ; Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния ; Електричні властивості міжзернових границь в об’ємі полікристалічного кремнію

Authors: Олимов, Л. О., Муйдинова, М., Омонбоев, Ф. Л.

Contributors: Академия Наук Узбекистана

Source: Физическая инженерия поверхности; Том 11, № 2 (2013): Фізична інженерія поверхні; 212 - 215 ; Фізична інженерія поверхні; Том 11, № 2 (2013): Фізична інженерія поверхні; 212 - 215 ; 1999-8112 ; 1999-8074

Subject Terms: inter grain boundaries, polycrystalline silicon, conductivity, traps, recombination centers, межзеренные граници, поликристаллический кремний, полная проводимость ловушек, рекомбинационные центры, міжзернові границі, полікристалічний кремній, повна провідність пасток, рекомбінаційні центри

File Description: application/pdf

Relation: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8774/8296; http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8774

Availability: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8774

Peculiarities of silicon basis growing for polysilicon production

Source: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 5, № 8(59) (2012): Energy saving technologies and equipment; 47-51
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 5, № 8(59) (2012): Энергосберегающие технологии и оборудование; 47-51
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 5, № 8(59) (2012): Енергозберігаючі технології та обладнання; 47-51

Subject Terms: полікристалічний кремній, напилений шар, напруга, газове середовище, індуктор, поликристаллический кремний, напыленный слой, напряжение, газовая среда, индуктор, 7. Clean energy, polysilicon, evaporated layer, stress, gas environment, УДК 621.315.592

File Description: application/pdf

Access URL: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/4614

Thermodynamic analysis of hydrochlorination process of technical silicon

Source: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 6(54) (2011): Technologies of organic and inorganic substances; 56-59
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 6(54) (2011): Технологии органических и неорганических веществ; 56-59
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 6(54) (2011): Технології органічних і неорганічних речовин; 56-59

Subject Terms: Рolycrystalline silicon, chlorination, trichlorosilane, 0211 other engineering and technologies, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, 02 engineering and technology, Поликристаллический кремний, хлорирование, трихлорсилан, Полікристалічний кремній, хлорування, трихлорсилан, УДК 621.315.592

File Description: application/pdf

Access URL: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/2300

Optimization of growing process of silicon bases for production of polycrystalline silicon

Source: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 3, № 5(51) (2011): The applied physics and materials technology; 15-20
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 3, № 5(51) (2011): Прикладная физика и материаловедение; 15-20
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 3, № 5(51) (2011): Прикладна фізика та матеріалознавство; 15-20

Subject Terms: Полікристалічний кремній, епитаксиальний шар, напруга, газове середовище, індуктор, Polikristallicheskiy silicon, epitaksiya layer, tension, gas environment, inductor, 0211 other engineering and technologies, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, 02 engineering and technology, Поликристаллический кремний, эпитаксиальная пленка, напряжение, газовая среда, индуктор, УДК 621.315.592

File Description: application/pdf

Access URL: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/1584

On the Transconductance of Polysilicon Thin Film Transistors

Authors: Panwar, Alka, Tyagi, B.P.

Source: Журнал нано-та електронної фізики, Vol 3, Iss 3, Pp 28-35 (2011)

Subject Terms: Grain boundary barrier height, polysilicon thin film transistor, поликристаллический кремний тонкопленочных транзисторов, полікристалічний кремній тонкоплівкових транзисторів, Grain boundary trap states, Physics, QC1-999, Transconductance, Polysilicon thin film transistor, Grain boundary

File Description: application/pdf

Access URL: https://doaj.org/article/bdaac91b2a6a4bb1a066ff4f9eafba30
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22994

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл – p-кремний» ; Вплив шару полікристалічного кремнію на механізми струмопереносу в контактах «метал - р-кремній» ; The influence of the layer of polycrystalline silicon on the mechanisms of current transport in contacts metal - p-silicon'

Authors: Кулинич, О.А., Кулініч, О.А., Kulinich, O.

Subject Terms: поликристаллы, поликристаллический кремний, процессы туннелирования, электронная сканирующая микроскопия, полікристали, полікристалічний кремній, процеси тунелювання, електронна скануюча мікроскопія, the polycrystals, polycrystalline silicon, processes tunneling, scanning electron microscopy

File Description: application/pdf

Relation: http://dspace.oneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/2552

Availability: http://dspace.oneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/2552