Mathematical modeling of the physical mechanism of the formation of a bulk surface charge in semiconductors for intelligent frequency sensors for gas concentration ; Математическое моделирование физического механизма образования объёмного приповерхностного заряда в полупроводниках для интеллектуальных частотных сенсоров концентрации газа ; Математичне моделювання фізичного механізму утворення об'ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу

Συγγραφείς: Осадчук, Александр Владимирович, Осадчук, Володимир Степанович, Осадчук, Ярослав Александрович

Πηγή: Optoelectronic Information-Power Technologies; Vol. 38 No. 2 (2019); 107-112 ; Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї; Том 38 № 2 (2019); 107-112 ; 2311-2662 ; 1681-7893

Θεματικοί όροι: semiconductor gas sensors, gas-reactive effect, reactive properties of semiconductors, impedance, surface layer, напівпровідникові сенсори газу, газореактівний ефект, реактивні властивості напівпровідників, повний опір, приповерхневий шар, полупроводниковые сенсоры газа, газореактивный эффект, реактивные свойства полупроводников, полное сопротивление, приповерхностный слой

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/560/523; https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/560

Διαθεσιμότητα: https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/560
https://doi.org/10.31649/1681-7893-2019-38-2-107-112