От Витебска до Стокгольма. Нобелевский лауреат Жорес Алферов

Θεματικοί όροι: Чашники, Беларусь, Витебск, ученые-физики, Нобелевские лауреаты, Городок, история физики, полупроводниковые гетероструктуры, Алферов Ж. И, физики

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://rep.vsu.by/handle/123456789/39661

Использование комбинированных методик для формирования полупроводниковых гетероструктур

Θεματικοί όροι: гетероструктуры, гетероструктурные материалы, поглощающие сульфидные слои, формирование полупроводниковых гетероструктур, сульфиды олова, полупроводниковые гетероструктуры, оксидные полупроводники

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/47786

От Витебска до Стокгольма. Нобелевский лауреат Жорес Алферов

Συγγραφείς: Русецкий, Ю. А., Русецкий, А. В.

Θεματικοί όροι: Беларусь, Витебск, Городок, Чашники, Алферов Ж. И, история физики, Нобелевские лауреаты, полупроводниковые гетероструктуры, ученые-физики, физики

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://rep.vsu.by/handle/123456789/39661

Διαθεσιμότητα: https://rep.vsu.by/handle/123456789/39661

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям

Συγγραφείς: Ли Цзысюань, Сысоева, С. Г., Олешко, Владимир Иванович

Συνεισφορές: Олешко, Владимир Иванович

Θεματικοί όροι: электронные ресурсы, полупроводниковые гетероструктуры, оптические свойства, оптоэлектроника, кристаллическая решетка, светоизлучающие структуры

Relation: Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017) : сборник научных трудов VI Международной научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов, г. Томск, 27–29 ноября 2017 г. — Томск, 2017.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45520

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45520

Низкоразмерные нанокомпозитные структуры в приборах электроники

Θεματικοί όροι: формирование нанотрубок, оксидные нанотрубки, нанотрубки, радикало-лучевая геттерирующая эпитаксия, пористые подложки, полупроводниковые гетероструктуры, выращивание оксидных нанотрубок

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/28608

Низкоразмерные нанокомпозитные структуры в приборах электроники

Θεματικοί όροι: формирование нанотрубок, оксидные нанотрубки, нанотрубки, радикало-лучевая геттерирующая эпитаксия, пористые подложки, полупроводниковые гетероструктуры, выращивание оксидных нанотрубок

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://openrepository.ru/article?id=40022

Фотолюминесценция полупроводниковых гетероструктур ALGAN / INGAN / GANс возбуждением импульсной Хе-лампой

Συγγραφείς: Сычева, А. В., Сысоева, С. Г.

Συνεισφορές: Олешко, Владимир Иванович

Θεματικοί όροι: электронные ресурсы, светоизлучающие диоды, полупроводниковые гетероструктуры, сапфиры, микроскопия, атомно-силовая микроскопия, просвечивающая электронная микроскопия

Relation: Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016) : сборник научных трудов V Международной научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов, г. Томск, 5–7 декабря 2016 г. — Томск, 2016.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36499

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36499

Effect of n- and p-doping on vacancy formation in cationic and anionic sublattices of (In,Al)As/AlAs and Al(Sb,As)/AlAs heterostructures

Συγγραφείς: Shamirzaev, Timur S., Atuchin, Victor V.

Πηγή: Nanomaterials. 2023. Vol. 13, № 14. P. 2136 (1-17)

Θεματικοί όροι: полупроводниковые гетероструктуры, катионные и анионные подрешетки, генерация ваканси, диффузия вакансий

Relation: koha:001132774; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132774

Διαθεσιμότητα: https://doi.org/10.3390/nano13142136
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132774

Dynamics of vacancy formation and distribution in semiconductor heterostructures: Effect of thermally generated intrinsic electrons

Συγγραφείς: Shamirzaev, Timur S., Atuchin, Victor V., Zhilitskiy, Vladimir E., Gornov, Alexander Yu.

Πηγή: Nanomaterials. 2023. Vol. 13, № 2. P. 308 (1-21)

Θεματικοί όροι: полупроводниковые гетероструктуры, вакансионная диффузия, квантовые ямы

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: koha:001133161; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133161

Διαθεσιμότητα: https://doi.org/10.3390/nano13020308
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133161

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям

Συνεισφορές: Олешко, Владимир Иванович

Θεματικοί όροι: оптические свойства, электронные ресурсы, светоизлучающие структуры, оптоэлектроника, кристаллическая решетка, полупроводниковые гетероструктуры

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45520

Фотолюминесценция полупроводниковых гетероструктур ALGAN / INGAN / GANс возбуждением импульсной Хе-лампой

Συνεισφορές: Олешко, Владимир Иванович

Θεματικοί όροι: микроскопия, сапфиры, светоизлучающие диоды, электронные ресурсы, атомно-силовая микроскопия, полупроводниковые гетероструктуры, просвечивающая электронная микроскопия

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36499

Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 202-205

Θεματικοί όροι: теллурид кадмия ртути, молекулярно-лучевая эпитаксия, полупроводниковые гетероструктуры, МДП-структуры, электрофизические исследования, приповерхностные слои

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623566

Influence of transport current on the magnetic field induced superconductor-insulator transition in PbTe/PbS heterostructures

Συγγραφείς: Yuzephovich, O. I.

Πηγή: Вестник Харьковского национального университета имени В. Н. Каразина. Серия «Физика»; Том 1158, № 22 (2015); 63-67 ; Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Фізика»; Том 1158, № 22 (2015); 63-67 ; ‎2073-3771 ; 2222-5617

Θεματικοί όροι: superconductivity, quantum superconductor-insulator transition, semiconductor heterostructures, сверхпроводимость, квантовый фазовый переход полупроводник-изолятор, полупроводниковые гетероструктуры, надпровідність, квантовий фазовий перехід надпровідник-ізолятор, напівпровідникові гетероструктури

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://periodicals.karazin.ua/physics/article/view/7804/7277; http://periodicals.karazin.ua/physics/article/view/7804

Διαθεσιμότητα: http://periodicals.karazin.ua/physics/article/view/7804

Theoretical Investigation of Electronic and Structural Properties of AlN Thin Films ; ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ И ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКИХ ПЛЕНОК AlN

Συγγραφείς: K. K. Abgaryan, D. I. Bazhanov, I. V. Mutigullin, К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 1 (2015); 48-51 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 1 (2015); 48-51 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; undefined

Θεματικοί όροι: первопринципные расчеты, semiconductor heterostructures, first principles calculations, полупроводниковые гетероструктуры

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/155/147; Абгарян,К.К.Применениеоптимизационныхметодовдля моделирования многослойных полупроводниковых наносистем / К. К. Абгарян // Тр. Ин−та системного анализа Рос. акад. наук. Динамика неоднородных систем. − 2010. − Т. 53(3).; Meng,W.J.GrowthofaluminumnitridethinfilmsonSi(111) and Si(001): Structural characteristics and development of intrinsic stress / W. J. Meng, J. A. Sell, T. A. Perry, L. E. Rehn, P. M. Baldo // J. Appl. Phys. − 1994. − V. 75. − P. 3446—3456.; Blöchl, P. E. Projector augmented−wave method / P. E. Blöchl // Phys. Rev. − 1994. − V. 50, N 24. − P. 17953—17979.; Kresse, G. Efficient iterative schemes for ab initio total− energy calculations using a plane−wave basis set / G. Kresse, J. Furthmuller // Phys. Rev. B. − 1996. − V. 54. − P. 11169—11186.; Monkhorst,H.SpecialpointsforBrillouin−zoneintegrations / H. Monkhorst, J. Pack // Phys. Rev. B. −1976. − V. 13. − P. 5188.; Kukushkin, S. A. Substrates for epitaxy of gallium nitride: new materials and techniques / S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. N. Bessolov, B. K. Medvedev, V. K. Nevolin, K. A. Tcarik // Rev. Adv. Mater. Sci. − 2008. − V. 17. − P. 1—32.; Litvinov,D.Transmissionelectronmicroscopyinvestigation of AlN growth on Si(111) / D. Litvinov, D. Gerthsen, R. Vöhringer, D. Z. Hu, D. M. Schaadt // J. Cryst. Growth. − 2012. − V. 338. − P. 283—290.; Batyrev,I.AbinitiocalculationsontheAl2O3(0001)surface/ I.Batyrev,A.Alavi,M.W.Finnis//FaradayDiscuss.−1999−V. 114. − P. 33—43.; Holec,D.SurfaceenergiesofAlNallotropesfromfirstprinciples/D.Holec,P.H.Mayrhofer//ScriptaMaterialia.−2012.−V. 67. − P. 760—762.; Zhu,D.Low−costhigh−efficiencyGaNLEDonlarge−area Si substrate / D. Zhu, C. J. Humphreys // Proc. CS MANTECH Conf. − New Orleans (Louisiana, USA), 2013. − P. 269—272.; https://met.misis.ru/jour/article/view/155

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/155
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-48-51

Использование комбинированных методик для формирования полупроводниковых гетероструктур

Συγγραφείς: Богомазова, Наталья Валентиновна, Жарский, Иван Михайлович

Θεματικοί όροι: гетероструктурные материалы, полупроводниковые гетероструктуры, гетероструктуры, оксидные полупроводники, поглощающие сульфидные слои, сульфиды олова, формирование полупроводниковых гетероструктур

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://elib.belstu.by/handle/123456789/47786; 621.794.4:661.862.22

Διαθεσιμότητα: https://elib.belstu.by/handle/123456789/47786

ТУННЕЛИРОВАНИЕ ЧАСТИЦЫ ЧЕРЕЗ ДВОЙНОЙ ДЕЛЬТАОБРАЗНЫЙ БАРЬЕР С ЗАВИСЯЩИМ ОТ ВРЕМЕНИ ПОТЕНЦИАЛОМ

Συγγραφείς: Ковалевский, Дмитрий

Θεματικοί όροι: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, ЗАВИСЯЩИЙ ОТ ВРЕМЕНИ ПОТЕНЦИАЛ, ТЕОРИЯ ФЛОКЕ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/tunnelirovanie-chastitsy-cherez-dvoynoy-deltaobraznyy-barier-s-zavisyaschim-ot-vremeni-potentsialom
http://cyberleninka.ru/article_covers/14644615.png

ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗРАБОТКИ НЕЛИНЕЙНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ РАДИОСИГНАЛОВ НА БАЗЕ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫХ НАНОДИОДОВ

Συγγραφείς: Ветрова, Н., Иванов, Ю., Мешков, С., Назаров, В., Синякин, В., Федоренко, И., Федоркова, Н., Шашурин, В.

Θεματικοί όροι: МНОГОСЛОЙНЫЕ НАНОРАЗМЕРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ А3В5, РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД, СМЕСИТЕЛЬ РАДИОСИГНАЛОВ, ВЫПРЯМИТЕЛЬ СВЧ СИГНАЛА, СИСТЕМЫ РАДИОЧАСТОТНОЙ ИДЕНТИФИКАЦИИ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/perspektivy-razrabotki-nelineynyh-preobrazovateley-radiosignalov-na-baze-rezonansno-tunnelnyh-nanodiodov
http://cyberleninka.ru/article_covers/14201603.png

Физика низкоразмерных систем

Συνεισφορές: Сибирский федеральный университет, Шелованова, Галина Николаевна

Θεματικοί όροι: учебно-методические пособия, Пористый кремний как низкоразмерная система, физика, Полупроводниковые гетероструктуры, квантовые свойства электрона, наноструктуры, самостоятельная работа, низкоразмерные системы, Инжекционный гетеролазер, Одноэлектронный транзистор, 621.382.7(07)

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://openrepository.ru/article?id=445796

Туннелирование частицы через двойной дельтаобразный барьер с зависящим от времени потенциалом

Πηγή: Вестник Санкт-Петербургского университета. Серия 4. Физика. Химия.

Θεματικοί όροι: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, ЗАВИСЯЩИЙ ОТ ВРЕМЕНИ ПОТЕНЦИАЛ, ТЕОРИЯ ФЛОКЕ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article/n/tunnelirovanie-chastitsy-cherez-dvoynoy-deltaobraznyy-barier-s-zavisyaschim-ot-vremeni-potentsialom
http://cyberleninka.ru/article_covers/14644615.png

ВЛАСТИВОСТІ НАДТОНКИХ ПЛІВОК ГЕТЕРОСТРУКТУР p(Pb1-xSnxSe) – n(CdSe) В ДАЛЬНІЙ ІЧ- ОБЛАСТІ СПЕКТРУ

Πηγή: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 9, № 3 (2012)
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 9, № 3 (2012)
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 9, № 3 (2012)

Θεματικοί όροι: ІЧ-фотоприймач, напівпровідникові гетероструктури, інверсія зон, фотогетерорезистор, ИК-фотоприемник, полупроводниковые гетероструктуры, инверсия зон, infrared photodetector, semiconductor heterostructures, the zones inversion, photoheteroresistor, 7. Clean energy

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://semst.onu.edu.ua/article/view/25-30