СТРУКТУРА МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК СО СЛОЕМ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО АЗОТОМ

Πηγή: Вестник Академии наук Чеченской Республики.

Θεματικοί όροι: silicon nitride, density of surface states, нитрид кремния, легирование, polycrystalline silicon, silicon, doping, плотность поверхностных состояний, 7. Clean energy, азот, nitrogen, кремний, поликристаллический кремний

Parameters identification and optimization of photovoltaic panels under real conditions using Lambert W-function

Συγγραφείς: Dris Ben hmamou, Mustapha Elyaqouti, Elhanafi Arjdal, Ahmed Ibrahim, H.I. Abdul-Ghaffar, Raef Aboelsaud, Sergey Obukhov, Ahmed A. Zaki Diab

Πηγή: Energy Reports, Vol 7, Iss, Pp 9035-9045 (2021)
Energy reports. 2021. Vol. 7. P. 9035-9045

Θεματικοί όροι: Composite material, Silicon, Photovoltaic Arrays, Parameter Estimation, Monocrystalline silicon, Robustness (evolution), 0211 other engineering and technologies, 02 engineering and technology, Mathematical analysis, Biochemistry, Gene, 7. Clean energy, Lambert W function, Layer (electronics), Engineering, Thin-film transistor, Artificial Intelligence, тонкие пленки, FOS: Mathematics, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Shell ST40 thin film, Machine Learning Methods for Solar Radiation Forecasting, Optoelectronics, Photovoltaic system, Energy, Renewable Energy, Sustainability and the Environment, Lambert W-function, Statistics, фотоэлектриченские панели, Photovoltaic Maximum Power Point Tracking Techniques, Computer science, Materials science, монокристаллический кремний, TK1-9971, Chemistry, Electrical engineering, Physical Sciences, Computer Science, Mean squared error, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, Polycrystalline silicon, Photovoltaic, KC200GT Polycrystalline Silicon, Ламберта W-функция, Mathematics, поликристаллический кремний, Single diode model, Shell SP70 monocrystalline silicon

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/663f5420b37343c7a90962001a586f66
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000925079

Silicon from sand is a promising technology for producing silicon of semiconductor quality

Πηγή: International scientific journal "Transfer of Innovative Technologies"; Vol 5, No 1 (2022); 29-44
Міжнародний науковий журнал "Трансфер інноваційних технологій"; Vol 5, No 1 (2022); 29-44

Θεματικοί όροι: хлорирование, energy intensity, chlorination, энергоемкость, механоактивация, low-temperature catalytic hydrogenation, quartz sand, 7. Clean energy, semiconductor purity, 12. Responsible consumption, mechanical activation, 13. Climate action, polycrystalline silicon, 11. Sustainability, кварцевый песок, high-energy treatment, поликристаллический кремний

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://tit.knuba.edu.ua/article/view/275911

Silicon from sand is a promising technology for producing silicon of semiconductor quality ; Кремний из песка – перспективная технология получения кремния полупроводникового качества

Συγγραφείς: Kritskaia, Tatiana, Sukach, Mykhailo, Bazhenov, Yevgen

Πηγή: Transfer of innovative technologies; Vol 5, No 1 (2022); 29-44 ; 2664-2697 ; 2617-0264 ; 10.32347/tit.2022.51

Θεματικοί όροι: кварцевый песок, поликристаллический кремний, механоактивация, энергоемкость, хлорирование, quartz sand, polycrystalline silicon, semiconductor purity, mechanical activation, high-energy treatment, energy intensity, chlorination, low-temperature catalytic hydrogenation

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://tit.knuba.edu.ua/article/view/275911/270842; http://tit.knuba.edu.ua/article/view/275911

Διαθεσιμότητα: http://tit.knuba.edu.ua/article/view/275911
https://doi.org/10.32347/tit.2022.51.0203

Methods of trichlorosilane synthesis for polycrystalline silicon production ; Методы получения трихлорсилана для производства поликристаллического кремния

Συγγραφείς: V. N. Jarkin, O. A. Kisarin, T. V. Kritskaya, В. Н. Яркин, О. А. Кисарин, Т. В. Критская

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 24, № 1 (2021); 5-26 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 24, № 1 (2021); 5-26 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2021-1

Θεματικοί όροι: кремний, поликристаллический кремний, Сименс-процесс

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/419/351; Мировая энергетика. http://www.eeseaec.org; Colthore A. Lux research utility-scale solar can complete with natural gas by 2025. www.pv-tech.org/news/31983 (дата обращения: 03.12.2013); US installiert mehr Solarstrom als Gas im Jahr 2015. www.pv-tech.org/news/us-installied-move-solar-power-than-gas-in-2015 (дата обращения: 06.02.2016); Рыночные перспективы гетероструктурных (HJT) модулей — интрига солнечной энергетики. https://renen.ru/market-prospects-for-heterojunction-hjt-modules-solar-energy-intrigue/; Global and China's polysilicon market industries, 2019—2023 examined in new market research report. https://www.whatech.com/markets-research/materials-chemicals/597111-research-report-on-global-and-china-s-polysilicon-market-industries-2019-2023 (дата обращения: 16.06.2020); Photovoltaic I: Polycrystalline Silicon. https://www.globalmarketmonitor.com (дата обращения: 27.07.2020); Global and China Polysilicon Industry Report 2019—2023. https://www.globenewswire.com/news-release/2019/05/24/1843135/0/en/Global-and-China-Polysilicon-Industry-Report-2019-2023.html (дата обращения: 24.02.2020); China's polysilicon output will reach 450,000 tons in 2020. https://www.funcmater.com/china-s-polysilicon-output-will-reach-450-000-tons-in-2020.html (дата обращения: 24.02.2020); Polysilicon manufacturers. https://www.bernreuter.com/polysilicon/manufacturers/ (дата обращения: 19.10.2020); Taiyang News: Daqo sold more polysilicon than guided in Q2/2020. http://taiyangnews.info/business/daqo-sold-more-polysilicon-than-guided-in-q22020/ (дата обращения: 18.10.2020); Bellini E. China holds firm on strategy to build self-sufficient domestic polysilicon industry. https://www.pv-magazine.com/2020/01/20/china-holds-firm-on-strategy-to-build-self-sufficient-domestic-polysilicon-industry/ (дата обращения: 20.01.2020); Kunal Ahuja, Kritika Mamtani. Trichlorosilane Market Size worth over $10bn by 2025. https://www.gminsights.com/pressrelease/trichlorosilane-market (дата обращения: 17.10.2019); Hesse K. Advanced Solar-Grade Si Material // In: Petrova-Koch V., Hezel R., Goetzberger A. (Eds) High-Efficient Low-Cost Photovoltaics. Berlin; Heidelberg: Springer, 2009. P. 45—54. DOI:10.1007/978-3-540-79359-5_4; Яркин В. Н., Кисарин О. А., Реков Ю. В., Червоный И. Ф. Кремний для солнечной энергетики: конкуренция технологий, влияние рынка, проблемы развития // Теория и практика металлургии. 2010. № 1–2. С. 114—126.; Fabry L., Hesse K. Crystalline Silicon Feedstock Preparation and Analysis // In: Willeke G. P., Weber E. R. (Eds) Semiconductors and Semimetals. V. 87. San Diego: Academic Press, 2012. P. 185—261. DOI:10.1016/B978-0-12-388419-0.00007-8; Ceccaroli B., Pizzini S. Processes // In: Pizzini S. (Ed.) Advanced Silicon Materials for Photovoltaic Applications. John Wiley & Sons, Ltd., 2012. P. 21—78. DOI:10.1002/9781118312193.ch2; Fu R., James T. L., Woodhouse M. Economic measurements of polysilicon for the photovoltaic industry: market competition and manufacturing competitiveness // IEEE J. Photovoltaics. 2015. V. 5, N 2. P. 515—524. DOI:10.1109/JPHOTOV.2014.2388076; Coleman L. The Chemistry of Silicon Hydrochlorination. http://www.consultant-on-demand.net/ (дата обращения: 17.10.2019); Crawford A. Cost saving of using a metallurgical grade silicon with higher trichlorsilane yield in the hydrochlorination based polysilicon process // Silicon for the Chemical and Solar Industry XIII. Kristiansand (Norway), 2016. P. 201—217. https://www.ntnu.no/trykk/publikasjoner/Silicon%20for%20the%20chemical%20and%20solar%20industry%20XIII/HTML/files/assets/common/downloads/page0209.pdf; Samori H., Enocuchi M., Aimoto T. et. al. Effect of trace elements in metallurgical silicon on trichlorsilane synthesis reaction // Silicon for the Chemical Industry III. Trondheim (Norway): Norwegian University of Science and Technology, 1996. P. 157—167.; Kürschner U., Pätzold U., Hesse K., Lieske H. Studies on trichlorsilane syntheses // Silicon for the Chemical Industry VII. Tromsø-Bergen (Norway), 2004. P. 177—178.; Hesse K., Pätzold U. Survey over the TCS process // Silicon for Chemical Industry VIII. Trondheim (Norway): Norwegian University of Science and Technology, 2006. P. 157—166.; Kürschner U., Radnik J., Lieske H. On Reasons for Selectivity Losses in TCS Synthesis // In: Auner N., Weis J. (Ed.) Organosilicon Chemistry VI: From Molecules to Materials.‎ V. 1. New York; Amsterdam: Wiley-VCH, 2005. 1020 p. (P. 119—125). DOI:10.1002/9783527618224.ch2a; Dropka N., Hoang D. L., Küvschnev U., Martin A., Pätzold U., Hesse K., Lieske H. Kinetic studies on trichlorsilane synthesis // Silicon for Chemical Industry VIII. Trondheim (Norway): Norwegian University of Science and Technology, 2006. P. 167—180.; Demin A. Reaktionstechnische Untersuchungen zur Hydrochlorierung von metallurgischem Silicium: Doktors der Ingenieurswissenschaften (Dr. Ing.) genehmigte Abhandlung. Institut für Technische Chemie der Universität Stuttgart, 2012. https://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/1374; Фалькевич Э. С., Пульнер Э. О., Червоный И. Ф., Шварцман Л. Я., Яркин В. Н., Салли И. В. Технология полупроводникового кремния. М.: Металлургия, 1992. 408 с.; Kanner B., Lewis K. M. Commercial production of silanes by the direct synthesis // In: Lewis K. M., Rethwish D. G. (Ed.) Catalyzed Direct Reaction of Silicon. Amsterdam; New York: Elsevier, 1993. 644 p. (P. 1—66).; Breneman W. C. Direct synthesis of chlorosilanes and silan // In: Lewis K. M., Rethwish D. G. (Ed.) Catalyzed Direct Reaction of Silicon. Amsterdam; New York: Elsevier, 1993. 644 p. (P. 441—457).; Liebischev S., Weidhaus D., Weiss T. Integrated loops: a prerequisite for sustainable and environmentallyfriendly polysilicon production // Photovoltaics International Journal. 2010. P. 44—51.; Noll W. Chemie und Technologie der Silicone. Weinheim: Verlag Chemie GmbH, 1960. 460 p.; Voorhoeve R. J. H. Organosilanes: Precursors to Silicones. New York: Elsevier, 1967. 437 p.; Chigondo F. From Metallurgical-Grade to Solar-Grade Silicon: An Overview // Silicon. 2018. V. 10. P. 789—798. DOI:10.1007/s12633-016-9532-7; Andersen G. J., Hoel J. O., Rong H., Øye H. A. Selectivity and Reactivity of the Trichlorosilane Process. https://www.pyrometallurgy.co.za/InfaconIX/352-Andersen.pdf; Demin A., Montsch T., Klemm E. Untersuchungen der Induktionsphase der Hydrochlorierung von metallurgischem Silicium // Chem. Ing. Techn. 2011. V. 83, N 10. P. 1728—1733. DOI:10.1002/cite.201100069; Rong H. M., Forwald K. et al. Quality criteria for silicon used for organo-silicon industry // In: Lewis K. M., Rethwish D. G. (Ed.) Catalyzed Direct Reaction of Silicon. Amsterdam; New York: Elsevier, 1993. 644 p. (P. 93—105).; Bonitz E. Reaktionen des elementaren Siliciums // Angewandte Chemie. 1966. V. 78, Iss. 9. P. 475—482. DOI:10.1002/ange.19660780903; Bade S., Hoffmann U. Development of а new reactor for combined comminution and chemical reaction // Chem. Eng. Comm. 1996. V. 143, Iss. 1. Р. 169—193. DOI:10.1080/00986449608936440; Patent 102006027273 (DE). Verfahren zur Gewinnung von Reinstsilizium / B. Beck, T. Neußer, T. Müller, 2006. https://patentimages.storage.googleapis.com/82/49/da/a6bd219f1bde8c/DE102006027273B3.pdf; Patent 102009014562 (DE). Aufreinigung von metallurgischem Silizium / A. Petrik, Ch. Schmid, J. Hahn, 2009. https://patentimages.storage.googleapis.com/c6/45/f7/7ecc679b4f89de/DE102009014562A1.pdf; Nygaard L., Brekken H., Lie H. U., Lie H. U., Magnussen Th. E., Sveine A. Water Granulation of Ferrosilicon and Silicon Metal // In: INFACON 7. Trondheim (Norway), 1995. P. 665—671. https://www.pyro.co.za/InfaconVII/665-Nygaard.pdf; Patent 0402665A3 (EP). Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Metallpulver / P.-A. Lundström, A. West, G. A. Andersson, Ju. Mägi, 1993. https://patentimages.storage.googleapis.com/33/ae/8f/7e6410a1174279/EP0402665B1.pdf; Patent 2003018207A1 (WO). Procede de suppression d'impuretes a partir de residus contenant du silicium / H. M. Rong, H. Sørheim, H. A. Øye, 2003. https://patentimages.storage.googleapis.com/97/79/08/a2a1debf71b5ea/WO2003018207A1.pdf; Patent 3230590A1 (DE). Verfahren zur herstellung von trichlorsilan und siliciumtetrachlorid aus silicium und chlorwasserstoff / T. Ito, H. Hori, 1985.; Patent 4176710A (US). Fluidized bed reactor / J. Gansauge, J. Muschi, H. Freudlsperger, 1979. https://patentimages.storage.googleapis.com/ae/64/48/43daa1a905c253/US4176710.pdf; Patent 1586537B1 (EP). Verfahren zur Herstellung von Trichlormonosilan / B. Pflügler, G. Traunspurger, W. Dr. Grünleitner, 2005. https://patentimages.storage.googleapis.com/07/56/85/0c5a9ee2f8fe18/EP1586537B1.pdf; Patent 2013037639A1 (WO). Verwertung niedrigsiedender verbindungen in chlorsilan-prozessen / H. Seiler, N. Schladerbeck, H. Mertsch, F. Becker, 2013. https://patentimages.storage.googleapis.com/b3/c6/28/b3d55daf434934/WO2013037639A1.pdf; Patent 20090016947A1 (US). Recycling of high-boiling compounds within an integrated chlorosilane system / L. Fabry, U. Paetzold, M. Stepp, 2009. https://patentimages.storage.googleapis.com/92/c7/d2/e031d445e89e00/US20090016947A1.pdf; Patent 9533279B2 (US). Method and apparatus for manufacturing trichlorosilane / N. Tachino, H. Takesue, H. Satoh, 2017. https://patentimages.storage.googleapis.com/6c/3e/f9/29afadd2d67224/US9533279.pdf; Patent 20110129402A1 (US). Method of producing trichlorosilane (TCS) rich product stably from hydrogenation of silicon tetra chloride (STC) in fluidized gas phase reactor (FBR) and the structure of the reactor / Yong Chae Chee, Tetsunori Kunimune, 2011. https://patentimages.storage.googleapis.com/4b/e7/e1/ebbe96cab5800a/US20110129402A1.pdf; Patent 3017298B1 (EP). Analyse der zusammensetzung eines gases oder eines gasstromes in einem chemischen reaktor und ein verfahren zur herstellung von chlorsilanen in einem wirbelschichtreaktor / Th. Goebel, W. Haeckl, W. Muenzer, U. Paetzold, N. Sofina, 2017. https://patentimages.storage.googleapis.com/35/eb/66/2f6286019a636d/EP3017298B1.pdf; Аркадьев А. А., Назаров Ю. Н., Кох А. А., Чапыгин А. М., Новиков А. В. Влияние давления на соотношение трихлорсилана и тетрахлорида кремния в парогазовой смеси, образующейся в процессе прямого синтеза трихлорсилана // Цветные металлы. 2012. № 7. С. 62—64.; Fischer C., Wolf E. Zur Darstellung von Trichlorsilan durch Hydrochlorierung von reinem Silicium bei 300–800 °C // Z. Anorg. und Allg. Chem. 1964. V. 333, N 1–3. P. 46—53. DOI:10.1002/zaac.19643330108; Patent 1942280A1 (DE). Verfahren zur Herstellung von Halogensilanen / R. Schwarz, Eu. Meyer-Simon, 1971.; Руководство по неорганическому синтезу: в 6-ти томах. Т. 3. Пер. с нем. / Под ред. Г. Брауэра. М.: Мир, 1985. C. 744.; Patent 4044109A (US). Process for the hydrochlorination of elemental silicon / H.-J. Kotzsch, H.-J. Vahlensieck, W. Josten, 1977. https://patentimages.storage.googleapis.com/51/c8/56/6a0ec6056bc8ee/US4044109.pdf; Ehrich H., Lobreyer T., Hesse K., Lieske H. Some phenomenological and mechanistic aspects of the use of copper as catalyst in trichlorosilane synthesis // Studies in Surface Science and Catalysis. 2000. V. 130. Р. 2267—2272. DOI:10.1016/S0167-2991(00)80806-X; Иванов В. Н., Трубицин Ю. В. Развитие конструкции реакторов псевдоожиженного слоя для синтеза трихлорсилана // Цветные металлы. 2013. № 7. С. 51—57.; Jain M. P., Sathiyamoorthy D., Rao V. G. Studies on hydrochlorination of silicon in a fluidised bed reactor // Indian Chem. Engineering. 2010. V. 51, N 4. Р. 272—280. DOI:10.1080/00194500903444417; Mui J. Y. P. Corrosion Mechanism of Metals and Alloys in the Silicon-Hydrogen-Chlorosilane System at 500 °C // Corrosion. 1985. V. 41, Iss. 2. Р. 63—69. DOI:10.5006/1.3581973; Patent 3640172C1 (DE). Reactor of nickel-containing material for reacting granular Si-metal-containing material with hydrogen chloride to form chlorosilanes / K. Ruff, 1988.; Kraus Ch. Korrosionverhalten metallischer und keramisher Werkstoffe in Prozeßgasen zur Herstellung von Solarsilizium: Diss. Aachen: Techn. Hochsch., 2002. 156 р.; Бокшицкая Н. А., Мещерякова И. Д., Колпенская А. В. и др. Коррозионная стойкость материалов в условиях производства хлорсиланов. М.: НИИТЭХИМ, 1985. 30 с.; Aller J., Ellingwood K., Jacobson N., Gannon P. High temperature chlorosilane corrosion of AISI 316L // J. Electrochem. Soc. 2016. V. 163, N 8. P. 425—458. DOI:10.1149/2.0751608jes; Patent 102015205727A1 (DE). Fluidized bed reactor for the production of chlorosilanes / M. Babl, S Liebischev, 2018. https://patentimages.storage.googleapis.com/90/7c/eb/9d3f1f35ba5fb7/DE102015205727A1.pdf; Ivanov V. N., Trubitsin Yu. V. Approaches to hydrogenation of silicon tetrachloride in polysilicon manufacture // Russ. Microelectron. 2011. V. 40, N 8. P. 559—561. DOI:10.1134/S1063739711080099; Ipatiew W., Dolgow B. Über Hydrierung und Zerfall von silizium-organischen Verbindungen bei hohen Temperaturen und Drucken (Vorläufige Mitteilung) // Berichte der Deutschen Chemischen Gesellschaft. 1929. V. 62, N 5. P. 1220—1226.; Patent 4170667 (US). Process for manufacturing pure polycrystalline silicon / M. A. Rodgers, 1979. https://patentimages.storage.googleapis.com/48/c3/c5/d313ee70534a40/US4170667.pdf; Patent 4217334A (US). Process for the production of chlorosilanes. W. Weigert, E. Meyer-Simon, R. Schwarz, 1980. https://patentimages.storage.googleapis.com/de/4b/9b/f82584e72dadbf/US4217334.pdf; Zhou Y.-M., Fand W.-B., Li Y.-G., Nie Z.-F., Ma W.-H., Dai Y.-N., Hou Y.-Q. Equilibrium concentrations of SiHCl3 and SiCl4 in SiCl4–H2 system for hydrogenation of SiCl4 to SiHCl3 // J. Chem. Eng. Jpn. 2017. V. 50, N 12. P. 871—877. DOI:10.1252/jcej.16we321; Kunioshi N., Moriyama Y., Fuwa A. Kinetics of the conversion of silicon tetrachloride into trichlorosilane obtained through the temperature control along a plug-flow reactor // Int. J. Chem. Kinetics. 2016. V. 48, N 1. P. 45—57. DOI:10.1002/kin.20969; PST and DEI Launch Large Scale Silicon Tetrachloride Converter for Polysilicon Market. https://www.cnbc.com/2010/11/12/pst-and-dei-launch-large-scale-silicon-tetrachloride-converter-for-polysilicon-market-solar-and-semiconductor-polysilicon-provider-offers-largestsingle-train-stc-converter.html; Patent 9217609 (US). Apparatus and methods for conversion of silicon tetrachloride to trichlorosilane / S. Fahrenbruck, B. Hazeltine, A. Schweyen, S. Skinner, 2015. https://patentimages.storage.googleapis.com/e2/ec/52/8f5a1b0c621d25/US9217609.pdf; Patent 2595620A (US). Hydrogenation of halogenosilanes / G. H. Wagner, C. H. Erickson, 1952. https://patentimages.storage.googleapis.com/5a/c5/84/36b86273ac5704/US2595620.pdf; Mui J. Y. P., Seyferth D. Investigation of the hydrogenation of SiCl4. Final Report DOE/JPL, Contract No. 955382. Cambridge (M.A.): Massachusetts Institute of Technology, 1981.; Mui J. Y. P. Investigation of the Hydrogenation of SiCl4. Final Report DOE/JPL, Contract No. 956061. Bellingham (M.A.): Solarelectronics Inc., 1983.; Ingle W. M., Peffley M. S. Kinetics of the hydrogenation of silicon tetrachloride // J. Electrochem. Soc. 1985. V. 132, N 5. P. 1236—1240. DOI:10.1149/1.2114078; Lehnen R. J. Untersuchungen zur katalysierten Hydrochorierung von metalurgishem Silizium mit Siliziumtetrachlorid und Wasserstoff in einem Laborfestbettreaktor: Diss. zur Erlangung des Grades Dr. Bochum, 2002. 173 p.; Ding W.-J., Wang Z.-B., Yan J.-M., Xiao W.-D. CuCl — catalyzed hydrogenation of silicon tetrachloride in the presence of silicon: mechanism and kinetic modeling // Ind. Eng. Chem. Res. 2014. V. 53, N 43. P. 16725—16735. DOI:10.1021/ie503242t; Sill T., Buchholz S., Weber R., Mleczko L. Thermodynamic, mechanistic and reaction engineering aspects of hydrochorination of silicon // In: Silicon for the Chemical Industry. Trondheim (Norway), 2000. P. 107—120.; Hoel J. O., Andersen G., Røe, T., Rong H. Maximizing trichlorsilane production in the reaction between silicon, silicon tetrachloride and hydrogen // In: Silicon for the Chemical and Solar Industry XI. Bergen-Ulvik (Norway), 2012. P. 157—166.; Bohmhammel K., Roewer G., Walter H. Hydrodehalogenation of chlorosilanes in the presence of metal silicides: experimental studies of gas and solid phase composition related to thermodynamic calculations // J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1995. V. 91, N 21. P. 3879—3882. DOI:10.1039/FT9959103879; Walter H., Roewer G., Bohmhammel K. Mechanism of the silicide-catalysed hydrodehalogenation of silicon tetrachloride to trichlorosilane // J. Chem. Soc., Faraday Trans. 1996. V. 92, N 22. P. 4605—4608. DOI:10.1039/FT9969204605; Röver I., Acker K., Bohmhammel K., Roewer G., Hesse K., Pätzold U. The catalytic hydrodehalogenation of chlorsilanes — the crucial point of electron-grade silicon // In: Silicon for the Chemical Industry VI. Trondheim (Norway), 2002. P. 209—224.; Wu J., Chen Z., Ma W., Dai Y. Thermodynamic estimation of silicon tetrachloride to trichlorosilane by a low temperature hydrogenation technique // Silicon. 2017. V. 9, N 1. P. 69—75. DOI:10.1007/s12633-015-9353-0; Patent 7056484 (US). Method for producing trichlorosilane / A. Bulan, R. Weber, 2006. https://patentimages.storage.googleapis.com/fc/c8/f7/634afcabab971a/US7056484.pdf; Patent 2002022501A1 (WO). Method for producing trichlorosilane / A. Bulan, R. Weber, 2002. https://patentimages.storage.googleapis.com/ee/66/63/cd03538edaff68/WO2002022501A1.pdf; Patent 2002022500A1 (WO). Verfahren zur herstellung von trichlorsilan / A. Bulan, R. Weber, L. Mleczko, 2002. https://patentimages.storage.googleapis.com/2c/1d/36/130ba865b2d364/WO2002022500A1.pdf; Patent 108855091 (CN). The catalyst and preparation method thereof of trichlorosilane is prepared for silicon tetrachloride cold hydrogenation / Sun Yongshi, Fan Xiecheng et al., 2018. https://patentimages.storage.googleapis.com/d7/87/b6/2442318a1ce15c/CN108855091A.pdf; Patent 2002049754A1 (WO). Fluidised bed reactor made of a nickel-chrome-molybdenum-alloy for the synthesis of trichlorosilane / M. Pfaffelhuber, R. Weber, 2002. https://patentimages.storage.googleapis.com/d0/eb/83/e7bae271ee3b32/WO2002049754A1.pdf; Colomb M., Palanki S., Sylvester N. D. Modeling the hydrochlorination reaction in a laboratory-scale fluidized bed reactor // Powder Technol. 2016. V. 292. P. 242—250. DOI:10.1016/j.powtec.2015.12.044; Patent 19534922 (DE). Verfahren zur Hersfellung von Trichlorsilan und Silicium / R. Grießhammer, F. Köppl, F. Schrieder, 1997.; Hazeltine B. Advances in hydrochlorination technology within a polysilicon plant // In: Silicon for the Chemical and Solar Industry XI, Bergen-Ulvik (Norway), 2012. P. 167—175.; Patent 20110311398A1 (US): Zero-heat-burden fluidized bed reactor for hydro-chlorination of SiCl4 and M.G.-Si / Kuyen Li, 2011. https://patentimages.storage.googleapis.com/86/c0/6e/34e838132862f4/US20110311398A1.pdf; Patent 109694077 (CN). A kind of converting silicon tetrachloride is the device and method of trichlorosilane / Fan Xiecheng, Liu Xinping, Qin Wenjun et al., 2019. https://patentimages.storage.googleapis.com/93/f2/e2/03e25cf630c545/CN109694077A.pdf; Patent 10065864 (US). Method of preparing trichlorosilan / G. H. Kim, J. H. Kim, K. H. Park, D. H. Lee, 2018. https://patentimages.storage.googleapis.com/25/4b/66/389b857887cbf4/US10065864.pdf; Patent 20150158732A1 (US). Process for producing trichlorosilane / S. Gandhi, B. Hazeltine, 2015. https://patentimages.storage.googleapis.com/a2/d7/48/2d9374e9d02687/US20150158732A1.pdf; Dongming Song, Yanging Hou, Gang Xie, Zhuohuang Ma. Thermodynamic behavior of SiH2Cl2 in polysilicon production by Siemens process // Adv. Mater. Res. 2013. V. 712–715. P. 325—328. DOI:10.4028/www.scientific.net/AMR.712-715.325; Яркин В. Н., Петрик А. Г., Фалькевич Э. С. Выбор метода промышленного получения дихлорсилана // Цветные металлы. 1988. № 6. С. 70—73.; Mc Cormick J. R., Arvidson A. N., Sawyer D. H., Müller D. M. Development of a polysilicon process based on chemical vapor deposition of dichlorosilane in an advanced Siemen's reactor: final report. Hemlock Semiconductor Corp., 1983.; Чащинов Ю. М., Яркин В. Н., Петрик А. Г., Гашенко В. С. Состав и строение стержней кремния, полученных в процессе водородного восстановления дихлорсилана // Цветные металлы. 1989. № 5. C. 86—87.; Patent 20170058403A1 (US). Dichlorosilane compensating control strategy for improved polycrystalline silicon growth. J. V. Bucci, M. R. Stachowiak, C. A. Stibitz, 2017. https://patentimages.storage.googleapis.com/7c/71/09/0af4540d94ffbb/US20170058403A1.pdf; Patent 20100150809A1 (US). Enhancements for a chlorosilane redistribution reactor / J. M. Bill, C. W. Merkh, C. L. Griffith III, 2010. https://patentimages.storage.googleapis.com/3e/19/70/b8833fb94b561b/US20100150809A1.pdf; Mauritis J. E. A. Silicon production // In: Treatise on Process Metallurgy. V. 3: Industrial Processes, Pt A. Amsterdam: Elsevier, 2014. 1097 p. (P. 945).; Bill J., Drumm K., Li Kuyen. Strategies for new entrants into polysilicon // Proc. Int. Solar Energy Expo 8 Conference. Kintex (Korea), 2010.; Staff B. GCL Solar Completes DCS Redistribution with Dynamic Engineering. https://www.benzinga.com/press-releases/b63908/gcl-solar-completes-dcs-redistribution-with-dynamic-engineering; Osborne M. Dynamic Engineering completes largest DCS project for GCL Solar. https://www.pv-tech.org/dynamic_engineering_completes_largest_dcs_project_for_gcl_solar/; Merkh C., Sun Xiaojing. Polysilicon plan waste recycling. https://www.renewableenergyworld.com/baseload/polysilicon-plant-waste-recycling/#gref; Patent 101955187 (CN). Method and apparatus for preparing trichlorosilane through rectification by using proportionate reaction / Huang Guoqiang, Wang Guofeng, Wang Hongxing, Hua Chao, 2012. https://patentimages.storage.googleapis.com/c7/8c/69/bdbdc0d75a12e7/CN101955187B.pdf; Patent 102491341A (CN). Reactive distillation device for preparing trichlorosilane from mixed chlorosilane and method for device / Liu Chunjiang, Duan Changchun, Huang Zheqing, Huang Guoqiang, 2012. https://patentimages.storage.googleapis.com/fa/28/5c/7c3d256990284c/CN102491341A.pdf; Patent 103086380A (CN). Method and device for treating dichlorosilane waste by utilizing reactive distillation / Huang Guoqians, Sun Shuaishuai, Wang Hongxing, 2013. https://patentimages.storage.googleapis.com/75/13/64/7bce901d8891c9/CN103086380A.pdf; Zhu Y.-Q., Zong B., Wang X.-B., Tang D.-C., Dong H.-T., Wei D.-L., Wang T.-H. Research and optimization on preparation of trichlorosilane by anti-disproportionation method // Chem. Engineering (Chin.). 2016. V. 44, N 3. P. 64—67. DOI:10.3969/j.issn.1005-9954.2016.03.013; Ju Young Lee, Woo Hyung Lee, Yong-Ki Park, Hee Young Kim, Na Young Kang, Kyung Byung Yoon, Won Choon Choi, O-Bong Yang. Catalytic conversion of silicon tetrachloride to trichlorosilane for a poly-Si process // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2012. V. 105. P. 142—147. DOI:10.1016/j.solmat.2012.06.009; Patent 101242437B1 (KR). Manufacturing method for trichlorsilane / W. C. Choi, Y. K. Park, H. Y. Kim, 2013. https://patentimages.storage.googleapis.com/3e/da/b2/53711dac12c035/KR101242437B1.pdf; Patent 2009147028A1 (WO). Method for converting silicon tetrachloride or mixtures of silicon tetrachloride and dichlorosilane using methane / M. Stepp, U. Pätzold, H. Voit, R. Weidner, 2009. https://patentimages.storage.googleapis.com/cc/7c/ac/45f5953a1b50ad/WO2009147028A1.pdf; Patent 102874817 (CN). Method for preparing silane by disproportionating dichlorosilane / Li Bo, Gorg Yousheng, Tanchuan Richard, 2013. https://patentimages.storage.googleapis.com/a3/1a/86/423ae5e7f57ebc/CN102874817A.pdf; Wacker stellt Jahresprognose 2020 wegen Coronakrise unter Vorbehalt. https://www.wacker.com/cms/de-de/about-wacker/press-and-media/press/press-releases/detail-139777.html; Ceccaroli B., Lohne O., Øvrelid E. J. New advances in polysilicon processes correlating feedstock properties and good crystal and wafer performances // Phys. Status Solidi C. 2012. V. 9, N 10–11. P. 2062—2070. DOI:10.1002/pssc.201100167; Yan D. Siemens Process // In: Yang D. (Ed.) Handbook of Photovoltaic Silicon. Berlin; Heidelberg: Springer, 2019. P. 37—68. DOI:10.1007/978-3-662-56472-1_4; Chee Y., Kunimune T. 10000 MTA polysilicon plan commercialization comparison // News & Information for Chemical Engineering. 2014. V. 32, N 3. P. 339—355. https://www.cheric.org/PDF/NICE/NI32/NI32-3-0339.pdf; Patent 20120114546A1 (US). Hybrid TCS-siemens process equipped with 'turbo charger' FBR; method of saving electricity and equipment cost from TCS-siemens process polysilicon plants of capacity over 10,000 MT/YR / Y. Chee, T. Kunimune, 2012. https://patentimages.storage.googleapis.com/5f/09/f8/23c73bf5ea794c/US20120114546A1.pdf; Ramírez-Márquez C., Vidal Otero M., Vázquez-Castillo J. A., Martín M., Segovia-Hernández J. G. Process design and intensification for the production of solar grade silicon // J. Cleaner Production. 2018. V. 170. P. 1579—1593. DOI:10.1016/j.jclepro.2017.09.126; Митин В. В., Кох А. А. Развитие рынка и технологии производства поликристаллического кремния // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2017. Т. 20, № 2. С. 99—106. DOI:10.17073/1609-3577-2017-2-99-106; Anu Bhambhani. GCL – Poly Adding 10000 MT Granular Silicon Capacity. http://taiyangnews.info/business/gcl-poly-adding-10000-mt-granular-silicon-capacity/ (дата обращения: 03.02.2021); Anu Bhambhani. Increased Demand For Mono-Grade Polysilicon & Higher ASP enabled Dago New Energy. http://taiyangnews.info/business/daqos-q32020-net-income-grew-to-20-8-million/ (дата обращения: 25.11.2020); REC Silicon could restart poly production at Moses Lake. https://www.pv-magazine.com/2020/10/29/rec-silicon-could-restart-poly-production-at-moses-lake/ (дата обращения: 29.10.2020); DuPont Divests Trichlorosilane Business and its Stake in Hemlock Semiconductor Joint Venture. https://s23.q4cdn.com/116192123/files/doc_news/2020/09/HSC-and-TCS-Release_FINAL-9.9.20.pdf (дата обращения: 09.09.2020); Yadav Sh., Singh Ch. V. Molecular adsorption and surface formation reactions of HCl, H2 and chlorosilanes on Si(100)-c(4×2) with applications for high purity silicon production // Appl. Sur. Sci. 2019. V. 475. P. 124—134. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.12.253; https://met.misis.ru/jour/article/view/419

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/419
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-1-5-26

The Features of Radiation Absorption in Silicon with Surfacial Structure and Its Influence on Photoelectric Converters Properties ; Особенности поглощения излучения в кремнии c поверхностной текстурой и его влияние на свойства фотоэлектрических преобразователей

Συγγραφείς: S. Zainabidinov, R. Aliev, M. Muydinova, С. Зайнабидинов, Р. Алиев, М. Муйдинова

Πηγή: Alternative Energy and Ecology (ISJAEE); № 28-33 (2019); 15-22 ; Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE); № 28-33 (2019); 15-22 ; 1608-8298

Θεματικοί όροι: эффективность преобразования, multicrystalline and polycrystalline silicon, nanocrystalline structures, texture, the optical absorption, antireflection cover, electron-hole pairs, efficiency of conversion, мультикристаллический и поликристаллический кремний, нанокристаллические структуры, текстура, оптическое поглощение, антиотражающее покрытие, электронно-дырочные пары

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://www.isjaee.com/jour/article/view/1813/1550; Саидов, М.С. Легирование и пассивирование границ зерен солнечного поликристаллического кремния / М.С. Саидов // Гелиотехника. – 2004. – № 4. – С. 84–86.; Никитин, Б.А. Экспериментальная оценка коэффициента отражения кремниевых фотоэлектрических преобразователей / Б.А. Никитин, В.А. Гусаров // Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология» (ISJAEE). – 2016. – № 7–8. – С. 12–18.; Никитин, Б.А.Оценка оптимальных параметров и предельных характеристик каскадных кремниевых фотопреобразователей / Б.А. Никитин, В.А. Гусаров // Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология» (ISJAEE). 2015;(21):24–29.; Сычикова, Я.А. Ресурсо- и энергосберегающие технологии на основе наноструктурированного кремния / Я.А. Сычикова // Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология» (ISJAEE). – 2015. – № 19. – С. 136–141.; Алиев, Р. Улучшение оптических свойств наноструктурированием поверхности пленочного кремния, предназначенного для изготовления фотоэлектрических преобразователей энергии / Р. Алиев, К. Адамбаев, С. Алиев // Петербургский журнал электроники. – 2017– № 1 (86) – С. 18–22.; Wenham, S.R. Manufacturing of screen printed solar cells through the virtual environment / S.R. Wenham, A. Bruce // Proceeding of PV in Europe - From PV Technology to Energy Solutions: Eds. J.–L. Bal, G. Silvestrini, A. Grassi et al. – Rome, Italy, WIP-Munich and ETA-Florence. – 2002. – P. 240–243.; Алиев, Р. Инжекционное усиление фототока в поликристаллических кремниевых p + -n-n + структурах / Р. Алиев // Физика и техника полупроводников. – 1997. – Т. 31. – № 4. – C. 425–426.; Заверюхин, Б.Н. Изменение коэффициента отражения излучения от поверхности полупроводников в спектральном диапазоне λ = 0.2÷20 µm под воздействием ультразвуковых волн / Б.Н. Заверюхин, Н.Н. Заверюхина, О.М. Турсункулов // Письма в ЖТФ. – 2002. – Т. 28. – № 18. – C. 1–12.; Алиева, Ж. Об аномальной подвижности носителей заряда в некристаллических полупроводниках / Ж. Алиева, М. Носиров // Узбекский физический журнал. – 2002. – № 2. – С. 133–135.; https://www.isjaee.com/jour/article/view/1813

Διαθεσιμότητα: https://www.isjaee.com/jour/article/view/1813
https://doi.org/10.15518/isjaee.2019.28-33.015-022

Low-reflective surface texturing for large area multicrystalline silicon using NaOH-NaClO solution

Συγγραφείς: Dong, J., Huang, S.

Πηγή: Электронная обработка материалов 50 (1) 25-29

Θεματικοί όροι: multicrystalline silicon, поликристаллический кремний, текстурирование с использованием раствора NaOH/NaOCl, отражательная способность, NaOH-NaOCl texturing, reflectivity, 0211 other engineering and technologies, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, 02 engineering and technology

Περιγραφή αρχείου: text/html; application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://cyberleninka.ru/article/n/low-reflective-surface-texturing-for-large-area-multicrystalline-silicon-using-naoh-naclo-solution.pdf
https://cyberleninka.ru/article/n/low-reflective-surface-texturing-for-large-area-multicrystalline-silicon-using-naoh-naclo-solution
https://link.springer.com/content/pdf/10.3103/S1068375514010050.pdf
https://link.springer.com/article/10.3103/S1068375514010050
http://cyberleninka.ru/article_covers/15831810.png
http://cyberleninka.ru/article/n/low-reflective-surface-texturing-for-large-area-multicrystalline-silicon-using-naoh-naclo-solution
https://ibn.idsi.md/vizualizare_articol/50996

Witching current and voltage with heating bes pe re hod nyh polycrystalline silicon doped with alkali me tals in region of inter-grain boundarie ; Переключение тока и напряжения при нагреве беспереходного поликристаллического кремния, легированного щелочными металлами в области межзеренных границ ; Перемикання струму і напруги при нагріванні бесперехідного полікристалічного кремнію, легованого лужними металами на ділянці міжзеренних границь

Συγγραφείς: Олимов, Л. О., Абдурахманов, Б. М., Омонбоев, Ф. Л.

Συνεισφορές: Академия Наук Узбекистана

Πηγή: Физическая инженерия поверхности; Том 12, № 1 (2014): Фізична інженерія поверхні; 4-8 ; Фізична інженерія поверхні; Том 12, № 1 (2014): Фізична інженерія поверхні; 4-8 ; 1999-8112 ; 1999-8074

Θεματικοί όροι: intergrain boundaries, polycrystalline silicon, impurity thermalvoltaic effects, межзереные границы, поликристаллический кремний, примесныйтепловольтаический эффект, міжзеренні границі, полікристалічний кремній, домішковий тепловольтаїчний ефект

Relation: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8158

Διαθεσιμότητα: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8158

Influence alkali metal atoms on the photoelectric properties of polycrystalline silicon solar cells ; Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов ; Вплив атомів лужних металів на фотоелектричні властивості полікристалічних кремнієвих сонячних елементів

Συγγραφείς: Олимов, Л. О., Абдурахманов, Б. М., Омонобоев, Ф. Л., Юсупов, А. Х., Сохибова, З. М.

Συνεισφορές: Академия Наук Узбекистана

Πηγή: Физическая инженерия поверхности; Том 1, № 3 (2016): Журнал фізики та інженерії поверхні; 263-267 ; Фізична інженерія поверхні; Том 1, № 3 (2016): Журнал фізики та інженерії поверхні; 263-267 ; 1999-8112 ; 1999-8074

Θεματικοί όροι: polycrystalline silicon, grain boundaries, solar cells, alkali metal impurity impurity photovoltaic effect, поликристаллический кремний, межзереные границы, солнечные элементы, щелочных металлов, примесный фотовольтаический эффект, полікристалічний кремній, межі між зернами, сонячні елементи, лужні метали, домішковий фотовольтаїчний ефект

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8313/7823; http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8313

Διαθεσιμότητα: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8313

Electrical properties of inter grain boundaries in volume of polycrystalline silicon ; Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния ; Електричні властивості міжзернових границь в об’ємі полікристалічного кремнію

Συγγραφείς: Олимов, Л. О., Муйдинова, М., Омонбоев, Ф. Л.

Συνεισφορές: Академия Наук Узбекистана

Πηγή: Физическая инженерия поверхности; Том 11, № 2 (2013): Фізична інженерія поверхні; 212 - 215 ; Фізична інженерія поверхні; Том 11, № 2 (2013): Фізична інженерія поверхні; 212 - 215 ; 1999-8112 ; 1999-8074

Θεματικοί όροι: inter grain boundaries, polycrystalline silicon, conductivity, traps, recombination centers, межзеренные граници, поликристаллический кремний, полная проводимость ловушек, рекомбинационные центры, міжзернові границі, полікристалічний кремній, повна провідність пасток, рекомбінаційні центри

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8774/8296; http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8774

Διαθεσιμότητα: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8774

SILICON-SEMICONDUCTOR, TECHNOLOGIES AND PROSPECTS ; КРЕМНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ, ТЕХНОЛОГИИ И ПЕРСПЕКТИВЫ ; КРЕМНІЙ НАПІВПРОВІДНИКОВИЙ, ТЕХНОЛОГІЇ ТА ПЕРСПЕКТИВИ

Συγγραφείς: Verhovlyuk, Anatolij, Chervonyj, Ivan

Πηγή: Modern engineering and innovative technologies; No. 02-01 (2017); 68-98 ; Modern engineering and innovative technologies; № 02-01 (2017); 68-98 ; 2567-5273

Θεματικοί όροι: кремний, состояние и перспективы производства, металлургический кремний, поликристаллический кремний, технология, монокристаллический кремний, структурное совершенство монокристаллов кремния, классификация дефектов, тепловые условия, радиационное воздейст, silicon, state and prospects of production, metallurgical silicon, polycrystalline silicon, technology, monocrystalline silicon, structural perfection of silicon single crystals, classification of defects, thermal conditions, radiation exposure, mechanism

Relation: https://www.moderntechno.de/index.php/meit/article/view/meit02-01-032/pdf02-01-032; https://www.moderntechno.de/index.php/meit/article/view/meit02-01-032/copernicus02-01-032; https://www.moderntechno.de/index.php/meit/article/view/meit02-01-032/gscolar02-01-032

Διαθεσιμότητα: https://www.moderntechno.de/index.php/meit/article/view/meit02-01-032
https://doi.org/10.30890/2567-5273.2017-02-01-032

ФОТОКОНЦЕНТРАТОРЫ ДЛЯ МОРСКИХ И БЕРЕГОВЫХ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ КОМПЛЕКСОВ

Συγγραφείς: РУДЕНКО МИХАИЛ ФЕДОРОВИЧ, ДАВЫДЕНКО АНДРЕЙ ИВАНОВИЧ

Θεματικοί όροι: ФОТОЭЛЕМЕНТЫ,ПЛОСКИЕ ЗЕРКАЛА,КОНЦЕНТРАТОРЫ СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ,ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ,АДАПТИРУЮЩИЕ УСТРОЙСТВА,PHOTOELEMENTS,FLAT MIRRORS,CONCENTRATORS OF A SOLAR ENERGY,POLYCRYSTALLINE SILICON,ADAPTING DEVICES

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/fotokontsentratory-dlya-morskih-i-beregovyh-energeticheskih-kompleksov
http://cyberleninka.ru/article_covers/16965810.png

Diagnostics of Impurity Composition of High–Pure Monosilane by Results of the Analysis of a Test Silicon Single Crystal ; ДИАГНОСТИКА ПРИМЕСНОГО СОСТАВА ВЫСОКОЧИСТОГО МОНОСИЛАНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ АНАЛИЗА КОНТРОЛЬНОГО МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ

Συγγραφείς: V. A. Gavva, A. V. Gusev, T. V. Kotereva, В. А. Гавва, А. В. Гусев, Т. В. Котерева

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 4 (2014); 240-245 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 4 (2014); 240-245 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2014-4

Θεματικοί όροι: моносилан, поликристаллический кремний, монокристаллы, ИК−спектроскопия, примеси, polycrystalline silicon, single crystals, isotopes, IR−spectroscopy, impurity

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/177/166; Белов, Е.П. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш, А. Н. Горюнов, И. Н. Литвиненко. − М. : НИИТЭХИМ, 1989. − 65 с.; Бочкарев, Э. П. Полупроводниковый поликристаллический кремний / Э. П. Бочкарев, А. В. Елютин, Л. С. Иванов // Изв. вузов. Цветная металлургия. − 1997. − No 5. − С. 20—26.; Фалькевич, Э. С. Технология полупроводникового кремния / Э. С. Фалькевич., Э. О. Пульнер, И. Ф. Червонный, Л. Я. Шварцман, В. Н. Яркий, И. В. Салли. − М. : Металлургия, 1992. − 408 с.; Крылов, В. А. Хромато−масс−спектрометрическое определение примесей в изотопно−обогащенном силане высокой чистоты / В. А. Крылов, А. Ю. Созин, В. А. Зорин, В. Г. Березкин, В. А. Крылов // Масс−спектрометрия. – 2008. − Т. 6, No 4. − С. 225—233.; Сенников, П.Г. Примеси в моносилане,синтезированном различными методами / П. Г. Сенников, А. П. Котков, С. А. Адамчик, Н. Д. Гришнова, Л. А. Чупров, С. К. Игнатов // Неорган. материалы. − 2010. − Т. 46, No 4. − С. 415—420.; Гусев, А. В. Выращивание монокристаллов стабильных изотопов кремния. / А. В. Гусев, В. А. Гавва, Е. А. Козырев // Перспективные материалы. − 2010. − Вып. 8. − С. 366—369.; Sennikov, P.G. Spectroscopic parameters of LVM absorption bands of carbonand oxygen impurities in isotopic enriched silicon 28 Si, 29 Si and 30 Si / P. G. Sennikov, T. V. Kotereva, A. G. Kurganov, B. A. Andreev, H. Niemann , D. Schiel, V. V. Emtsev, H.−J. Pohl // Физика и техника полупроводников. − 2005. − Т. 39, вып. 3. − С. 320—326.; Kotereva, T. V. Isotopic effects in the infrared absorption spectra of electrically active impurities in silicon 28, 29, and 30 with high isotopic enrichment / T. V. Kotereva, A. V. Gusev, V. A. Gavva, E. A. Kozyrev // Russian Microelectronics. − 2013. − Т. 42, No 8. − С. 453—457.; ASTMF 1630−00. Standard Test Method for Low Temperature FT−IR Analysis of Single Crystal Silicon for III−V Impurities. − P. 1—7/http://www.astm.org/DATABASE.CART/WITHDRAWN/ F1630.htm. DOI:10.1520/F1630−00; ASTM F 1391−93. Standard Test Method for Substitutional Atomic Carbon Content of Silicon by Infrared Absorption. − P. 515—519 / http://www.astm.org/Standards/F1391.htm. DOI:10.1520/F1391−93R00; Пфанн, В. Зонная плавка / В. Пфанн. − М. : Мир, 1970. − 336 с.; Полупроводники / Под ред. Н. Б. Хеннея. − М. : Изд−во иностранной литературы, 1962. − 668 с.; Вавилов, В.С. Дефекты в кремниии на его поверхности / В. С. Вавилов, В. Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев. − М.: Наука, 1990. − 216 с.; Tang, K. SINTEF Materials and chemistry, N−thermochemical and kinetic databases for the solar cell silicon / K. Tang, E. J. Ovrelid, G. Tranell, M. Tangstad // Mater. Twelfth Internat. Ferroalloys Congress Sustainable Future. − Helsinki (Finland), 2010. − P. 619—629.; Ковалев, И. Д. Определение примесей кислорода и углерода в поликристаллическом кремнии методом ИК−спектроскопии. / И. Д. Ковалев, Т. В. Котерева, А. В. Гусев, В. А. Гавва, Д. К. Овчинников // Журн. аналитической химии. − 2008. − Т. 63, No 3. − С. 274—278.; https://met.misis.ru/jour/article/view/177

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/177
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-4-240-245

Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. Т. 320, № 2 : Математика и механика. Физика

Πηγή: Известия Томского политехнического университета

Θεματικοί όροι: очистка, электронные ускорители, износостойкие покрытия, совмещенные рабочие процессы, жидкокапельные аэрозоли, электронно-лучевая наплавка, коаксиальные магнитоплазменные ускорители, производство, спонтанное излучение, подогрев, магнетронные напыления, Усов Юрий Петрович (российский ученый, электротехник, профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук, 1937-) — TPU — Томск, физика, метод Бриджмена, оптимизация, отражательные триоды, кривошипно-ползунные механизмы, плазма, Высшие технические учебные заведения, искровой разряд, параметры, траектории, математика, Евтушенко Геннадий Сергеевич (российский специалист в области электрофизики, профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук, 1947-) — TPU — Томск, евклидовы пространства, двумерные площадки, градиентные среды, механика, газодинамические процессы, керамика, поликристаллический кремний, Москалев Владилен Александрович (российский ученый, электротехник, профессор Томского политехнического университета, 1927-) — Томск, квазислучайные последовательности, изоэнтропическое течение, галогениды лития, эволюция, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (НИ ТПУ) ((2009- )), спекание, имплантаты, топливо, теплопроводность, мобильные машины, грузоподъемные краны, целочисленные порядки, центробежные судовые электровентиляторы, научно-технические исследования, рентгеновское излучение, Могильницкий Сергей Борисович (физик, доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук, 1951-) — Томск, Трясучев Владимир Андреевич (российский физик, профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук, 1947-) — Томск, плазменные каналы, шатуны, заряженные частицы

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/44208

Фотоконцентраторы для морских и береговых энергетических комплексов

Πηγή: Вестник Астраханского государственного технического университета. Серия: Морская техника и технология.

Θεματικοί όροι: ФОТОЭЛЕМЕНТЫ,ПЛОСКИЕ ЗЕРКАЛА,КОНЦЕНТРАТОРЫ СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ,ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ,АДАПТИРУЮЩИЕ УСТРОЙСТВА,PHOTOELEMENTS,FLAT MIRRORS,CONCENTRATORS OF A SOLAR ENERGY,POLYCRYSTALLINE SILICON,ADAPTING DEVICES

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article_covers/16965810.png
http://cyberleninka.ru/article/n/fotokontsentratory-dlya-morskih-i-beregovyh-energeticheskih-kompleksov

Антиотражающие покрытия для солнечных батарей

Συγγραφείς: Константинова Юлия Андреевна, Iuliia A. Konstantinova

Πηγή: Научные исследования: от теории к практике; № 3(4); 198-200

Θεματικοί όροι: солнечная батарея, антиотражающее покрытие, монокристаллический кремний, поликристаллический кремний, тонкопленочный преобразователь

Περιγραφή αρχείου: text/html

Relation: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/isbn/978-5-906626-88-2; https://interactive-plus.ru/e-articles/144/Action144-10935.pdf

Διαθεσιμότητα: https://interactive-plus.ru/files/Books/Cover-144.png?req=10935
https://interactive-plus.ru/article/10935/discussion_platform

МОДЕЛИРОВАНИЕ ОТКЛОНЕНИЯ КАНТИЛЕВЕРА НА ОСНОВЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

Συγγραφείς: БЫКОВ АЛЕКСАНДР ВИКТОРОВИЧ

Θεματικοί όροι: НАНОСИСТЕМНАЯ ТЕХНИКА,КАНТИЛЕВЕР,ОТКЛОНЕНИЕ КАНТИЛЕВЕРА,МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ,ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ,АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ,NANOSYSTEMS,CANTILEVER,BEAM DEFLECTION,MONOCRYSTALLINE SILICON,POLYCRYSTALLINE SILICON,ATOMIC FORCE MICROSCOPY

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/modelirovanie-otkloneniya-kantilevera-na-osnove-polikristallicheskogo-kremniya
http://cyberleninka.ru/article_covers/16441085.png

Low-reflective Surface Texturing for Large Area Multicrystalline Silicon Using NaOH-NaClO Solution

Συγγραφείς: Jing, Dong, Shi-hua, Huang

Θεματικοί όροι: поликристаллический кремний, текстурирование с использованием раствора NaOH/NaOCl, отражательная способность

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/low-reflective-surface-texturing-for-large-area-multicrystalline-silicon-using-naoh-naclo-solution
http://cyberleninka.ru/article_covers/15831810.png

Математическая модель процесса получения поликристаллического кремния

Συγγραφείς: Сенотова, Светлана

Θεματικοί όροι: ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ, МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ, ТЕМПЕРАТУРА В РЕАКТОРЕ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/matematicheskaya-model-protsessa-polucheniya-polikristallicheskogo-kremniya
http://cyberleninka.ru/article_covers/15193222.png

Разработка системы автоматического управления резистивным нагревом кремниевых стержней переменным током

Συγγραφείς: Горюнов, Алексей Германович, Курочкин, Владимир Александрович, Чучалин, Иван Петрович, Москалев, Владилен Александрович

Πηγή: Известия Томского политехнического университета

Θεματικοί όροι: Siemens-реакторы, поликристаллический кремний, математическое моделирование, источники, переменный ток, системы автоматического управления

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. 2012. Т. 321, № 5 : Управление, вычислительная техника и информатика; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/4546

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/4546