Εμφανίζονται 1 - 20 Αποτελέσματα από 499 για την αναζήτηση '"показатель преломления"', χρόνος αναζήτησης: 0,90δλ Περιορισμός αποτελεσμάτων
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10
    Academic Journal

    Πηγή: Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, Vol 23, Iss 5, Pp 1073-1076 (2024)

    Περιγραφή αρχείου: electronic resource

    Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/b0788d9ee43244558467ecfff25b9417

  11. 11
    Academic Journal

    Συνεισφορές: Работа выполнена при поддержке Государственной программы научных исследований «Фотоника и электроника для инноваций» (грант 3.8.1, № ГР20212595).

    Πηγή: Doklady of the National Academy of Sciences of Belarus; Том 69, № 1 (2025); 23-31 ; Доклады Национальной академии наук Беларуси; Том 69, № 1 (2025); 23-31 ; 2524-2431 ; 1561-8323 ; 10.29235/1561-8323-2025-69-1

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Relation: https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/1232/1233; Гриценко, В. А. Запоминающие свойства мемристоров на основе оксида и нитрида кремния / В. А. Гриценко, А. А. Гисматулин, О. М. Орлов // Российские нанотехнологии. – 2021. – Т. 16, № 6. – С. 751–760. https://doi.org/10.1134/s1992722321060078; a-SiNx:H-based ultra-low power resistive random access memory with tunable Si dangling bond conduction paths / X. Jiang, Z. Ma, J. Xu [et al.] // Scientific Reports. – 2015. – Vol. 5. – Art. 15762. https://doi.org/10.1038/srep15762; Yen, T. J. High performance all nonmetal SiNx resistive random access memory with strong process dependence / T. J. Yen, A. Chin, V. Gritsenko // Scientific Reports. – 2020. – Vol. 10. – Art. 2807. https://doi.org/10.1038/s41598-020-59838-y; Charge transport mechanism in the forming-free memristor based on PECVD silicon oxynitride / A. A. Gismatulin, G. N. Kamaev, V. A. Volodin, V. A. Gritsenko // Electronics. – 2023. – Vol. 12, N 3. – Art. 598. https://doi.org/10.3390/electronics12030598; Understanding the role of defects in Silicon Nitride-based resistive switching memories through oxygen doping / N. Vasileiadis, P. Karakolis, P. Mandylas [et al.] // IEEE Transactions on Nanotechnology. – 2021. – Vol. 20. – P. 356–364. https://doi.org/10.1109/tnano.2021.3072974; Nature of traps responsible for the memory effect in silicon nitride / V. A. Gritsenko, T. V. Perevalov, O. M. Orlov, G. Ya. Krasnikov // Applied Physics Letters. – 2016. – Vol. 109, N 6. – Art. 062904. https://doi.org/10.1063/1.4959830; Memory properties and short-range order in silicon oxynitride-based memristors / Yu. N. Novikov, G. N. Kamaev, I. P. Prosvirin, V. A. Gritsenko // Applied Physics Letters. – 2023. – Vol. 122, N 23. – Art. 232903. https://doi.org/10.1063/5.0151211; Redox-based resistive switching memories – nanoionic mechanisms, prospects, and challenges / R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot // Advanced Materials. – 2009. – Vol. 21, N 25–26. – P. 2632–2663. https://doi.org/10.1002/adma.200900375; Механические напряжения в пленках SiNx при химическом осаждении из газовой фазы в плазме высокой плотности / Н. С. Ковальчук, С. А. Демидович, Л. А. Власукова [и др.] // Неорганические материалы. – 2022. – Т. 58, № 9. – С. 938–944. https://doi.org/10.31857/s0002337x2209007x; Effect of rapid thermal annealing on Si-based dielectric films grown by ICP-CVD / I. Parkhomenko, L. Vlasukova, F. Komarov [et al.] // ACS Omega. – 2023. – Vol. 8, N 33. – P. 30768–30775. https://doi.org/10.1021/acsomega.3c04997; Voltage-programmable negative differential resistance in memristor of single-crystalline lithium niobate thin film / J. Wang, X. Pan, W. Luo [et al.] // Applied Physics Letters. – 2022. – Vol. 120, N 3. – Art. 032901. https://doi.org/10.1063/5.0070132; A deep study of resistance switching phenomena in TaOx ReRAM cells: system‐theoretic dynamic route map analysis and experimental verification / A. Ascoli, S. Menzel, V. Rana [et al.] // Advanced Electronic Materials. – 2022. – Vol. 8, N 8. – Art. 2200182. https://doi.org/10.1002/aelm.202200182; Electron trap level of hydrogen incorporated nitrogen vacancies in silicon nitride / K. Sonoda, E. Tsukuda, M. Tanizawa, Y. Yamaguchi // Journal of Applied Physics. – 2015. – Vol. 117, N 10. – Art. 104501. https://doi.org/10.1063/1.4914163; Creation and properties of nitrogen dangling bond defects in silicon nitride thin films / W. L. Warren, C. H. Seager, J. Robertson [et al.] // Journal of the Electrochemical Society. – 1996. – Vol. 143, N 11. – P. 3685–3691. https://doi.org/10.1149/1.1837272; Васильев, В. Ю. Технология получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Ч. 8: Влияние водорода в пленках на их свойства / В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника. – 2019. – Т. 21, № 6. – С. 352–367.; https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/1232

  12. 12
  13. 13
  14. 14
  15. 15
    Book

    Συγγραφείς: Shukurlu, Yusif Gajibala

    Θεματικοί όροι: chromatic and modular scattering, mühitin sındırma əmsalı, molekulyar səpilmə, спектры поглощения и выделения, вторая волна, molecular scattering, анамальная дисперсия, Fourier theorem, показатель преломления света, теорема Фурье, 7. Clean energy, dalğa uzunluğu, wavelength, показатель преломления среды, 11. Sustainability, dispersive and non-dispersive media, fibre optic communication line, səpilmə, дисперсия, оптическое волокно, волоконно-оптическая линия связи, скорость света, 4. Education, неоднородная среда, udma və buraxma spektrləri, second wave, волновое число, рассеяние, lif-optik rabitə xətləri, modullaşmış dalğa, dispersion, wave number, дисперсионные и недисперсионные среды, Reley düsturu, длина волны, wave packet, faza vэ qrup sürəti, dispersiya, optik lif, хроматическое и модульное рассеяние, işıq sürəti, модулированная волна, işığın sınma əmsalı, фазовые VI групповые скорости, формула Рэлея, dalğa paketi, absorption and release spectra, Education, волновой пакет, anamal dispersiya, молекулярное рассеяние, ikinci dalğa, phase VI group velocities, scattering, Furye teoremi, dalğa ədədi, xromatik və modarası səpilmə, qeyri-bircins mühit, inhomogeneous medium, medium refractive index, 13. Climate action, modulated wave, Rayleigh formula, anamalous dispersion, optical fibre, speed of light, light refractive index, dispersiyalı və dispersiyasız mühitlər

  16. 16
  17. 17
  18. 18
  19. 19
  20. 20
    Academic Journal

    Πηγή: NOVYE OGNEUPORY (NEW REFRACTORIES); № 11 (2023); 36-46 ; Новые огнеупоры; № 11 (2023); 36-46 ; 1683-4518 ; 10.17073/1683-4518-2023-11

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Relation: https://newogneup.elpub.ru/jour/article/view/2101/1688; Корниенко, О. А. Фазовое равновесие в бинарной системе La2O3‒Dy2O3, СеО2‒La2O3‒Dy2O3 / О. А. Корниенко, С. В. Юшкевич, О. И. Быков [и др.] // Журнал Европейского керамического общества. ― 2022. ― Т. 42, № 13. — C. 5820‒5830.; Баковец, В. В. Особенности изменения интенсивностей основных полос фотолюминесценции ионов Tb3+ и их сателлитов в поликристаллическом люминофоре Gd2O3 : Tb (3 мол. %) / В. В. Баковец, П. Е. Плюснин, И. В. Юшина [и др.] // Физика твердого тела. ― 2023. ― Т. 65, вып. 5. ― С. 839‒848.; Волченкова, З. С. Электропроводность и подвижность ионов кислорода в Y2O3 с малыми добавками HfO2 / З. С. Волченкова, Д. С. Зубанова // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. ― 1978. ― Т. 11, № 12. ― С. 2211‒2215.; Sasaki, K. Electronic conductivity in Ln2O3 in solid solution with ZrO2 / K. Sasaki, H. P. Seifer , L .J. Gauckler // J. Electrochemical. ― 1994. ― Vol. 141, № 10. ― P. 2759‒2768.; Бакунов, В. С. Керамика из огнеупорных окислов / В. С. Бакунов, В. Л. Балкевич, И. Я. Гузман. ― М. : Металлургия, 1977. ― 304 с.; Плотников, В. В. Полупроводниковые приборы / В. В. Плотников, Л. К. Чиркин. ― М. : Высшая школа, 1987. ― 479 с.; Шевченко, В. Я. Техническая керамика / В. Я. Шевченко, С. М. Баринов. ― М. : Наука, 1993. ― 235 с.; Коряжкина, М. Н. Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO2 (Y) на подложках Si (001) с наноструктурами Ge / M. Н. Коряжкина, Д. О. Филатов, М. Е. Шенина [и др.] // ФТП. ― 2022. ― Т. 56, вып. 8. ― С. 723‒727.; Исаев, A. Г. Исследование свойств филаментов в структурах на основе HfO2 при помощи атомносиловой микроскопии с измерением проводимости / А. Г. Исаев, А. Е. Пермякова // Журнал технической физики. ― 2023. ― Т. 56, вып. 8. ― С. 1143‒1151.; Кнунянц, И. Л. Химическая энциклопедия. Т. 2 / И. Л. Кнунянц. ― М. : Советская энциклопедия, 1990. ― 671 с.; Глушкова, В. Б. Диоксид гафния и его соединения с оксидами редкоземельных элементов / В. Б. Глушкова, М. В. Кравчинская, А. К. Кузнецов, П. А. Тихонов. ― Л. : Наука, 1984. ― 176 с.; Соловьева, А. Е. Влияние дефектов структуры на фазовые превращения в оксиде иттрия на воздухе и в вакууме / А. Е. Соловьева // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. ― 1985. ― Т. 21, № 5. ― С. 808‒813.; Шмытько, И. М. Влияние межкристаллитных границ на образование новых структурных состояний в простых редкоземельных оксидах / И. М. Шмытько, Г. Р. Ганеева, А. С. Аронин // Физика твердого тела. ― 2015. ― Т. 57, вып. 1. ― С. 128‒134.; Шмытько, И. М. Тетрагональные нанокристаллические фазы в оксидах Re2O3 / И. М. Шмытько, В. В. Кедров // Физика твердого тела. ― 2022. ― Т. 64, вып. 12. ― С. 2034‒2039.; Соловьева, А. Е. Изучение кристаллической структуры и электрофизических свойств поликристаллического оксида иттрия при нагреве в вакууме / А. Е. Соловьева // Успехи прикладной физики. ― 2019. ― Т. 7, № 2. ― С. 177‒187.; Swamy, V. High-temperature powder X-ray diffraction of yttria to melting point / V. Swamy, N. A. Dubrovinskaya, L. S. Dubrovinsky // J. Mater. Res. ― 1999. ― Vol. 14, № 2. ― P. 456‒459.; Атоу, Т. Ударно-индуцированный фазовый переход M2O3 (M ― соединения типа Sc, Y, Sm, Gd и In) / Т. Атоу, К. Кусаба, К. Фукуока [et al.] // J. Solud. State Chem. ― 1990. ― Vol. 89, № 2. ― Р. 378‒384.; Ион, Родика-Мариана. Зеленый синтез наночастиц оксида иттрия / Родика-Мариана Ион // Справочник по экологии синтеза наноматериалов и соединений Александрина Нута. ― 2021. ― Вып. 16. ― С. 3.; Соловьева, А. Е. Изменения кристаллической структуры и электрофизических свойств поликристаллического оксида индия при нагреве на воздухе / А. Е. Соловьева // Новые огнеупоры. ― 2021. ― № 12. ― С. 55‒50. https://doi.org/10.17073/1683-4518-2021-12-55-60.; Соловьева, А. Е. Дефекты структуры и фазовые превращения в поликристаллическом диоксиде церия при нагреве в вакууме и на воздухе / А. Е. Соловьева // Новые огнеупоры. ― 2023. ― № 7. ― С. 42‒51.; Агарков, Д. А. Влияние термообработки на теплопроводность монокристаллов твердых растворов на основе ZrO2, стабилизированных оксидами скандия и иттрия / Д. А. Агарков, М. А. Борик, Г. М. Кораблева [et al.] // Физика твердого тела. ― 2020. ― Т. 62, вып. 12. ― С. 2093‒2100.; Borik, M. G. Phase composition and mechanical properties of Sm2O3 partialle stabilized zirconia crystals / M. G. Borik, A. V. Kulebyakina, E. E. Lomonovа [et al.] // Journal of Crystal Growth. ― 2022. ― № 11. ― P. 1630‒1642.; Соловьева, А. Е. Образование кубической модификации с ОЦК-решеткой типа С в поликристаллических диоксидах гафния, циркония и церия при нагреве / А. Е. Соловьева // Новые огнеупоры. ― 2021. ― № 3. ― С. 48‒58. https://doi.org/10.17073/1683-4518-2021-3-48-58.; Самсонов, Г. В. Физико-химические свойства окислов / Г. В. Самсонов. ― М. : Металлургия, 1978. ― 471 с.; Диасамидзе, Э. М. Структурные изменения поликристаллического оксида алюминия при высокотемпературном отжиге в вакууме и ионном облучении / Э. М. Диасамидзе, В. Л. Марков, Г. Я. Романова, А. Е. Соловьева // Физика и химия обработки материалов. ― 1989. ― № 6. ― С. 25‒30.; Соловьева, А. Е. Структурные изменения в поликристаллическом оксиде индия после ионного облучения / А. Е. Соловьева // Новые огнеупоры. ― 2022. ― № 11. ― С. 39‒47. https://doi.org/10.17073/1683-4518-2022-11-39-47.; Katagiri, S. A new high-temperature modification of face-centered cubic Y2O3 / S. Katagiri, N. Ishizawa, F. Marumo // Powder Diffraction. ― 1993. ― Vol. 8, № 1. ― P. 60‒65.; https://newogneup.elpub.ru/jour/article/view/2101