-
1Academic Journal
Authors: N. I. Gorbachuk, K. A. Ermakova, N. A. Poklonski, S. V. Shpakovski, Н. И. Горбачук, Е. А. Ермакова, Н. А. Поклонский, С. В. Шпаковский
Contributors: The work was supported by the Be larusian National Research Program “Materials Science, New Materials and Technologies” for 2021–2025, subprogram “Condensed Matter Physics and Development of New Functional Materials and Technologies for their Production” (task 1.8.2)., Работа поддержана Государ ственной программой научных исследований «Материало ведение, новые материалы и технологии» на 2021–2025 годы, подпрограмма «Физика конденсированного состояния и создание новых функциональных материалов и технологий их получения» (задание 1.8.2).
Source: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series; Том 61, № 1 (2025); 34-46 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук; Том 61, № 1 (2025); 34-46 ; 2524-2415 ; 1561-2430 ; 10.29235/1561-2430-2025-61-1
Subject Terms: DLTS, C–V curves, impedance, silicon, surface electron states, irradiation-induced defects, вольт-фарадные характеристики, импеданс, кремний, поверхностные электронные состояния, радиационные дефекты
File Description: application/pdf
Relation: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/824/627; Sze, S. M. Physics of semiconductor devices / S. M. Sze, K. K. Ng. – Hoboken: Wiley, 2007. – X + 816 p. https://doi.org/10.1002/0470068329; Вавилов, В. С. Действие излучений на полупроводники / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. – М.: Наука, 1988. – 190 с.; Барабан, А. Н. Электроника слоев SiO2 на кремнии / А. Н. Барабан, В. В. Булавинов, П. П. Коноров. – Л.: Ленингр. ун-т, 1988. – 304 с.; Nicollian, E. H. The Si-SiO2 interface electrical properties as determined by metal-insulator-silicon conductance technique / E. H. Nicollian, A. Goetzberger // The Bell System Technical Journal. – 1967. – Vol. XLVI, № 6. – P. 1055–1133. https://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1967.tb01727.x; Белоус, А. И. Космическая электроника: в 2 кн. / А. И. Белоус, В. А. Солодуха, С. В. Шведов. – М.: Техносфера, 2015. – Кн. 2. – 488 с.; Емкость и электропроводность полупроводниковых структур на переменном токе: учеб. пособие / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, Т. М. Лапчук, Д. А. Кириленко. – Минск: БГУ, 1997. – 62 с.; Комплексная электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных высокоэнергетическими ионами ксенона / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский [и др.] // Опто-, микро- и СВЧ-электроника. – 2018: сб. науч. ст. I Междунар. науч.-техн. конф., Минск, Беларусь, 22–26 окт. 2018 г. / Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси; ред.: Н. С. Казак, А. С. Чиж, В. В. Малютина-Бронская. – Минск, 2018. – С. 132–135.; Емкость в режиме сильной инверсии cтруктур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский [и др.] // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VIII Междунар. науч. конф., Минск, Беларусь, 10–11 окт. 2018 г. / БГУ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск, 2018. – С. 192–196.; Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2/n-Si / Н. И. Горбачук, Н. А. Пок лонский, С. В. Шпаковский [и др.] // Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2019): материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / БГУ; редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск, 2019. – С. 139–142.; Influence of radiation defects on electrical losses in silicon diodes irradiated with electrons / N. A. Poklonski, N. I. Gor bachuk, S. V. Shpakovski [et al.] // Semiconductors. – 2010. – Vol. 44, № 3. – P. 380–384. https://doi.org/10.1134/S1063782610030188; Equivalent circuit of silicon diodes subjected to high–fluence electron irradiation / N. A. Poklonski, N. I. Gorbachuk, S. V. Shpakovski, A. Wieck // Technical Physics. – 2010. – Vol. 55, № 10. – P. 1463–1471. https://doi.org/10.1134/S1063784210100117; Диэлектрические потери структур Al/SiO2/n-Si, облученных электронами с энергией 3.5 МэВ / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский [и др.] // Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2015): материалы 11-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 23–25 сент. 2015 г. / БГУ; редкол.: В. М. Анищик (отв. ред.) [и др.]. – Минск, 2015. – С. 136–138.; Электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский [и др.] // Актуальные проблемы физики твердого тела (ФТТ-2016): сб. докл. Междунар. науч. конф., Минск, Беларусь, 22–25 нояб. 2016 г.: в 3 т. / НПЦ НАНБ по материаловедению; редкол.: Н. М. Олехнович (пред.) [и др.]. – Минск, 2016. – Т. 2. – С. 39–41.; Impedance spectroscopy: Theory experiment and applications / ed. by E. Barsoukov, J. R. Macdonald. – Hoboken: John Wiley & Sons, Inc., 2005. – xviii + 596 p. https://doi.org/10.1002/0471716243; Lang, D. V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors / D. V. Lang // Journal of Applied Physics. – 1974. – Vol. 45, № 7. – P. 3023–3032. https://doi.org/10.1063/1.1663719; Dmitriev, S. G. Semiconductor surface potential relaxation in the MIS structure in the presence of convective currents in insulator and through its boundaries / S. G. Dmitriev // Semiconductors. – 2011. – Vol. 45, № 2. – P. 188–191. https://doi.org/10.1134/S1063782611020072; Давыдов, В. Н. Программа расчета параметров МДП-структуры по методу Термана / В. Н. Давыдов, П. Е. Троян, Н. Г. Зайцев // Известия Томского политехнического университета. – 2006. – Т. 309, № 8. – С. 47–51.; DLTS-спектроскопия радиационных дефектов в облученных ионами гелия структурах Al/Si3N4/n-Si / Н. И. Горбачук, Н. А. Поклонский, Е. А. Ермакова [и др.] // Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния: материалы седьмой Междунар. науч.-практ. конф., Минск, Беларусь, 18–19 мая 2023 г. / Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко Белорус. гос. ун-та; редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская. – Минск, 2023. – С. 272–274.; C–V and DLTS studies of radiation induced Si–SiO2 interface defects / I. Capan, V. Janicki, R. Jacimovic, B. Pivac // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. – 2012. – Vol. 282. – P. 59–62. https://doi.org/10.1016/j.nimb.2011.08.065; Hara, T. DLTS analysis of interface and near-interface bulk defects induced by TCO-plasma deposition in carrier-selective contact solar cells / T. Hara, Y. Ohshita // AIP Advances. – 2024. – Vol. 14, № 1. – Art. ID 015202. https://doi.org/10.1063/5.0177685; Energy state distributions of the Pb centers at the (100), (110), and (111) Si/SiO2 interfaces investigated by Laplace deep level transient spectroscopy / L. Dobaczewski, S. Bernardini, P. Kruszewski [et al.] // Applied Physics Letters. – 2008. – Vol. 92, № 24. – Art. ID 242104. https://doi.org/10.1063/1.2939001; Traps at the bonded interface in silicon-on-insulator structures / I. V. Antonova, O. V. Naumova, D. V. Nikolaev [et al.] // Applied Physics Letters. – 2001. – Vol. 79, № 27. – P. 4539–4540. https://doi.org/10.1063/1.1428412; Ziegler, J. F. SRIM – The Stopping and Range of Ions in Matter / J. F. Ziegler, J. P. Biersack, M. D. Ziegler. – Chester, MD: SRIM Co., 2008. – 398 p.; Цифровой емкостный спектрометр СЕ-6 / H. H. Дедович, В. А. Кузьминых, А. Н. Лазарчик [и др.] // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, Беларусь, 25–26 сент. 2008 г. / БГУ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск, 2008. – С. 16–19.; Hazdra, P. Influence of radiation defects on formation of thermal donors in silicon irradiated with high-energy helium ions / P. Hazdra, V. Komarnitskyy // Materials Science and Engineering B. – 2009. – Vol. 159–160. – P. 346–349. https://doi.org/10.1016/j.mseb.2008.10.008; Defect reactions associated with the dissociation of the phosphorus–vacancy pair in silicon / V. P. Markevich, O. Andersen, I. F. Medvedeva [et al.] // Physica B. – 2001. – Vol. 308–310. – P. 513–516. https://doi.org/10.1016/S09214526(01)00737-2; https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/824
-
2Academic Journal
-
3Academic Journal
-
4Academic Journal
Authors: A. S. Kurochka, A. A. Sergienko, S. P. Kurochka, V. I. Kolybelkin, А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин
Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 2 (2014); 104-108 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 2 (2014); 104-108 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2014-2
Subject Terms: область пространственного заряда, ion−beam etching, secondary electron current, autoelectronic emission, electron affinity, surface electron states, the space charge region, ионно−лучевое травление, ток вторичных электронов, автоэлектронная эмиссия, сродство к электрону, поверхностные электронные состояния
File Description: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/129/122; Киреев, В. Ю. Введение в технологии микроэлектроники и нанотехнологии / В. Ю. Киреев. − М. : ФГУП «ЦНИИХМ», 2008. – 428 с.; Броудай, И. Физические основы микротехнологии / И. Броудай, Дж. Мерей − М. : Мир, 1985. − 496 с.; Ковалев,А.Н.Современныенаправленияипроблемысоздания полевых транзисторов на AlGa N/GaN−гетероструктурах / А. Н. Ковалев // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2002. − No 2. − С. 4—15.; Орликовский, А. А. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы / А. А. Орликовский // Микроэлектроника. − 2001. − Т. 30. − No 5. − С. 323—344.; Коронкевич,В.П.Современныелазерныеинтерферометры / В. П. Коронкевич, В. А. Ханов. − М. : Наука, 1985. − 180 с.; Митрофанов, Е. А. Масс−спектрометрические методы контроля технологических процессов травления и формирования пленок / Е. А. Митрофанов, Ю. П. Макшев // Вакуумная техника и технология. − 1992. − Т. 11. − No 4. − С. 59—68.; Дудин, С. В. Диагностика плазменных технологических схем: методическое пособие по курсу С. В. Дудин, А. В. Зыков, В. И. Фареник. − Харьков : Харьковский нац. ун−т им. В. Н. Казина, 2009. − 32 с.; Курочка, А. С. Особенности электронной эмиссии для контроля процесса реактивного ионно−лучевого травления пленочных гетерокомпозиций: дисс. . канд. тех. наук / А. С. Курочка − М., 2013. − 149 с.; Петров,Н.Н.Эмиссионныепроцессыприионнойбомбардировке твердых тел / Н. Н. Петров // XXII конф. по эмиссионной электронике. – М., 1994. – Т. 1. – С. 9.; Сергиенко, А. А. Особенности кинетической ионно− электронной эмиссии с поверхности металлических и полупроводниковых пленочных материалов в процессе ионно−лучевого травления: дисс. . канд. техн. наук. / А. А. Сергиенко − М. : МИСиС, 2006. − 144 c.; Симакин, С. Б. Неразрушающий контроль процесса ионно−лучевого травления наноразмерных гетероструктур / С. Б. Симакин, А. А. Сергиенко, Г. Д. Кузнецов, А. С. Курочка, С. П. Курочка, Ю. А. Ходос, Н. А. Харламов, М. А. Пушкарев // Заводская лаборатория. − 2011. − Т. 77. − No 3. − С. 28—34.; Гольдберг, Ю. А. Омический контакт металл—полупроводник АIIIBV: методы создания и свойства / Ю. А. Гольдберг // ФТП. − 1994. − Т. 28, вып. 10. − С. 1681—1698.; Киселев,В.Ф.Основыфизикиповерхноститвердоготела / Киселев В. Ф., Козлов С. Н., Затеев А. В. − М. : МГУ, 1999. − 284 c. 14. Добрецов, Л. Н. Эмиссионная электроника / Л. Н. Добрецов, М. В. Гомоюнова − М. : Наука, 1996. − 564 c.; https://met.misis.ru/jour/article/view/129
-
5Academic Journal
Source: Фундаментальные исследования.
Subject Terms: 7. Clean energy, ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ, АДСОРБЦИОННЫЕ ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ, БИОГРАФИЧЕСКИЕ МЕДЛЕННЫЕ ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ, КИНЕТИКА ЗАРЯЖЕНИЯ, СHARACTERISTIC PARAMETERS
File Description: text/html
-
6Academic Journal
-
7Report
Subject Terms: STRAIN SENSITIVITY COEFFICIENT, CHANGE IN THE CONCENTRATION OF ELECTRONIC SURFACE STATES, НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ИЗМЕНЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ ЭЛЕКТРОННЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ, GRAIN BOUNDARIES, NANOCRYSTALLINE BISMUTH-ANTIMONY TELURIDE FILMS, НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ ТЕЛУРИДОВ ВИСМУТА СУРЬМЫ, МЕЖЗЁРЕННЫЕ ГРАНИЦЫ, КОЭФФИЦИЕНТ ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ, ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ, SURFACE ELECTRONIC STATES, NANOCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS
-
8Academic Journal
Authors: Шиманский, А.Ф., Подкопаев, О.И., Вахрин, В.В., Shimanskiy, Alexander F., Podkopaev, Oleg I., Vahrin, Victor V.
Subject Terms: полупроводники, германий, электропроводность, поверхностные электронные состояния, semiconductors, germanium, the electrical conductivity, electronic surface states
Relation: 2011 4 ( 5 ); Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии. Journal of Siberian Federal University. Engineering & Technologies.; http://rour.neicon.ru:80/xmlui/bitstream/rour/261371/1/nora.pdf; https://openrepository.ru/article?id=261371
Availability: https://openrepository.ru/article?id=261371
-
9
Source: Rufus Ritchie, A Gentleman and A Scholar. Cambridge [a. o.], 2019. P. 199-223
Subject Terms: поверхностные электронные состояния, поверхностные фононные моды, электрон-фононное взаимодействие
Relation: vtls:000794338; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000794338
-
10
Authors: Викулов, Виктор Алексеевич
Subject Terms: нанокристаллический кремний, пористый кремний, кремний (физика), кремниевые квантовые нити, наногетероструктуры, нанокристаллические кремниевые материалы, поверхностные электронные состояния, электронный перенос в гетероструктурах, нанокристаллиты, авторефераты диссертаций, физика конденсированного состояния
Relation: vtls:000824351; https://openrepository.ru/article?id=117363
Availability: https://openrepository.ru/article?id=117363
-
11Electronic Resource
Authors: Викулов, Виктор Алексеевич
Index Terms: нанокристаллический кремний, пористый кремний, кремний (физика), кремниевые квантовые нити, наногетероструктуры, нанокристаллические кремниевые материалы, поверхностные электронные состояния, электронный перенос в гетероструктурах, нанокристаллиты, авторефераты диссертаций, физика конденсированного состояния, автореферат диссертации
